Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > Всі товари виробника CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP (6745) > Сторінка 7 з 113
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CMSH1-20 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH1-20M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA |
на замовлення 22501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH2-40 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB |
на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH2-60 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH3-150MFL TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A SMAFLAT |
на замовлення 9040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH3-200MFL TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMAFLAT |
на замовлення 5921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH3-40 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC |
на замовлення 7563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMUDM7001 TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523 |
на замовлення 5092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CTLDM7590 TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8 |
на замовлення 9174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CTLTVS12 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TVS DIODE 9VWM 18VC TLM2D3D6 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CTLTVS6V2 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TVS DIODE 4VWM 10.7VC TLM2D3D6 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CWDM305N TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC |
товар відсутній |
||||||||||
CWDM305ND TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CWDM305P TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC |
товар відсутній |
||||||||||
CWDM305PD TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET P-CH DUAL 16V 5.3A 8SOIC |
товар відсутній |
||||||||||
CXDM3069N TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CXDM6053N TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CXT3906 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89 |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CZDM1003N TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
1N4104 TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 10V 250MW DO35 |
товар відсутній |
||||||||||
1N5060 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N5061 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N746A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
1N749A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
1N750A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
1N751A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
1N752A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N753A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N754A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N756A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N758A TR TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V |
товар відсутній |
||||||||||
1N759A TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CBRHD-01 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: BRIDGE RECT 1P 100V 500MA HD DIP |
товар відсутній |
||||||||||
CBRHD-02 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: IC RECT BRIDGE 200V 0.5A HD DIP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CBRHD-10 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: IC RECT BRIDGE 1000V 0.5A HD DIP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CBRHDSH1-100 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: IC RECT BRIDGE 100V 1A HD DIP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: BRIDGE RECT 1P 40V 1.2A 4HD DIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 125°C (TJ) Technology: Schottky Supplier Device Package: 4-HD DIP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V Current - Average Rectified (Io): 1.2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CBRHDSH2-100 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: IC RECT BRIDGE 100V 2A HD DIP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CHD8-06 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK |
товар відсутній |
||||||||||
CMR1-02 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CMR1-02M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1-04 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CMR1-04M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1-06 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB |
товар відсутній |
||||||||||
CMR1-06M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1-10 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1-10M TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CMR1U-01M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-02 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-02M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-04 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-04M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-06 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
CMR1U-06M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-10 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR1U-10M TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA |
товар відсутній |
||||||||||
CMR3-06 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMR3U-04 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
CMSH1-150HE TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA |
товар відсутній |
||||||||||
CMSH1-20 TR13 | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB |
товар відсутній |
CMSH1-20 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH1-20M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA
на замовлення 22501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH2-40 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH2-60 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH3-150MFL TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A SMAFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A SMAFLAT
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH3-200MFL TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMAFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMAFLAT
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH3-40 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
на замовлення 7563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMUDM7001 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CTLDM7590 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CTLTVS12 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 9VWM 18VC TLM2D3D6
Description: TVS DIODE 9VWM 18VC TLM2D3D6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CTLTVS6V2 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 4VWM 10.7VC TLM2D3D6
Description: TVS DIODE 4VWM 10.7VC TLM2D3D6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CWDM305N TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
товар відсутній
CWDM305ND TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CWDM305P TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
товар відсутній
CWDM305PD TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH DUAL 16V 5.3A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH DUAL 16V 5.3A 8SOIC
товар відсутній
CXDM3069N TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CXDM6053N TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CXT3906 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CZDM1003N TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1N4104 TR |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 10V 250MW DO35
Description: DIODE ZENER 10V 250MW DO35
товар відсутній
1N5060 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-1, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GPR-1A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-1, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GPR-1A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
1N5061 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-1, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GPR-1A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-1, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: GPR-1A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
1N746A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.25 грн |
1N749A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1N750A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 6.02 грн |
1N751A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 6.02 грн |
1N752A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1 V
товар відсутній
1N753A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товар відсутній
1N754A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товар відсутній
1N756A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товар відсутній
1N758A TR TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товар відсутній
1N759A TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.19 грн |
CBRHD-01 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 500MA HD DIP
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 500MA HD DIP
товар відсутній
CBRHD-02 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: IC RECT BRIDGE 200V 0.5A HD DIP
Description: IC RECT BRIDGE 200V 0.5A HD DIP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CBRHD-10 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: IC RECT BRIDGE 1000V 0.5A HD DIP
Description: IC RECT BRIDGE 1000V 0.5A HD DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CBRHDSH1-100 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: IC RECT BRIDGE 100V 1A HD DIP
Description: IC RECT BRIDGE 100V 1A HD DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: BRIDGE RECT 1P 40V 1.2A 4HD DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: 4-HD DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 1.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Description: BRIDGE RECT 1P 40V 1.2A 4HD DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: 4-HD DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 1.2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 440 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 31.58 грн |
6000+ | 28.89 грн |
15000+ | 27.81 грн |
CBRHDSH2-100 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: IC RECT BRIDGE 100V 2A HD DIP
Description: IC RECT BRIDGE 100V 2A HD DIP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CHD8-06 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK
Description: DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK
товар відсутній
CMR1-02 TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 14.8 грн |
6000+ | 13.53 грн |
9000+ | 12.56 грн |
30000+ | 11.51 грн |
CMR1-02M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1-04 TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.53 грн |
6000+ | 8.71 грн |
9000+ | 8.09 грн |
CMR1-04M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1-06 TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
товар відсутній
CMR1-06M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1-10 TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1-10M TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 9.22 грн |
10000+ | 8.25 грн |
CMR1U-01M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-02 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-02M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-04 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-04M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-06 TR13 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.59 грн |
CMR1U-06M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-10 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR1U-10M TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
товар відсутній
CMR3-06 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMR3U-04 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMSH1-150HE TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA
товар відсутній
CMSH1-20 TR13 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB
товар відсутній