НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N700MOTOROLA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N700/18CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000LGETranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 38170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.53 грн
120+ 3.05 грн
380+ 2.11 грн
1040+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7000
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2N7000Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+8.63 грн
1363+ 8.55 грн
1694+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 1349
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+8.26 грн
71+ 8.18 грн
72+ 8.09 грн
100+ 7.73 грн
250+ 7.08 грн
500+ 5.47 грн
1000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7000
Код товару: 200238
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 1344 шт:
1114 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+3 грн
10+ 2.5 грн
100+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000onsemi / FairchildMOSFET Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 35032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.2 грн
12+ 26.53 грн
100+ 12.82 грн
1000+ 8.08 грн
2500+ 7.69 грн
10000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.28 грн
65+ 4.01 грн
250+ 3.47 грн
325+ 2.94 грн
890+ 2.78 грн
3000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7000Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 38180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2738+4.25 грн
4000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 2738
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.9 грн
2000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7000Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.2A 0.4W
товар відсутній
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.5 грн
8000+ 3.13 грн
12000+ 2.59 грн
28000+ 2.39 грн
100000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.23 грн
110+ 3.22 грн
250+ 2.89 грн
325+ 2.45 грн
890+ 2.32 грн
3000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+7.7 грн
76+ 7.63 грн
100+ 7.55 грн
1000+ 7.21 грн
2500+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.1 грн
45+ 13.09 грн
100+ 6.88 грн
500+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7000NTE Electronics, Inc.N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+53.69 грн
500+ 42.51 грн
1000+ 41.09 грн
2500+ 36.54 грн
Мінімальне замовлення: 217
2N7000Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7000
Код товару: 182880
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2+3.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.7 грн
22+ 14.36 грн
100+ 10.45 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 7.29 грн
4000+ 5.52 грн
8000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.64 грн
100+ 3.8 грн
380+ 2.53 грн
1040+ 2.39 грн
4000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7000Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.96 грн
8000+ 3.64 грн
28000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A
товар відсутній
2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
12+ 23.82 грн
100+ 14.31 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 8.45 грн
2000+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 311 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
42+6.65 грн
50+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+8.3 грн
1417+ 8.22 грн
1430+ 8.14 грн
2500+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.41 грн
25+ 29.56 грн
100+ 14.67 грн
500+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+29.2 грн
716+ 16.27 грн
1114+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 399
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+8.27 грн
71+ 8.19 грн
100+ 8.11 грн
1000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7000Microchip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
товар відсутній
2N7000
Код товару: 20638
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
очікується 2000 шт:
2000 шт - очікується
2+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 141058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.33 грн
20+ 13.76 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.65 грн
2000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 141
2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFET TRENCH 31V-99V G2
товар відсутній
2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-APMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.33 грн
6000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.75 грн
19+ 18.83 грн
25+ 15.47 грн
100+ 7.94 грн
275+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.18 грн
6000+ 6.63 грн
10000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+34.5 грн
11+ 23.46 грн
25+ 18.57 грн
100+ 9.53 грн
275+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 15555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.88 грн
31+ 24.55 грн
100+ 12.31 грн
500+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.73 грн
6000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.2 грн
4000+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 31553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
14+ 21.92 грн
100+ 10.71 грн
1000+ 7.29 грн
2000+ 6.37 грн
10000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 17188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
14+ 19.92 грн
100+ 11.93 грн
500+ 10.37 грн
1000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.04 грн
6000+ 7.42 грн
10000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 32968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
13+ 24.71 грн
100+ 11.76 грн
1000+ 8.21 грн
2000+ 7.16 грн
10000+ 6.44 грн
50000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.25 грн
100+ 13.36 грн
500+ 11.61 грн
1000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.82 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.59 грн
22+ 16.22 грн
29+ 12.19 грн
100+ 9.45 грн
113+ 7.05 грн
310+ 6.64 грн
1000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.31 грн
13+ 20.22 грн
25+ 14.62 грн
100+ 11.34 грн
113+ 8.46 грн
310+ 7.97 грн
1000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
15+ 18.89 грн
100+ 11.33 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
15+ 21.01 грн
100+ 10.12 грн
1000+ 6.9 грн
2000+ 6.05 грн
10000+ 5.45 грн
50000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.28 грн
26+ 28.83 грн
100+ 25.36 грн
1000+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.47 грн
9+ 31.82 грн
10+ 28.67 грн
35+ 27.93 грн
94+ 26.29 грн
100+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.75 грн
25+ 28.55 грн
100+ 25.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+41.81 грн
288+ 40.51 грн
500+ 39.28 грн
Мінімальне замовлення: 279
2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 5Ohm
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
25+ 29.55 грн
100+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-G
Код товару: 182408
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+28.72 грн
409+ 28.52 грн
500+ 28.03 грн
2000+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 406
2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
25+ 26.56 грн
100+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+32.71 грн
500+ 30.67 грн
1000+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 356
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.4 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.56 грн
14+ 25.53 грн
15+ 23.89 грн
35+ 23.28 грн
94+ 21.91 грн
100+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-TAVishayVishay USE 2N7000KL-TR1
товар відсутній
2N70002
Код товару: 53073
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N70002NXP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+332.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 42364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.46 грн
16+ 17.46 грн
100+ 10.48 грн
500+ 9.11 грн
1000+ 6.19 грн
2000+ 5.7 грн
5000+ 5.38 грн
10000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000BUON-SemicoductorN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
товар відсутній
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 21951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 19.42 грн
100+ 9.99 грн
1000+ 6.44 грн
2500+ 5.65 грн
10000+ 4.99 грн
50000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000GonsemiMOSFET 60V 200mA N-Channel
товар відсутній
2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N7000KRectronTO-92
товар відсутній
2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
2N7000L
Код товару: 175310
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
Монтаж: THT
товар відсутній
2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
товар відсутній
2N7000RLRAON05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000RLRMG
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.38 грн
22+ 15.61 грн
31+ 11.36 грн
100+ 8.76 грн
117+ 6.78 грн
321+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.66 грн
14+ 19.45 грн
25+ 13.64 грн
100+ 10.52 грн
117+ 8.13 грн
321+ 7.72 грн
1000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
16+ 19.2 грн
100+ 9.27 грн
1000+ 6.31 грн
2000+ 5.52 грн
10000+ 5.39 грн
24000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000TA
Код товару: 173012
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
товар відсутній
2N7001
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 59649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.68 грн
10+ 31.01 грн
100+ 21.57 грн
500+ 15.81 грн
1000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
6000+ 11.62 грн
9000+ 10.79 грн
30000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 26615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.32 грн
100+ 13.41 грн
1000+ 10.32 грн
3000+ 9.27 грн
9000+ 9.2 грн
45000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+24.05 грн
715+ 16.3 грн
722+ 16.14 грн
734+ 15.31 грн
1117+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 485
2N7001TDCKR
Код товару: 162137
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товар відсутній
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.39 грн
26+ 22.34 грн
100+ 14.59 грн
250+ 13.38 грн
500+ 12.63 грн
1000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+22.53 грн
899+ 12.95 грн
908+ 12.36 грн
1330+ 7.82 грн
3000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 517
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
12+ 23.28 грн
100+ 13.97 грн
500+ 12.13 грн
1000+ 8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 23.96 грн
100+ 12.22 грн
1000+ 8.54 грн
3000+ 7.43 грн
9000+ 6.7 грн
24000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.65 грн
28+ 20.92 грн
100+ 11.6 грн
250+ 10.64 грн
500+ 10.21 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
товар відсутній
2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT INTERFACE
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.09 грн
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.03 грн
4+ 187.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.44 грн
5+ 934.13 грн
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.04 грн
6000+ 13.75 грн
9000+ 12.76 грн
30000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125
на замовлення 36218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.93 грн
10+ 37.64 грн
100+ 22.8 грн
500+ 17.81 грн
1000+ 14.46 грн
3000+ 12.22 грн
9000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 53186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 36.69 грн
100+ 25.53 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 729000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+1.97 грн
12000+ 1.5 грн
27000+ 1.44 грн
51000+ 1.32 грн
102000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 5906
2N7002onsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
на замовлення 501209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
14+ 22.14 грн
100+ 10.91 грн
1000+ 8.02 грн
3000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 644274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7426+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 7426
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.15 грн
200+ 1.28 грн
500+ 1.09 грн
1025+ 0.94 грн
2800+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002PanJit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
12000+ 9.01 грн
24000+ 8.38 грн
36000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 59563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+ 7.28 грн
9000+ 6.55 грн
30000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+35.57 грн
1000+ 27.07 грн
2500+ 25.35 грн
Мінімальне замовлення: 328
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.01 грн
175+ 1.57 грн
500+ 1.32 грн
850+ 1.15 грн
2300+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002
Код товару: 179822
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+20.39 грн
655+ 17.79 грн
745+ 15.65 грн
936+ 12 грн
1111+ 9.36 грн
3000+ 8.01 грн
6000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 571
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.51 грн
275+ 1.26 грн
500+ 1.1 грн
850+ 0.96 грн
2300+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.43 грн
21+ 28.77 грн
25+ 25.96 грн
50+ 18.26 грн
100+ 14.75 грн
250+ 12.45 грн
500+ 9.9 грн
1000+ 8.35 грн
3000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
6000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002-TP; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.41 грн
9000+ 2.33 грн
30000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 644274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.79 грн
27+ 27.57 грн
100+ 13.71 грн
500+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
9000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 112644 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.22 грн
25+ 10.19 грн
100+ 8.54 грн
160+ 6.16 грн
430+ 5.83 грн
12000+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
9000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.62 грн
350+ 1.03 грн
500+ 0.91 грн
1025+ 0.79 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 4055
2N7002UMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 15307
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+1.75 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.38 грн
45000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 6638
2N7002DIOTECTransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 2N7002-DIO; 2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR T2N7002 DIOTEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
6000+ 6.95 грн
9000+ 6.55 грн
30000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 91143 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
9000+ 9.01 грн
18000+ 8.38 грн
27000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 112644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.68 грн
40+ 9.52 грн
45+ 8.49 грн
100+ 7.12 грн
160+ 5.13 грн
430+ 4.86 грн
12000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 11905
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 59563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 21.84 грн
100+ 13.1 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
30000+ 5.2 грн
60000+ 4.84 грн
90000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.84 грн
110+ 2.35 грн
500+ 2.04 грн
550+ 1.76 грн
1505+ 1.66 грн
12000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.61 грн
9000+ 1.37 грн
24000+ 1.28 грн
45000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3897
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.87 грн
185+ 1.88 грн
500+ 1.7 грн
550+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+9.95 грн
40+ 6.85 грн
100+ 3.68 грн
500+ 2.72 грн
1000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N7002 (Hottech, SOT-23-3)
Код товару: 47271
HottechТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
у наявності 2483 шт:
1164 шт - склад
124 шт - РАДІОМАГ-Київ
410 шт - РАДІОМАГ-Львів
370 шт - РАДІОМАГ-Одеса
415 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
товар відсутній
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
товар відсутній
2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 14263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.85 грн
20+ 15.42 грн
100+ 8.48 грн
1000+ 3.81 грн
3000+ 3.22 грн
9000+ 2.5 грн
24000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
товар відсутній
2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 T/RPANJIT0604+
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.61 грн
6000+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+ 6.03 грн
9000+ 5.43 грн
30000+ 5.02 грн
75000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 240922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.17 грн
16+ 18.07 грн
100+ 10.86 грн
500+ 9.44 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60V .2A
на замовлення 368232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.1 грн
23+ 13.15 грн
100+ 7.43 грн
1000+ 6.05 грн
3000+ 5.59 грн
9000+ 4.93 грн
24000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
14+ 20.19 грн
100+ 12.14 грн
500+ 10.54 грн
1000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFET N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
на замовлення 46585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.55 грн
20+ 15.42 грн
100+ 8.94 грн
1000+ 6.83 грн
2500+ 6.51 грн
10000+ 5.65 грн
20000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
товар відсутній
2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002(702)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 191
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+ 2.31 грн
12000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 672000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
6000+ 2.79 грн
9000+ 2.31 грн
30000+ 2.13 грн
75000+ 1.91 грн
150000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+2.83 грн
6000+ 2.48 грн
12000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 4121
2N7002,215NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1169517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.55 грн
25+ 12.47 грн
100+ 4.73 грн
1000+ 3.02 грн
3000+ 2.23 грн
9000+ 1.97 грн
24000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2682000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
6000+ 2.08 грн
12000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1010023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.14 грн
1500+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1929000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
9000+ 2.3 грн
24000+ 2.15 грн
45000+ 1.94 грн
99000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2162+5.39 грн
2378+ 4.9 грн
3522+ 3.31 грн
3779+ 2.97 грн
6000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 2162
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2682000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.27 грн
65+ 8.9 грн
115+ 4.86 грн
250+ 4.47 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 2.63 грн
3000+ 2.45 грн
6000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
337+1.86 грн
361+ 1.73 грн
389+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+3.74 грн
3206+ 3.63 грн
5000+ 3.53 грн
10000+ 3.32 грн
25000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3113
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1010023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.53 грн
80+ 9.22 грн
124+ 5.96 грн
500+ 3.14 грн
1500+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 59
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 676216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.48 грн
23+ 12.25 грн
100+ 5.98 грн
500+ 4.68 грн
1000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 38311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+6.64 грн
77+ 4.45 грн
97+ 3.56 грн
129+ 2.66 грн
250+ 2.4 грн
419+ 1.91 грн
1151+ 1.81 грн
24000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 56
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1929000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8621+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 8621
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+3.17 грн
3000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 182
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
9000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38311 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
34+7.96 грн
47+ 5.55 грн
58+ 4.27 грн
100+ 3.2 грн
250+ 2.88 грн
419+ 2.29 грн
1151+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2682000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+2.61 грн
6000+ 2.26 грн
12000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 4465
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.82 грн
20000+ 1.61 грн
50000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.13 грн
20000+ 1.99 грн
50000+ 1.84 грн
100000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.98 грн
20000+ 1.76 грн
50000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 27985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.1 грн
26+ 11.94 грн
100+ 4.8 грн
1000+ 2.96 грн
2500+ 2.5 грн
10000+ 1.71 грн
20000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.48 грн
23+ 12.25 грн
100+ 5.98 грн
500+ 4.68 грн
1000+ 3.25 грн
2000+ 2.82 грн
5000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+14.99 грн
52+ 11.22 грн
54+ 10.72 грн
100+ 6.39 грн
250+ 4.97 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 3.09 грн
3000+ 2.61 грн
6000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 610000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1944+5.99 грн
2256+ 5.16 грн
2995+ 3.89 грн
3547+ 3.17 грн
6000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 1944
2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.18 грн
120+ 2.15 грн
500+ 1.82 грн
600+ 1.61 грн
1640+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.65 грн
200+ 1.73 грн
500+ 1.52 грн
600+ 1.34 грн
1640+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
20000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.1 грн
20000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.6 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.1 грн
20000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 295873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+10.98 грн
96+ 7.74 грн
162+ 4.56 грн
500+ 2.31 грн
1500+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 68
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F
Код товару: 170068
DiodesТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.9 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.29 грн
45000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.9 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.29 грн
45000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 590983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+ 2.03 грн
9000+ 1.72 грн
30000+ 1.5 грн
75000+ 1.29 грн
150000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.8 грн
100+ 2.62 грн
500+ 1.92 грн
1380+ 1.81 грн
12000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.61 грн
24000+ 1.39 грн
45000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 9000
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.43 грн
77+ 9.58 грн
180+ 4.11 грн
256+ 2.68 грн
500+ 1.83 грн
1000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 65
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.17 грн
180+ 2.1 грн
500+ 1.6 грн
1380+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002-7-F
Код товару: 186256
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 2622 шт:
2041 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
109 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
117 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 3.3 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.4 грн
2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 685 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 295873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.31 грн
1500+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.61 грн
24000+ 1.39 грн
45000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 9000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5661+2.06 грн
9000+ 1.61 грн
24000+ 1.4 грн
45000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 5661
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 595921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.8 грн
32+ 8.76 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 128910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 259054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.26 грн
33+ 9.3 грн
100+ 3.55 грн
1000+ 2.17 грн
3000+ 1.84 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.9 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.29 грн
45000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
6000+ 2.34 грн
9000+ 1.89 грн
15000+ 1.55 грн
30000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+665.28 грн
2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
товар відсутній
2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-F169onsemiDescription: 2N7002 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
17+ 16.16 грн
100+ 8.57 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.5Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.39 грн
10+ 35.6 грн
11+ 31.83 грн
29+ 28.07 грн
79+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-GonsemiMOSFET FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 226019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+ 23.81 грн
100+ 11.76 грн
1000+ 5.26 грн
3000+ 4.4 грн
9000+ 4.01 грн
24000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+40.67 грн
319+ 36.52 грн
331+ 35.23 грн
Мінімальне замовлення: 287
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+31.79 грн
370+ 31.47 грн
437+ 26.68 грн
454+ 24.78 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 367
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
9000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.01 грн
18+ 32.87 грн
25+ 30.74 грн
100+ 27.58 грн
250+ 23.62 грн
500+ 20.84 грн
1000+ 19.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.19 грн
28+ 20.63 грн
100+ 8.51 грн
1000+ 5.22 грн
3000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.94 грн
25+ 34.15 грн
100+ 30.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
12000+ 4.85 грн
24000+ 4.51 грн
36000+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.98 грн
6000+ 33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32 грн
26+ 28.83 грн
100+ 26.84 грн
3000+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+62.15 грн
220+ 52.94 грн
257+ 45.32 грн
272+ 41.42 грн
500+ 35.88 грн
1000+ 32.4 грн
3000+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 188
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.5Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 698 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+59.27 грн
6+ 44.36 грн
10+ 38.2 грн
29+ 33.68 грн
79+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 13947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.46 грн
18+ 15.81 грн
100+ 7.72 грн
500+ 6.04 грн
1000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-HFComchip TechnologyMOSFET 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.69 грн
18+ 17.61 грн
100+ 6.24 грн
1000+ 4.34 грн
3000+ 3.35 грн
9000+ 2.89 грн
24000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+ 3.59 грн
9000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-L
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-L T/RDIODES0841+
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-MTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-NLFIARCHILD07+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
товар відсутній
2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1
Код товару: 15283
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+16.66 грн
725+ 16.07 грн
1000+ 15.54 грн
2500+ 14.54 грн
5000+ 13.1 грн
10000+ 12.27 грн
Мінімальне замовлення: 699
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 6881
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.55 грн
55+ 4.85 грн
100+ 4.11 грн
305+ 3.19 грн
830+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 45
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.46 грн
90+ 3.89 грн
100+ 3.42 грн
305+ 2.66 грн
830+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.115A 0.2W
на замовлення 580031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+ 24.49 грн
100+ 13.28 грн
1000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 345
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.13 грн
100+ 23 грн
500+ 16.86 грн
1000+ 13.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.4 грн
26+ 22.73 грн
100+ 11.11 грн
250+ 10.17 грн
500+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.5 грн
100+ 14.94 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
6000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+20.97 грн
50+ 11.6 грн
125+ 7.67 грн
345+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.47 грн
50+ 9.31 грн
125+ 6.39 грн
345+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+33.06 грн
469+ 24.84 грн
514+ 22.66 грн
604+ 18.61 грн
1000+ 16.26 грн
2000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 353
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
на замовлення 610172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
13+ 23.58 грн
100+ 10.19 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 6.83 грн
99000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.8 грн
6000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1221+9.54 грн
1795+ 6.49 грн
1852+ 6.29 грн
2000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 1221
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.54 грн
6000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 476
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-T1/72VISHAY
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72KBLSI
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T1/72NSILICONIX
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002-T2VishayMOSFET
товар відсутній
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2097000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 12500
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11719+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 11719
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 951000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11719+0.99 грн
243000+ 0.91 грн
486000+ 0.85 грн
729000+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 11719
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
9000+ 1.65 грн
24000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 67120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.37 грн
35+ 7.87 грн
100+ 4.22 грн
500+ 3.11 грн
1000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1749000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.29 грн
450000+ 1.18 грн
900000+ 1.09 грн
1350000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 9037
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 459000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.03 грн
9000+ 1.78 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 5748
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.13 грн
453000+ 1.03 грн
906000+ 0.96 грн
1359000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 10345
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.28 грн
60+ 4.37 грн
250+ 3.73 грн
280+ 3.49 грн
760+ 3.3 грн
3000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 60V, 115mA
на замовлення 291234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.11 грн
35+ 8.69 грн
100+ 3.22 грн
1000+ 2.23 грн
3000+ 1.64 грн
9000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.98 грн
6000+ 1.8 грн
9000+ 1.53 грн
30000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.03 грн
9000+ 1.78 грн
24000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 5748
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.29 грн
513000+ 1.18 грн
1026000+ 1.09 грн
1539000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 9037
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 54190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.23 грн
100+ 3.51 грн
250+ 3.11 грн
280+ 2.91 грн
760+ 2.75 грн
3000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002-TP (2N7002-7-F)
Код товару: 39940
MCCТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002.215n-канальний польовий транзистор SOT-23
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002.215
Код товару: 73129
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
2N7002/12PPHILIPS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/12WPHILIPS
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/700207+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/702
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/GPHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 52273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.35 грн
26+ 10.82 грн
100+ 5.28 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2153+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 2153
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42000+1.82 грн
45000+ 1.75 грн
75000+ 1.73 грн
99000+ 1.41 грн
150000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 42000
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15625+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 15625
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
6000+ 2.46 грн
9000+ 2.04 грн
30000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+14.67 грн
56+ 10.34 грн
115+ 5.02 грн
1000+ 2.73 грн
3000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002/HAMRNexperiaMOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB
на замовлення 35132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+14.95 грн
29+ 10.58 грн
100+ 5.72 грн
1000+ 2.56 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 1.71 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42000+1.69 грн
45000+ 1.62 грн
75000+ 1.61 грн
99000+ 1.31 грн
150000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 42000
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
товар відсутній
2N7002702FAIRCHILD00+ 23
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC
на замовлення 688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
480+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 480
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
6000+ 1.46 грн
9000+ 1.25 грн
24000+ 1.19 грн
30000+ 1.02 грн
45000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+2.69 грн
175+ 1.7 грн
500+ 1.48 грн
850+ 1.13 грн
2350+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
84+7.43 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 84
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.24 грн
275+ 1.36 грн
500+ 1.23 грн
850+ 0.94 грн
2350+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 175
2N7002ADiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+7.82 грн
54+ 5.67 грн
100+ 4.14 грн
500+ 3.29 грн
1000+ 2.89 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002A
Код товару: 161144
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002ADiotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.31 грн
12000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 8876
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.53 грн
6000+ 1.45 грн
9000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+9.24 грн
45+ 6.16 грн
100+ 3.3 грн
500+ 2.43 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 191824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.28 грн
100+ 6.49 грн
500+ 5.08 грн
1000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.4 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+ 2.62 грн
9000+ 2.17 грн
30000+ 2 грн
75000+ 1.8 грн
150000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.84 грн
1500+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+2.61 грн
9000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 4465
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.68 грн
110+ 3.15 грн
250+ 2.83 грн
370+ 2.17 грн
1020+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 117730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.7 грн
23+ 13.53 грн
100+ 5.19 грн
1000+ 3.61 грн
3000+ 2.5 грн
9000+ 2.1 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.33 грн
58+ 9.97 грн
62+ 9.38 грн
107+ 5.23 грн
250+ 4.63 грн
500+ 4.18 грн
1000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 44
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.81 грн
70+ 3.92 грн
250+ 3.4 грн
370+ 2.6 грн
1020+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+15.78 грн
67+ 11.13 грн
115+ 6.42 грн
500+ 3.84 грн
1500+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 47
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
товар відсутній
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
2N7002A-RTK/PKECSOT23
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.64 грн
27+ 10.27 грн
100+ 5 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9317+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 9317
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
товар відсутній
2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.22 грн
27000+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+3.83 грн
24000+ 3.76 грн
30000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2N7002AKW-QXNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 68-77 дні (днів)
18+17.86 грн
26+ 11.87 грн
100+ 4.99 грн
1000+ 2.96 грн
3000+ 2.5 грн
9000+ 1.91 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 14244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.39 грн
22+ 14.36 грн
100+ 5.06 грн
1000+ 3.09 грн
2500+ 2.83 грн
10000+ 2.5 грн
20000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.03 грн
46+ 16.15 грн
118+ 6.27 грн
500+ 4.42 грн
1000+ 2.77 грн
5000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 137095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.91 грн
22+ 12.87 грн
100+ 6.29 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 3.42 грн
2000+ 2.97 грн
5000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.53 грн
30000+ 2.39 грн
50000+ 2.15 грн
100000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.42 грн
1000+ 2.77 грн
5000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.9 грн
120+ 2.85 грн
350+ 2.28 грн
970+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.08 грн
100+ 3.56 грн
350+ 2.74 грн
970+ 2.59 грн
10000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2736000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3283
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2361000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.85 грн
50+ 14.97 грн
121+ 6.14 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2922000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.27 грн
115+ 3.11 грн
250+ 2.75 грн
335+ 2.39 грн
925+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 60
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1005000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2422409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.91 грн
22+ 12.87 грн
100+ 6.29 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 858000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.52 грн
70+ 3.87 грн
250+ 3.3 грн
335+ 2.86 грн
925+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
на замовлення 100374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.7 грн
23+ 13.3 грн
100+ 3.88 грн
1000+ 3.29 грн
3000+ 2.43 грн
9000+ 2.04 грн
24000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2181000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2742000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2421000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+ 2.93 грн
9000+ 2.43 грн
30000+ 2.24 грн
75000+ 2.01 грн
150000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 417000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1677000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.12 грн
1000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002BK
Код товару: 73117
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2N7002BKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+14.01 грн
38+ 9.1 грн
55+ 6.27 грн
100+ 4.02 грн
250+ 3.51 грн
423+ 1.89 грн
1163+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
16+16.81 грн
23+ 11.35 грн
33+ 7.52 грн
100+ 4.82 грн
250+ 4.21 грн
423+ 2.27 грн
1163+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.93 грн
1500+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
9000+ 1.76 грн
24000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 841962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.77 грн
24+ 11.71 грн
100+ 5.7 грн
500+ 4.46 грн
1000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
91+3.05 грн
110+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 91
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+2.19 грн
9000+ 1.91 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 5320
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002BK,215NexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1570227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.86 грн
29+ 10.58 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 2.76 грн
3000+ 1.97 грн
9000+ 1.77 грн
24000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4855+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 4855
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.49 грн
77+ 9.66 грн
128+ 5.8 грн
500+ 2.93 грн
1500+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 55
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2174+5.36 грн
2200+ 5.29 грн
3598+ 3.24 грн
5068+ 2.22 грн
6000+ 1.77 грн
15000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 2174
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 826000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+ 2.66 грн
9000+ 2.2 грн
30000+ 2.03 грн
75000+ 1.82 грн
150000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4886+2.38 грн
5034+ 2.31 грн
5173+ 2.25 грн
10000+ 2.12 грн
25000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4886
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+2.62 грн
9000+ 2.4 грн
18000+ 2.24 грн
27000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 4438
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.5 грн
52+ 11.11 грн
116+ 4.83 грн
250+ 4.44 грн
500+ 4.21 грн
1000+ 2.58 грн
3000+ 1.83 грн
6000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.28 грн
33+ 17.83 грн
35+ 16.48 грн
50+ 12 грн
100+ 7.36 грн
250+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN
товар відсутній
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.21 грн
28+ 20.6 грн
50+ 20.22 грн
100+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKSNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
6000+ 2.92 грн
9000+ 2.89 грн
30000+ 2.75 грн
45000+ 2.52 грн
75000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 44339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.92 грн
500+ 5.65 грн
1500+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 254997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
6000+ 4.61 грн
9000+ 3.99 грн
30000+ 3.67 грн
75000+ 3.04 грн
150000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.1 грн
6000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002BKS,115NexperiaMOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88
на замовлення 84813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.38 грн
17+ 18.44 грн
100+ 6.9 грн
1000+ 5.32 грн
3000+ 3.81 грн
9000+ 3.75 грн
45000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.98 грн
59+ 5.82 грн
100+ 4.66 грн
182+ 4.36 грн
500+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
6000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 44339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.85 грн
50+ 15.92 грн
100+ 8.92 грн
500+ 5.65 грн
1500+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
6000+ 4.68 грн
12000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
18+15.57 грн
36+ 7.25 грн
100+ 5.59 грн
182+ 5.23 грн
500+ 4.95 грн
3000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
6000+ 2.71 грн
9000+ 2.68 грн
30000+ 2.56 грн
45000+ 2.34 грн
75000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 18.76 грн
100+ 9.47 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKS.115
Код товару: 109130
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002BKSHNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
товар відсутній
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.25 грн
8000+ 4.42 грн
24000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.22 грн
30+ 9.55 грн
100+ 8.21 грн
135+ 7.23 грн
365+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.16 грн
8000+ 5.8 грн
12000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.68 грн
45+ 7.67 грн
100+ 6.85 грн
135+ 6.03 грн
365+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.33 грн
8000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.97 грн
25+ 28.89 грн
100+ 27.79 грн
250+ 25.66 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 24.5 грн
3000+ 24.44 грн
6000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1198+9.73 грн
1719+ 6.78 грн
4000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 1198
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.73 грн
8000+ 4.76 грн
24000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.66 грн
250+ 8.04 грн
1000+ 5.96 грн
2000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.82 грн
8000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 19.03 грн
100+ 9.61 грн
500+ 7.99 грн
1000+ 6.22 грн
2000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKV,115NexperiaMOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 102823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
15+ 21.16 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 5.72 грн
4000+ 5.65 грн
8000+ 4.93 грн
24000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.15 грн
31+ 19 грн
100+ 9.03 грн
1000+ 6.07 грн
4000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+31.11 грн
376+ 31.03 грн
377+ 30.95 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 27.48 грн
3000+ 26.32 грн
6000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 375
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.22 грн
77+ 9.66 грн
250+ 8.04 грн
1000+ 5.96 грн
2000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 157
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2017+5.77 грн
3364+ 3.46 грн
3572+ 3.26 грн
10000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2017
2N7002BKVLNexperiaMOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 224843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.55 грн
30+ 10.35 грн
100+ 4.6 грн
1000+ 2.83 грн
2500+ 2.56 грн
10000+ 1.77 грн
20000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.77 грн
24+ 11.71 грн
100+ 5.7 грн
500+ 4.46 грн
1000+ 3.1 грн
2000+ 2.69 грн
5000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.54 грн
47+ 12.44 грн
109+ 5.3 грн
1000+ 3.06 грн
2500+ 2.68 грн
10000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+18.58 грн
21+ 12.54 грн
30+ 8.21 грн
100+ 5.04 грн
250+ 4.58 грн
389+ 2.46 грн
1069+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 370mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.48 грн
35+ 10.06 грн
50+ 6.85 грн
100+ 4.2 грн
250+ 3.82 грн
389+ 2.05 грн
1069+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002BKWNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
6000+ 3.48 грн
9000+ 2.88 грн
30000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.6 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 2.33 грн
45000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18088 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
31+8.58 грн
51+ 5.05 грн
250+ 3.91 грн
256+ 3.75 грн
703+ 3.55 грн
1000+ 3.52 грн
3000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.29 грн
500+ 3.7 грн
1500+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.12 грн
41+ 14.34 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 3.68 грн
3000+ 2.3 грн
9000+ 2.14 грн
24000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 18088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+7.15 грн
85+ 4.05 грн
250+ 3.26 грн
256+ 3.13 грн
703+ 2.96 грн
1000+ 2.93 грн
3000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002BKW,115NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+104.01 грн
10+ 62.4 грн
100+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N7002BKW,115NexperiaMOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70
на замовлення 84737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
20+ 15.57 грн
100+ 6.05 грн
1000+ 3.48 грн
3000+ 2.63 грн
9000+ 2.3 грн
24000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+24.17 грн
500+ 24.13 грн
1000+ 23.23 грн
3000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 482
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
18+ 15.27 грн
100+ 7.46 грн
500+ 5.84 грн
1000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+2.83 грн
9000+ 2.68 грн
24000+ 2.54 грн
45000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 4121
2N7002BKW,115NXPN-MOSFET 60V 310mA 275mW 1.6Ω 2N7002BKW NXP T2N7002bkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.07 грн
59+ 12.68 грн
100+ 9.29 грн
500+ 3.7 грн
1500+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 46
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1667+6.99 грн
2831+ 4.11 грн
4190+ 2.78 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 1667
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.51 грн
100+ 21.67 грн
250+ 20.04 грн
500+ 19.21 грн
1000+ 19.18 грн
3000+ 19.15 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N7002CKNexperiaMOSFET
товар відсутній
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002CKNXPN-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
354+1.76 грн
378+ 1.65 грн
409+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 354
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+14.2 грн
60+ 9.68 грн
130+ 4.28 грн
250+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
товар відсутній
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
120+2.33 грн
139+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 120
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
товар відсутній
2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
товар відсутній
2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.73 грн
45+ 8.15 грн
100+ 7.19 грн
120+ 6.71 грн
325+ 6.37 грн
3000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.84 грн
500+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
6000+ 5.97 грн
9000+ 5.36 грн
24000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+ 6.29 грн
9000+ 5.57 грн
30000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW
Код товару: 174754
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.68 грн
30+ 10.15 грн
100+ 8.63 грн
120+ 8.05 грн
325+ 7.64 грн
3000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 234643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.6 грн
30+ 24.84 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
6000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.67 грн
100+ 10.43 грн
500+ 8.67 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
2N7002DWonsemi / FairchildMOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 141932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
15+ 21.46 грн
100+ 9 грн
1000+ 6.9 грн
3000+ 6.05 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 227369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
13+ 23.81 грн
100+ 11.76 грн
1000+ 5.91 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 4.07 грн
24000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DW K72..DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
товар відсутній
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.34 грн
9000+ 3.14 грн
24000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3489
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.37 грн
500+ 4.75 грн
1500+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
9000+ 3.24 грн
24000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
на замовлення 420580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.93 грн
25+ 12.24 грн
100+ 6.05 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 3.02 грн
9000+ 2.76 грн
24000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 179488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.04 грн
19+ 15.13 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.85 грн
1000+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+3.58 грн
9000+ 3.49 грн
24000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3254
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.94 грн
100+ 3.7 грн
250+ 3.26 грн
290+ 2.8 грн
780+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.93 грн
60+ 4.61 грн
250+ 3.91 грн
290+ 3.36 грн
780+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.33 грн
65+ 11.35 грн
100+ 7.37 грн
500+ 4.75 грн
1500+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 49
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 178758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.04 грн
6000+ 3.72 грн
9000+ 3.22 грн
30000+ 2.96 грн
75000+ 2.45 грн
150000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-7-F
Код товару: 143738
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3457+3.37 грн
9000+ 3.17 грн
24000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3457
2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 13063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.62 грн
50+ 14.89 грн
100+ 8.7 грн
1000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.83 грн
11+ 25.81 грн
100+ 15.48 грн
500+ 13.45 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.29 грн
22+ 27.16 грн
100+ 14.51 грн
1000+ 9.9 грн
3000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002DW-GonsemiMOSFET FET 60V 2.0 MOHM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.8 грн
11+ 29.93 грн
100+ 13.34 грн
1000+ 10.06 грн
3000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
6000+ 4.47 грн
9000+ 4.26 грн
15000+ 4 грн
24000+ 3.67 грн
30000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.5 грн
45+ 7.67 грн
100+ 6.71 грн
135+ 6.02 грн
365+ 5.68 грн
3000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.8 грн
30+ 9.55 грн
100+ 8.05 грн
135+ 7.23 грн
365+ 6.82 грн
3000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4099+2.84 грн
6000+ 2.59 грн
12000+ 2.41 грн
18000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 4099
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.49 грн
6000+ 4.13 грн
9000+ 3.58 грн
30000+ 3.29 грн
75000+ 2.73 грн
150000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
на замовлення 38363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
15+ 20.78 грн
100+ 11.24 грн
1000+ 5.85 грн
3000+ 5.32 грн
9000+ 4.6 грн
24000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.19 грн
6000+ 4.15 грн
9000+ 3.96 грн
15000+ 3.71 грн
24000+ 3.4 грн
30000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1223600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.84 грн
100+ 8.49 грн
500+ 6.5 грн
1000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DW1T1GLRCSOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 14849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+ 23.88 грн
100+ 11.76 грн
1000+ 5.98 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 4.07 грн
24000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.22 грн
500+ 6.28 грн
1500+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.37 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
9000+ 5.13 грн
24000+ 4.82 грн
45000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.63 грн
50+ 15.92 грн
100+ 9.22 грн
500+ 6.28 грн
1500+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 104879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
16+ 18.14 грн
100+ 9.17 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 177325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+405.54 грн
50+ 303.67 грн
100+ 282.33 грн
200+ 248.86 грн
1266+ 8.21 грн
1558+ 6.41 грн
2000+ 6.01 грн
3000+ 5.96 грн
6000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
9000+ 5.53 грн
24000+ 5.19 грн
45000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
82+4.53 грн
100+ 3.71 грн
249+ 3.2 грн
683+ 3.02 грн
3000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 82
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 132995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
15+ 20.18 грн
100+ 7.29 грн
1000+ 5.39 грн
3000+ 4.27 грн
9000+ 3.75 грн
24000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 102900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
6000+ 4.46 грн
9000+ 3.86 грн
30000+ 3.56 грн
75000+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
49+5.44 грн
100+ 4.62 грн
249+ 3.84 грн
683+ 3.62 грн
3000+ 3.52 грн
Мінімальне замовлення: 49
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
19+ 16.7 грн
100+ 9.2 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 2.69 грн
24000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 35989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
19+ 15.06 грн
100+ 7.33 грн
500+ 5.74 грн
1000+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
товар відсутній
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+ 3.42 грн
9000+ 2.83 грн
30000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 9879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
13+ 23.43 грн
100+ 13.87 грн
1000+ 7.82 грн
2500+ 7.16 грн
10000+ 5.78 грн
20000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+17.99 грн
59+ 12.53 грн
105+ 7.03 грн
500+ 4.79 грн
1500+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 41
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+ 4.1 грн
9000+ 3.54 грн
30000+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.79 грн
1500+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
на замовлення 214161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
22+ 14.21 грн
100+ 5.85 грн
1000+ 4.6 грн
3000+ 3.61 грн
9000+ 3.42 грн
24000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 42893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.42 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.54 грн
100+ 10.36 грн
500+ 7.93 грн
1000+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+ 5.04 грн
9000+ 4.36 грн
30000+ 4.02 грн
75000+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002EPanasonicMOSFET Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
товар відсутній
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002ESILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002E-T1-E3
товар відсутній
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002ENXPSOT23/SOT323
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EonsemiMOSFET NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товар відсутній
2N7002E,215NexperiaMOSFET TAPE7 MOSFET
товар відсутній
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002E,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
товар відсутній
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
6000+ 2.75 грн
9000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3760+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 3760
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3713+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3713
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 13566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.05 грн
1000+ 2.46 грн
5000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.58 грн
9000+ 1.57 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 4505
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 31158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+14.95 грн
32+ 9.75 грн
100+ 3.81 грн
1000+ 3.22 грн
3000+ 2.3 грн
45000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 21
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.48 грн
23+ 12.05 грн
100+ 5.9 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.39 грн
9000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 4871
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.2 грн
9000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 13566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.97 грн
50+ 14.89 грн
127+ 5.85 грн
500+ 4.05 грн
1000+ 2.46 грн
5000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.54 грн
100+ 3.06 грн
440+ 2.26 грн
1180+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.46 грн
440+ 1.88 грн
1180+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002E-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N7002E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
2N7002E-T1 SOT23-7EVISHAY
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.41 грн
100+ 23.23 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002E-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.5 грн
25+ 33.91 грн
50+ 28.01 грн
100+ 20.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002E-T1-E3VISHAY
на замовлення 187460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 0.24A
на замовлення 424581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+ 24.49 грн
100+ 13.28 грн
1000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VISHAY2006
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товар відсутній
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1394018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1484+7.85 грн
1615+ 7.21 грн
1665+ 6.99 грн
2000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 1484
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 15495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.5 грн
100+ 14.94 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.59 грн
9000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3
Код товару: 167495
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.19 грн
11+ 24.31 грн
25+ 16.59 грн
100+ 9.61 грн
275+ 9.04 грн
3000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.33 грн
18+ 19.51 грн
25+ 13.83 грн
100+ 8.01 грн
275+ 7.53 грн
3000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.8 грн
6000+ 8.04 грн
9000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
9000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 175464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
13+ 23.88 грн
100+ 11.3 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 6.83 грн
99000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N7002EDWT/RPANJITSOT-363 09+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EPT06+ SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
товар відсутній
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+ 3.44 грн
9000+ 2.85 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002EQ-7-FDiodes Inc2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товар відсутній
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
18+ 16.85 грн
100+ 9.27 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 2.76 грн
24000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002ET1
на замовлення 5580315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002ET1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+31.2 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.97 грн
110+ 3.15 грн
250+ 2.83 грн
370+ 2.17 грн
1020+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3704+3.14 грн
4011+ 2.9 грн
4560+ 2.55 грн
5618+ 2 грн
6000+ 1.8 грн
15000+ 1.49 грн
30000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3704
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 60452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.45 грн
75+ 9.88 грн
181+ 4.08 грн
500+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 52
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6850+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 6850
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET1GON-SemicoductorN-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 497582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.93 грн
27+ 10.2 грн
100+ 4.98 грн
500+ 3.89 грн
1000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ET1GonsemiMOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 681718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.11 грн
36+ 8.54 грн
100+ 3.22 грн
1000+ 2.56 грн
3000+ 1.84 грн
9000+ 1.58 грн
24000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 30000
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.23 грн
69000+ 2.03 грн
138000+ 1.89 грн
207000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 5227
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 60452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.17 грн
70+ 3.92 грн
250+ 3.4 грн
370+ 2.6 грн
1020+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 491984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
6000+ 2.32 грн
9000+ 1.92 грн
30000+ 1.77 грн
75000+ 1.59 грн
150000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+7.78 грн
85+ 6.84 грн
94+ 6.14 грн
196+ 2.84 грн
250+ 2.61 грн
500+ 2.31 грн
1000+ 2.03 грн
3000+ 1.65 грн
6000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 75
2N7002ET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002ET7GonsemiMOSFET Small Signal MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23
на замовлення 487246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.26 грн
31+ 9.83 грн
100+ 3.55 грн
1000+ 2.37 грн
3500+ 1.84 грн
7000+ 1.58 грн
24500+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET7GONSТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd.
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
32+8.87 грн
36+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 71943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.51 грн
31+ 8.9 грн
100+ 4.35 грн
500+ 3.41 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.84 грн
90+ 2.99 грн
250+ 2.59 грн
485+ 1.98 грн
1335+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.87 грн
145+ 2.4 грн
250+ 2.16 грн
485+ 1.65 грн
1335+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 66500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+2.27 грн
7000+ 2.03 грн
10500+ 1.68 грн
24500+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3500
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002EWAnBonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 17624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+9.24 грн
45+ 6.16 грн
100+ 3.3 грн
500+ 2.43 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N7002EYAnbon Semiconductor2N7002EY
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16484+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 16484
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
6000+ 1.41 грн
9000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002FPHILIPS0551+
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002FNXP08+ROHS SOT-23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002F,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.475A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
2N7002F,215NexperiaNexperia N-CH TRNCH 60V .475A
товар відсутній
2N7002HNexperiaMOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
товар відсутній
2N7002HSOT23/SOT323
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002HDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
товар відсутній
2N7002H-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1263000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
на замовлення 58746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.55 грн
27+ 11.56 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 2.89 грн
3000+ 2.17 грн
45000+ 2.04 грн
99000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.36 грн
100+ 2.91 грн
420+ 2.32 грн
1140+ 2.19 грн
12000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2319+5.02 грн
2344+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 2319
2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.8 грн
160+ 2.33 грн
420+ 1.93 грн
1140+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 140
2N7002H-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 1115023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.77 грн
24+ 11.5 грн
100+ 5.62 грн
500+ 4.4 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1281000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1269000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 1113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+ 2.62 грн
9000+ 2.17 грн
30000+ 2 грн
75000+ 1.8 грн
150000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.05 грн
54+ 10.79 грн
55+ 10.67 грн
119+ 4.68 грн
250+ 4.16 грн
500+ 3.95 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002H6327Infineon technologies
на замовлення 22270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002H6327XTInfineon TechnologiesSP000868322
товар відсутній
2N7002H6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 35681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.08 грн
20+ 15.34 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 3.75 грн
3000+ 3.22 грн
9000+ 2.5 грн
24000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.08 грн
2863+ 4.07 грн
3349+ 3.48 грн
3530+ 3.18 грн
6000+ 2.77 грн
12000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 2852
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.73 грн
3139+ 3.71 грн
3668+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3125
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 280780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.19 грн
22+ 12.46 грн
100+ 6.07 грн
500+ 4.75 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+19.75 грн
591+ 19.72 грн
592+ 19.68 грн
1000+ 18.95 грн
3000+ 17.52 грн
6000+ 16.79 грн
15000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 590
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 643671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.7 грн
25+ 12.55 грн
100+ 5.39 грн
1000+ 3.81 грн
3000+ 3.02 грн
9000+ 2.5 грн
24000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 140705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.41 грн
46+ 16.07 грн
111+ 6.65 грн
500+ 4.7 грн
1000+ 2.96 грн
5000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3779+3.08 грн
9000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3779
2N7002H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15413 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
46+5.87 грн
100+ 5.22 грн
243+ 3.95 грн
667+ 3.74 грн
1000+ 3.69 грн
3000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 46
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2022+5.76 грн
2902+ 4.01 грн
3876+ 3 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2022
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.37 грн
100+ 17.69 грн
250+ 16.35 грн
500+ 15.67 грн
1000+ 15.64 грн
3000+ 15.62 грн
6000+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 6049
2N7002H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+3.52 грн
9000+ 3.04 грн
24000+ 2.79 грн
45000+ 2.4 грн
99000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3312
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
9000+ 2.83 грн
24000+ 2.59 грн
45000+ 2.22 грн
99000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+ 2.83 грн
9000+ 2.34 грн
30000+ 2.16 грн
75000+ 1.94 грн
150000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.97 грн
55+ 10.57 грн
108+ 5.35 грн
1000+ 3.59 грн
3000+ 2.49 грн
9000+ 2.07 грн
24000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N7002H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
76+4.9 грн
100+ 4.19 грн
243+ 3.29 грн
667+ 3.11 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 76
2N7002H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 140705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.07 грн
111+ 6.65 грн
500+ 4.7 грн
1000+ 2.96 грн
5000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002HRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.05 грн
55+ 13.64 грн
100+ 8.04 грн
500+ 5.06 грн
1000+ 2.45 грн
5000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 37
2N7002HRNEXPERIA2N7002H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 29888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+1.6 грн
Мінімальне замовлення: 192
2N7002HRNexperia USA Inc.Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
6000+ 2.24 грн
9000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2600+4.48 грн
3732+ 3.12 грн
4644+ 2.51 грн
9000+ 2.01 грн
24000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 2600
2N7002HRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.06 грн
1000+ 2.45 грн
5000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HRNexperia USA Inc.Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.93 грн
28+ 9.86 грн
100+ 4.82 грн
500+ 3.77 грн
1000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002HRNexperiaMOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 64458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.86 грн
26+ 12.02 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 3.02 грн
3000+ 2.5 грн
9000+ 1.97 грн
24000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002HRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+14.91 грн
75+ 7.72 грн
141+ 4.12 грн
1000+ 2.77 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.64 грн
24000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 39
2N7002HSNexperiaMOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88
товар відсутній
2N7002HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.17 грн
17+ 16.43 грн
100+ 8.27 грн
500+ 6.33 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7002HSXNexperiaMOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
17+ 18.06 грн
100+ 8.94 грн
1000+ 4.53 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.09 грн
24000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7002HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.32 грн
500+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N7002HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2N7002HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.57 грн
38+ 19.91 грн
100+ 10.32 грн
500+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7002HSXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
2N7002HV-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.64 грн
27+ 10.27 грн
100+ 5 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002HV-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002HV-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній