Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B32672Z4105K289 | EPC | DIP |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B41821-A3108-M008 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B66281-G-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B66281-P-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B66283-P-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B82422-T1104-K-100 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Код товару: 58203 |
EPC |
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD Номінал: 4,7 µH Точність: ±20% Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм Робочий струм, А: 1.8A |
у наявності: 54 шт
|
|
|||||||||||
BOOK GAN FET | EPC |
Description: TEXT GAN TRANSISTORS Packaging: Bulk Type: Book Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma Publisher: Power Conversion Publications Part Status: Active ISBN: 9780615569253 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
CN1206K20G2 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
EPC1001 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1001 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1001 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1005 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1005 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1005 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1007 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1007 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1007 | EPC | Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1009 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1009 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1009 | EPC | Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1010 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1010 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1010 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1011 | EPC | Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1011 | EPC | Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1011 | EPC | Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1012 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1012 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1012 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1013 | EPC | Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1013 | EPC | Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1013 | EPC | Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1014 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1014 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1014 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1015 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1015 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC1015 | EPC | Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2001 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2001 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 107196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 102500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2007 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2007 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 22058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2010 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2010 | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 6133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2010CENGR | EPC | Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2010CENGR | EPC | Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2010CENGR | EPC | Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2010ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
EPC2012 | EPC | Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2012 | EPC | Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE |
товар відсутній |
||||||||||||
EPC2012C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2012C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 10173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
EPC2012CENGR | EPC | Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
товар відсутній |
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Код товару: 58203 |
Виробник: EPC
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
у наявності: 54 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24.5 грн |
10+ | 20.9 грн |
BOOK GAN FET |
Виробник: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2630.17 грн |
EPC2001C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 107196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 336.53 грн |
10+ | 272.19 грн |
100+ | 220.18 грн |
500+ | 183.67 грн |
1000+ | 157.27 грн |
EPC2001C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 163.86 грн |
EPC2007C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 69.03 грн |
5000+ | 63.98 грн |
EPC2007C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.1 грн |
10+ | 122.47 грн |
100+ | 97.46 грн |
500+ | 77.39 грн |
1000+ | 65.67 грн |
EPC2010C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 232.6 грн |
EPC2010C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 437.64 грн |
10+ | 361.21 грн |
100+ | 301 грн |
500+ | 249.25 грн |
1000+ | 224.33 грн |
EPC2010ENGR |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)EPC2012C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 89.01 грн |
5000+ | 82.49 грн |
EPC2012C |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.15 грн |
10+ | 157.93 грн |
100+ | 125.68 грн |
500+ | 99.8 грн |
1000+ | 84.68 грн |