НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SAWELLER EREMDescription: WELLER EREM - 2SA - Pinzette, Präzisionspinzette, gerade, spitz, Edelstahl, 115mm
tariffCode: 82032000
productTraceability: No
Pinzettenmaterial: Edelstahl
Pinzettentyp: Präzision
rohsCompliant: NA
Pinzettenspitzenmaterial: Edelstahl
euEccn: NLR
Pinzettenspitze: Gerade, spitz
Gesamtlänge: 115mm
hazardous: false
Ausführung der Spitzen: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.25 грн
2SAWellerTools and Accessories, Access Tweezer And Anti-Magnetic And Fine Point
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.68 грн
2SAApex Tool GroupPliers & Tweezers Erem 4.5" Tweezer Anti-Magntic Fine Pt
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2244.7 грн
2SAApex Tool GroupDescription: TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50"
товар відсутній
2SAWELLERWEL.2SA Precision Tweezers
товар відсутній
2SA(MSA)1162GT1MOT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA00025C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA06830RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92L
товар відсутній
2SA06840RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA06840SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA07200RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A TO-92
товар відсутній
2SA07200RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A TO-92
товар відсутній
2SA0720ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 70V 0.5A TO-92
товар відсутній
2SA0720ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 70V 0.5A TO-92
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA07770QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92L
товар відсутній
2SA07770RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92L
товар відсутній
2SA07940RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 0.5A TO-126
товар відсутній
2SA0794ARPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній
2SA08790QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO-92L
товар відсутній
2SA08850RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 1A TO126B-A1
товар відсутній
2SA08860QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A TO-126
товар відсутній
2SA09000RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 18V 1A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній
2SA09140RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній
2SA0963Panasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A TO126A-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126A-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SA100NECCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1001TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1002TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1003TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1006B-AZRenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SA1007TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1007A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1008(4)-S6-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 286
2SA1008-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: MP-25
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 25668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 286
2SA1008-YOFSC
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+107.5 грн
Мінімальне замовлення: 183
2SA1009-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SA1009ANECTO-220
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009A
Код товару: 168655
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1009ANEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009ANECTO-220F
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA101NECCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA101N/A
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1010(0)-S12-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1010(05)-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SA1010-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1011
Код товару: 152622
SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220C
fT: 100 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 1,15 A
товар відсутній
2SA1012Toshiban/a
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012
Код товару: 30147
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 60 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 5 А
h21,max: 240
у наявності 56 шт:
7 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.5 грн
10+ 20.9 грн
2SA1012HTC10+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1012-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
2SA1012-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1012-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1012-YToshibaBipolar Transistors - BJT Pb 220AB2 PLS PLN-N,DISCON(03-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(07-07),DISCON-->2007-04-27
товар відсутній
2SA1012-YTOS09+
на замовлення 16648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012LUTC05+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012L-TM3-RUTC07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012L-TN3-RUTC07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012RDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 15 W
товар відсутній
2SA1012RDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 70...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SA1012RDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, -50V, -5000mA, PNP
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.02 грн
10+ 89.21 грн
100+ 46.61 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 44.62 грн
2500+ 39.45 грн
5000+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SA1012RDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 70...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
товар відсутній
2SA1013YANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 60...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
товар відсутній
2SA1013YANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 60...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SA1013LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
на замовлення 9537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.87 грн
23+ 15.26 грн
46+ 7.66 грн
100+ 4.01 грн
250+ 3.61 грн
290+ 2.76 грн
797+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1013LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9537 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.05 грн
14+ 19.02 грн
28+ 9.19 грн
100+ 4.82 грн
250+ 4.33 грн
290+ 3.32 грн
797+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1013 (KSA1013); биполярный; PNP; 160V; 1A; 0,9W; 50Mhz; Корпус: TO-92L; KEC (Korea)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
110+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 110
2SA1013-OTOSHIBA07+ TSOP
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-OKESENES09+
на замовлення 35334 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-O,T6MIBF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-O-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-O-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Mod Bulk
товар відсутній
2SA1013-R-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-Y
Код товару: 30631
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 50 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 1 А
h21,max: 200
у наявності 693 шт:
462 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
173 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
2SA1013-Y(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-Y-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1013-YO
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 150mA; 400mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power: 0.4W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 80MHz
товар відсутній
2SA1015Lumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS PNP ECB -150mA -50V TO-92
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+18.54 грн
40+ 15.3 грн
60+ 13.78 грн
100+ 11.49 грн
200+ 10.18 грн
500+ 8.98 грн
1000+ 7.36 грн
2000+ 5.06 грн
3000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1015EVVODescription: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
2SA1015HT Jinyu SemiconductorTransistor (PNP)
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2SA1015EVVODescription: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
2SA1015(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GRToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1015-GRTOSHIBA0918+ TO-92
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GRTOS08+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GR(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-GR(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GR(TE2,F,TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1015-GR(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-GR(TE2FTToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-GR(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),
товар відсутній
2SA1015-GR(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товар відсутній
2SA1015-GR-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1015-GR-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2SA1015-GR-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
на замовлення 19789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.58 грн
11+ 28.52 грн
100+ 16.91 грн
500+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1015-GR-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-GR-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1015-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-GRY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-OMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR
товар відсутній
2SA1015-O(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-O(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1015-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-TIB
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-YToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1015-Y(F)TOSHIBATO92
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-Y(TE2)TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товар відсутній
2SA1015-Y(TE2,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1015-Y(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1015-Y(TPE2,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 21000
2SA1015-Y-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2SA1015-Y-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2SA1015-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
товар відсутній
2SA1015-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1015-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-Y-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1015-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1015-Y/GRTOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-YT2SPTTOS07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015GR
Код товару: 25436
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 200...400
у наявності 239 шт:
190 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+5 грн
10+ 4.5 грн
100+ 4.1 грн
2SA1015LT1 BASOT23/SOT323
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015OTE2TToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товар відсутній
2SA1015Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015Y
Код товару: 108505
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
у наявності 5 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+5 грн
2SA1015YLEADFREE(BULK)TOSHIBA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1016KG
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1016KGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.05A 400mW 3-Pin NP
товар відсутній
2SA1016KG-AAonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SA1016KG-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1016KG-AA - 2SA1016KG-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2671+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 2671
2SA1018PanasonicTO-92
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10180RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
2SA10180RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
2SA1019
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA102NECCAN
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020
Код товару: 36910
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
h21,max: 240
у наявності 352 шт:
236 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10 грн
10+ 8 грн
2SA1020onsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товар відсутній
2SA1020LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
85+3.3 грн
115+ 2.34 грн
500+ 2.03 грн
585+ 1.65 грн
1605+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1020Transistor 2SA1020
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2SA1020ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.75 грн
185+ 1.88 грн
500+ 1.69 грн
585+ 1.37 грн
1605+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1020onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O(F,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-O(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O,CKF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-O,CKF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O,F(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-O,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O,T6CSF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-O,T6CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020-YTOSHIBA2007 TO-92
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020-Y(6MBH1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(6MBH1,AFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(F,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(HIT,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(HIT,F,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(ND1,AF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(ND1,AF)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CANO,CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(10-04),
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CANOAFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CANOAFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CANOFMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CANOFMToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CN,A,FToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6CN,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6FJT,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6FJT,AFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6ND1,AFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6ND1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6ND3,AFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6ND3,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6OMI,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6OMI,FMToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TOJ,FMToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TOJ,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TR,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TR,A,FToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TR1,AFToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y(T6TR1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1020-Y(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92
товар відсутній
2SA1020-Y(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP -50V -2A 900mW
товар відсутній
2SA1020-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1020-Y(TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,
товар відсутній
2SA1020-Y,F(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,F(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,HOF(MToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,HOF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,T6F(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,T6F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,T6KEHF(MToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,T6KEHF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,T6NSF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,T6NSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y,T6WNLF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020-Y,T6WNLF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020-Y-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 Mod Bulk
товар відсутній
2SA1020-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors
товар відсутній
2SA1020-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020A,NSEIKIF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020A,NSEIKIF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020A,T6CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020A,T6CSF(JToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1020GonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товар відсутній
2SA1020GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020L-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020L-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020L-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020L-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020L-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020L-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020L-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020L-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1020RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товар відсутній
2SA1020RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1020RLRA - 2SA1020RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2SA1020RLRAON Semiconductor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020RLRAonsemiDescription: TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 41940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1665
2SA1020RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товар відсутній
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2SA1020RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1020RLRAG - TRANSISTOR, PNP, -50V, -2A, TO-92-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SA1020YTOSHIBA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1022-Bpanasonic09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1022-B(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 20VCEO 30MA MINI-3P
товар відсутній
2SA1022-C(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 20VCEO 30MA MINI-3P
товар відсутній
2SA10220BLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA10220BLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA10220CLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA10220CLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1023
Код товару: 35499
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1024
Код товару: 153273
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності 33 шт:
23 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+18 грн
2SA1024NECCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA103NECCAN
на замовлення 843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1034-SPANSOT-23
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1034-TF.TPANASONIC94+ SOT-23
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10340SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 0.05A MINI-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA10340SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 0.05A MINI-3
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1035PANASONIC
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-RT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-R<TX>PANASONICSOT23
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-S/HSPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10350SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.05A MINI-3
товар відсутній
2SA10350SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.05A MINI-3
товар відсутній
2SA1036LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 82...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
85+3.27 грн
125+ 2.07 грн
500+ 1.78 грн
570+ 1.7 грн
1565+ 1.6 грн
3000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1036LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 82...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.72 грн
210+ 1.66 грн
500+ 1.48 грн
570+ 1.42 грн
1565+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1036 T146RROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-P-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036-QROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036-RROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036/RROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036AKROHM09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHMSOT23/
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHM
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1036KROHM99+ SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT23
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K-QROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K-RROHMSOT23
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K/RROHMSOT-23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KFRAT146ROHMDescription: ROHM - 2SA1036KFRAT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.42 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1036KFRAT146ROHMDescription: ROHM - 2SA1036KFRAT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.21 грн
61+ 12.2 грн
121+ 6.17 грн
500+ 4.42 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 46
2SA1036KFS T146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1036KT146PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036KT146P
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SA1036KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036KT146QROHMDescription: ROHM - 2SA1036KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.89 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1036KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+10.77 грн
1104+ 10.41 грн
2500+ 10.11 грн
5000+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 1068
2SA1036KT146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146QROHMDescription: ROHM - 2SA1036KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.22 грн
35+ 21.49 грн
100+ 9.89 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 28
2SA1036KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+10.77 грн
1104+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 1068
2SA1036KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.5A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.94 грн
13+ 23.56 грн
100+ 11.14 грн
1000+ 7.76 грн
3000+ 6.7 грн
9000+ 6.1 грн
24000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA1036KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.97 грн
14+ 20.93 грн
100+ 12.57 грн
500+ 10.92 грн
1000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1036KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SA1036KT146RROHMSOT-23
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.5A
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.94 грн
13+ 23.56 грн
100+ 11.14 грн
1000+ 7.76 грн
3000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA1036KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1036KT146RROHM10+ SOT-23
на замовлення 147800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SA1036KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SA1036KT146R
Код товару: 119370
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1036KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1547+7.43 грн
1553+ 7.4 грн
1906+ 6.03 грн
2039+ 5.44 грн
3000+ 5 грн
6000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 1547
2SA1036KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.97 грн
14+ 20.93 грн
100+ 12.57 грн
500+ 10.92 грн
1000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1036KT146S
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.75 грн
210+ 1.67 грн
500+ 1.5 грн
655+ 1.23 грн
1795+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1037LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
85+3.3 грн
125+ 2.08 грн
500+ 1.8 грн
655+ 1.47 грн
1795+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1037-QYangjie Electronic Technology2SA1037-Q
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 11905
2SA1037-QYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.64 грн
225+ 1.27 грн
500+ 1.1 грн
1100+ 0.88 грн
3000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 125
2SA1037-QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.05 грн
15000+ 0.95 грн
30000+ 0.88 грн
60000+ 0.77 грн
120000+ 0.71 грн
300000+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-QYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.2 грн
350+ 1.02 грн
500+ 0.92 грн
1100+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 175
2SA1037-Q-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1037-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товар відсутній
2SA1037-RYangjie Electronic Technology2SA1037-R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 15307
2SA1037-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2SA1037-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товар відсутній
2SA1037-RYangjie TechnologyDescription: SOT-23 PNP 0.2W -0.15A -60V Tran
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.92 грн
15000+ 0.82 грн
30000+ 0.76 грн
60000+ 0.65 грн
120000+ 0.59 грн
300000+ 0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-R-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1037-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товар відсутній
2SA1037-R-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2SA1037-SYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товар відсутній
2SA1037-SYangjie Electronic Technology2SA1037-S
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13393+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 13393
2SA1037-SYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 270...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
2SA1037-SYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.98 грн
15000+ 0.88 грн
30000+ 0.82 грн
60000+ 0.71 грн
120000+ 0.65 грн
300000+ 0.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-S-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1037/2SC2412ROHMSOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/2SC2412??ROHMSOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/FQROHM
на замовлення 69371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/RROHMSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/SROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AROHM09+
на замовлення 149018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037A/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHM09+
на замовлення 192038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SA1037AKROHMSOT23/
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHM
на замовлення 49100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHMSOT23
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHMSOT23
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146RROHMSOT23-FR PB-FREE
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146R SOT23-FRROHM
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT23-FS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT-23 0435+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-QROHM07+ SOT-23
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-RROHM06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-R/2SA1037K-RROHM00+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-SROHM06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-T146-RROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-T146RROHMSOT23
на замовлення 18780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/FQROHM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/FR
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/QROHMSOT-23
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/R/X
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/SROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK146RROHMSOT23
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK<T146Q>ROHMSOT23
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFROHMSOT23
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKF-QROHMSOT23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKF-QROHM09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFRROHM00+ 23
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFSROHMSOT23
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKLT1LRC02+ SOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKQLT1GLRCSOT23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRTOSHIBA00+ SOT23
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRLT1LRCSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRLT1/2SA1037AK-RLRC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT-146QROHM 
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
6000+ 2.77 грн
9000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037AKT146QROHMSOT-23 03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1578+7.29 грн
1583+ 7.27 грн
1946+ 5.91 грн
2081+ 5.33 грн
3000+ 4.9 грн
6000+ 4.68 грн
12000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 1578
2SA1037AKT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 6963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.11 грн
23+ 13.57 грн
100+ 4.84 грн
1000+ 3.38 грн
3000+ 2.59 грн
9000+ 2.19 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1037AKT146Q
Код товару: 177681
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+7.99 грн
1487+ 7.73 грн
2500+ 7.5 грн
5000+ 7.04 грн
10000+ 6.36 грн
25000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1439
2SA1037AKT146QROHMSOT-23
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.44 грн
140+ 2.87 грн
400+ 2.11 грн
1060+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.65 грн
23+ 12.16 грн
100+ 5.95 грн
500+ 4.66 грн
1000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1037AKT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+4.12 грн
100+ 3.58 грн
400+ 2.53 грн
1060+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 80
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+7.99 грн
1487+ 7.73 грн
2500+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 1439
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+2.79 грн
6000+ 2.55 грн
12000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 4121
2SA1037AKT146RROHMSOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.44 грн
140+ 2.87 грн
400+ 2.09 грн
1060+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 120
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
6000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037AKT146RROHM
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RROHM11+ SOT-23
на замовлення 193360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMD T/R
на замовлення 67560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1633+7.04 грн
1640+ 7.01 грн
2017+ 5.7 грн
2156+ 5.14 грн
3000+ 4.73 грн
6000+ 4.52 грн
12000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 1633
2SA1037AKT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+4.12 грн
100+ 3.58 грн
400+ 2.51 грн
500+ 2.5 грн
1060+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 80
2SA1037AKT146RROHMDescription: ROHM - 2SA1037AKT146R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: -°C
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.16 грн
50+ 15.02 грн
127+ 5.9 грн
500+ 4.09 грн
1000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 34
2SA1037AKT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 22990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.11 грн
23+ 13.57 грн
100+ 4.84 грн
1000+ 3.38 грн
3000+ 2.59 грн
9000+ 2.39 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.65 грн
23+ 12.16 грн
100+ 5.95 грн
500+ 4.66 грн
1000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1037AKT146RROHMSOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146R
Код товару: 27962
RohmТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 140 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 560
у наявності 25 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+3.5 грн
10+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1037AKT146SRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.67 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.65 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1037AKT146SROHM00+
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146SROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.91 грн
18+ 17.46 грн
100+ 6.23 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.32 грн
9000+ 2.85 грн
24000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1037AKT146SRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1037AKT146SROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146SSOT23-FSROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037ALFS T146RROHMSOT23
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037ARROHM
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHMSOT23/
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHMSOT23
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K FRLT146RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K HRLT146RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-QROHMSOT23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-RROHMSOT-23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K/FQ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K/FS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KFS T146QROHMSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KKROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNT146RROHM
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KMCT146R/FRROHM
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KT146
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KT146RROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SA1037KT147RROHM00+
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K\FQROHMSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037RROHM09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037RT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146ROHM01+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146SROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1038
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1038SROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SA1038STPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SA1038STPRRohm SemiconductorDescription: TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3-PI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
2SA1038STPRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3PIN
товар відсутній
2SA1038STPSRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.05A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
2SA1038STPSROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3PIN
товар відсутній
2SA104NECCAN
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1040FUJITSU
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1040TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1041TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1042TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1043TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1044TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1045TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1046TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1046 (KA1046)
Код товару: 29977
NECТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 15 A
Примітка: Дарлінгтон
товар відсутній
2SA1046 (KTA1046); биполярный; PNP; 60V; 3A; 20W; 30Mhz; Корпус: TO-220FP; KEC (Korea)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
36+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 36
2SA1048
Код товару: 153275
SecosТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92S
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 400
у наявності 85 шт:
72 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44 грн
10+ 39.6 грн
2SA1048
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1048(T4MATT)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1048-GRToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товар відсутній
2SA1048-GR(F)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1048-GR(T4PAIKFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F N-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товар відсутній
2SA1048-GR(T4PAIOKToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1048-GR(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1048-GR-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1048-GR-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1048-GR-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1048-GR-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1048-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1048-YToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1048-Y(TP4SONY)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON,DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-01),
товар відсутній
2SA1048-Y(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1048-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1048-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1048-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1048-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1049-GR(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),
товар відсутній
2SA1050ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1051TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1051ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052HITACHI
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCHITACHISOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MC2LHITACHISOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTL SOT23-MCHITACHI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTRHITACHISOT23/SOT323
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-MPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1052MDTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 30V 0.1A 3MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-MPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1052MDTR-ERENESASSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1060NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1061NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1062NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1063A-T111-1RSOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1067TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1068TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1069NECPNP 5A 80V 30W 50MHz 2SA1069 T2SA1069
кількість в упаковці: 89 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
89+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 89
2SA1069ANEC00+ TO220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1069A-Z-E1RenesasTrans GP BJT PNP 80V 5A 1500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товар відсутній
2SA1072TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1072ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1073TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1074TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1075
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1075
Код товару: 140381
SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 12 А
у наявності 7 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39 грн
2SA1079TOS00+ TO220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1083-D-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1083-D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1083-D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1083-D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1083-E-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1083-E-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1083-E-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1083-E-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1084ETZRenesas Electronics AmericaDescription: TRANS PNP 90V 0.1A TO-92
товар відсутній
2SA1084ETZ-ERenesas Electronics AmericaDescription: TRANS PNP 90V 0.1A TO-92
товар відсутній
2SA1084ETZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Box
товар відсутній
2SA1085
Код товару: 87213
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1085EHITACHI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1090TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091TOSHIBATO-92
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-0?T2SONY,F?TOSHIBATO92
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-OToshiba
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-O(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10),
товар відсутній
2SA1091-O(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товар відсутній
2SA1091-R(TPE2,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 300V 0.1A TO-92
товар відсутній
2SA1091-R(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Bipolar Small Signal Transistors
товар відсутній
2SA1093TOS00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1094TOS00+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1094TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1095TOS00+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1095TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1096SANKEN00+ TO126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10960QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-126
товар відсутній
2SA10960RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-126
товар відсутній
2SA1096AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126
товар відсутній
2SA110TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1102
Код товару: 160964
SankenТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
fT: 20 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 6 А
h21,max: 50
товар відсутній
2SA1104
Код товару: 160967
SankenТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності 8 шт:
8 шт - склад
1+36 грн
2SA1105SK2002 TO-3PH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1106SK2002 TO-3PH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1109TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA111TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11100QPanasonicPanasonic
товар відсутній
2SA11100QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній
2SA1115
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1116TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1117TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA112TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1120TOS00+ Z-8HIA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121CTLHITACHISOT23-SC
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121CTL SOT23-SCHITACHI
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SCTL-ERENESASSOT23/SOT323
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SCTLSOT23-SCHITACHI
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SCTRHITSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CCHITACHISOT23
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CCTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CCTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CDHITACHI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CDTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SA1122CDTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1123
Код товару: 153274
PanasonicТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+14 грн
2SA11230RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
2SA11230RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
2SA1124KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11240RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA11240RPanasonicPanasonic
товар відсутній
2SA1126TO-39
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11270RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.1A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
2SA1129
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA113TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1133
Код товару: 58042
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1133NEC00+ TO220AB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1133-P
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1142-Y
Код товару: 169296
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1145-O
Код товару: 112787
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
товар відсутній
2SA1145-O (TE6,F,M)ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1145-O (TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1145-O(T6HMN,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F PLS-PW,PRE-ACTIVE,
товар відсутній
2SA1145-O(T6HMN,FMToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,
товар відсутній
2SA1145-O(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1145-O(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor PNP 150V 0.05A
товар відсутній
2SA1145-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1145-O(TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor PNP, -140V, -0.05A, TO-92MOD
товар відсутній
2SA1145-O(TPE6F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1145-O,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1145-O,T6F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1145-OTPE6CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товар відсутній
2SA1145-Y
Код товару: 112786
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності 67 шт:
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+13.5 грн
2SA1145-Y(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 37700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1145-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1145-Y,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA115TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1150-O(T4PAIO-KToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1150-Y(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1152
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1152-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 29741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 854
2SA1156NECPNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1156NECPNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SA1156-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA1156-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SA1156-M(KM)
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1156-Y
Код товару: 112789
NECТранзистори > Біполярні PNP
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20 грн
2SA116TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1160
Код товару: 184995
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності 8 шт:
8 шт - склад
1+11 грн
2SA1160-B (TE6,F,M)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1160-B (TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1160-B(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1160-B(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 10V 2A Transistor
товар відсутній
2SA1160-B(TE6FM)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1162
Код товару: 27587
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 400
товар відсутній
2SA1162ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1162-GATOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1162-GRTOSHIBAS-MINI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRTOSHIBA
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 32428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GR LXHFToshibaToshiba SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товар відсутній
2SA1162-GR(T5L,F,T)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR(T5L,F,T)TOSHIBA0750+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...400
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
2SA1162-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...400
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
товар відсутній
2SA1162-GR(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS
товар відсутній
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.48 грн
35+ 7.94 грн
100+ 4.25 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.82 грн
9000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 122892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.22 грн
34+ 9.23 грн
100+ 3.32 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 1.72 грн
9000+ 1.52 грн
24000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.37 грн
2713+ 4.24 грн
5000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 2632
2SA1162-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXGF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+ 4.17 грн
9000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товар відсутній
2SA1162-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.3 грн
17+ 18.83 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.71 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
17+ 16.99 грн
100+ 8.56 грн
500+ 6.56 грн
1000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товар відсутній
2SA1162-GR-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2SA1162-GR-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162-GRLXGF(BToshibaToshiba X34 PB-F N-CHANNEL SOT23F S-MO
товар відсутній
2SA1162-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-O LXHFToshibaToshiba SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товар відсутній
2SA1162-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1162-O,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.48 грн
35+ 7.94 грн
100+ 4.25 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-O,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 19028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.22 грн
35+ 8.77 грн
100+ 3.25 грн
1000+ 1.92 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.33 грн
45000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-O,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.3 грн
17+ 18.83 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
17+ 16.99 грн
100+ 8.56 грн
500+ 6.56 грн
1000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товар відсутній
2SA1162-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162-YTOSHIBAN/A 04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBASOT23-SY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHSOT25/
на замовлення 17948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBA10+ROHS SOT-23
на замовлення 150929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBASOT23
на замовлення 107750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHSOT23
на замовлення 20481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1162-YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBA06+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y LXHFToshibaToshiba SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товар відсутній
2SA1162-Y(T5L,F,T)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y(T5LCANOF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(T5LND,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(T5RTORKF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L,F)TOSHIBA1221+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y(TE85LF)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI 50V .15A PNP EPITAXIAL
товар відсутній
2SA1162-Y(TE85LЈ©TOSHIBATOSHIBA
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85R,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y(TLSPF,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM SIG POWER TRANS
товар відсутній
2SA1162-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 21133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.22 грн
39+ 8.01 грн
100+ 3.25 грн
1000+ 1.92 грн
3000+ 1.59 грн
9000+ 1.26 грн
24000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.48 грн
35+ 7.94 грн
100+ 4.25 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.82 грн
9000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162-Y,LXGF(TToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2768+4.15 грн
2783+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 2768
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+ 4.17 грн
9000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.3 грн
17+ 18.83 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 3.98 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.1 грн
17+ 16.99 грн
100+ 8.56 грн
500+ 6.56 грн
1000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товар відсутній
2SA1162-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товар відсутній
2SA1162-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162-YLXGF(TToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1162-YTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1162GRTOSHIBA07+ SOT-23
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162GRNEC10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162GRT5LTDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1162GRT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товар відсутній
2SA1162GT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 15000
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1162S-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1162S-GR,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162S-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162S-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1162YSOT-23
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YN/A09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162Y(SY)TOSHIBA
на замовлення 35370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 15000
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1163TOSHIBASOT-23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1163-BLTOSHIBASOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163-BL(5LGH,FTToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1163-BL(TE85R)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 50141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.52 грн
20+ 13.95 грн
100+ 6.8 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+ 3.17 грн
9000+ 2.63 грн
30000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-BL,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 185383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.05 грн
20+ 15.55 грн
100+ 5.5 грн
1000+ 3.85 грн
3000+ 3.05 грн
9000+ 2.52 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR(T5L,F,TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.88 грн
22+ 14.18 грн
100+ 5.04 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.78 грн
9000+ 2.25 грн
24000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.36 грн
22+ 12.78 грн
100+ 6.24 грн
500+ 4.88 грн
1000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+12.25 грн
974+ 11.81 грн
1007+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 939
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 21231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2011+5.72 грн
2203+ 5.22 грн
2573+ 4.47 грн
2713+ 4.09 грн
3000+ 3.76 грн
6000+ 3.38 грн
12000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 2011
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
товар відсутній
2SA1163-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1163-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA11630BLTOSHIBASOT23
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA117TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1171PEPHILIPS02+
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1171PETR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173NEC
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T1NECSOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T2KEC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T2/PLNEC
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174NEC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174 TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1175 (F94M)
Код товару: 185050
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 180 MHZ
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,1 A
товар відсутній
2SA1175-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SA1175-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SA1178SK00+ TO126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1178M5-TB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179NECSOT23
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-6-TB-ESanyoDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SA1179-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1179-7-TB
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-M5-TBSANYOSOT-23 92+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-M6SOT223-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179/M6SANYOSOT-23
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M5SANYOSOT-23
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TASANYOSOT23-M6
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TA SOT23-M6SANYO
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TASOT23-M6SANYO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6\M6SANYOSOT-23
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M7-TBSANYO
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M7-TBSANYO09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPASANYO07+ SOT-23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPA-TBSONYOSOT23
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1179N6-CPA-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SA1179N6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2SA1179N6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA118TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1180N/A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182ROHM09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1182-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.05 грн
20+ 15.55 грн
100+ 5.5 грн
1000+ 3.85 грн
3000+ 3.05 грн
9000+ 2.52 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.52 грн
20+ 13.95 грн
100+ 6.8 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LF(BToshiba2SA1182-GR,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.37 грн
2713+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 2632
2SA1182-OTOSHIBASOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O TE85RTOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товар відсутній
2SA1182-O(TE85R)TOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O(TE85R) SOT23-ZTOSHIBA
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-YTOSHIBASOT23
на замовлення 93032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(T5L,F,T)TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
2SA1182-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -30V S-Mini -0.5A -0.25V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1182-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.05 грн
19+ 16.09 грн
100+ 8.82 грн
1000+ 3.98 грн
3000+ 3.38 грн
9000+ 2.59 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1186Sanken Electric Co.Trans GP BJT PNP 150V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
2SA1186Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 10A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.51 грн
10+ 159.05 грн
100+ 128.69 грн
500+ 107.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1186
Код товару: 168261
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1186Sanken Electric Co.Trans GP BJT PNP 150V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
2SA119NECCAN
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA119NEC/TOS
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1190DTZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 110472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1475+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1475
2SA1194KVRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2SA1197SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1198TO-92
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA12HARRISCAN
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA120NECCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1200-Y(T2LHM,CF)ToshibaTrans GP BJT PNP 150V 0.05A 800mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 80...240
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+39.55 грн
13+ 20.29 грн
26+ 9.77 грн
100+ 5.13 грн
250+ 4.62 грн
271+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1201ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1201LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 80...240
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
22+ 16.28 грн
43+ 8.14 грн
100+ 4.27 грн
250+ 3.85 грн
271+ 2.97 грн
500+ 2.96 грн
744+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1201TOSHIBA
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1201KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1201-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SA1201-O-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1201-O-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1201-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1201-Y(T2RTORIF)TOSHIBASOT89
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1201-Y(TE12L,CFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A SC-62
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,CF)ToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.71 грн
10+ 27.69 грн
100+ 19.26 грн
500+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+20.9 грн
571+ 20.15 грн
1000+ 19.49 грн
Мінімальне замовлення: 551
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS POWER
на замовлення 29179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.66 грн
10+ 30.88 грн
100+ 20.09 грн
500+ 15.78 грн
1000+ 11.34 грн
2000+ 10.48 грн
10000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1201-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+18.17 грн
636+ 18.08 грн
780+ 14.75 грн
1000+ 13.29 грн
2000+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 633
2SA1201-Y(TE12R,C)TOSHIBASOT89
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1201-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors
товар відсутній
2SA1201-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1201-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA1201-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1201Y
Код товару: 62191
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1202TOSHIBASOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1202TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1202-YTOSHIBA
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1202-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1202-YTOSHIBASOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1202-Y(C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1202-Y(T2LCRYDCToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
2SA1202-Y(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товар відсутній
2SA1203TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1203KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1203TOSHIBASOT89
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1203-0TOSHSOT223
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1203-Y(TE12L,CFToshibaTrans GP BJT PNP 30V 1.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1203-Y(TE12R,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товар відсутній
2SA1204-YTOSHIBA
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1204-YN/A09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1204-YKESENES09+
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1204-Y(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товар відсутній
2SA1204-Y(TE12L,CFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F PW-MINI-PLN,ACTIVE,
товар відсутній
2SA1206
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1207S-AASanyoDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SA1207S-AAMitsubishi
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1207S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1207TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
2SA1207T-AASanyoDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SA1207T-AAON SemiconductorTrans GP BJT Transistor
товар відсутній
2SA1207T-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2671+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 2671
2SA1208
Код товару: 31513
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,07 A
h21,max: 400
товар відсутній
2SA1208
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1208SSANYOTO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1208SSanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
товар відсутній
2SA1208S-AEonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SA1208S-AESanyoDescription: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SA1208S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2466
2SA1208S-JVC-AESANYO09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1208S-JVC-AEonsemionsemi
товар відсутній
2SA1208S-JVC-AEonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
2SA1208TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 1527
2SA1208TSanyoDescription: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SA1208TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SA1208T-AESANYO00+
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1208T-JVC-AEonsemionsemi
товар відсутній
2SA1209
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1209
Код товару: 104550
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2SA1209 S
Код товару: 152201
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 150 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+64 грн
2SA1209SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товар відсутній
2SA1209SonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SA1209SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1002
2SA120ANECCAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA121N/A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA121NECCAN
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1210KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1210-YTOSHIBASOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1210-YTE12L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213TOSSOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213TOSHIBA09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213TOS05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1213KEXIN09+
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213-OTOSHIBASOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SA1213-Y (2SA1213)
Код товару: 51816
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SC-62
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 240
товар відсутній
2SA1213-Y(TE12L,C)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1213-Y(TE12L,C)TOSHIBASOT89
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1213-Y(TE12L,CFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1213-Y(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1213-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1213-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1213-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1213-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1213-Y(TE12L.CFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній
2SA1213-Y(TE12LZCToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1213-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.77 грн
14+ 21.88 грн
100+ 10.61 грн
1000+ 7.16 грн
2000+ 6.96 грн
10000+ 5.7 грн
25000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1213-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.54 грн
15+ 19.68 грн
100+ 11.82 грн
500+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1213-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1213-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1213-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1214
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1215
Код товару: 112784
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
fT: 50 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 15 A
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+138 грн
2SA1215Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 160V 15A MT-200
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: MT-200
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2SA1216SANKENCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 17A; 200W; MT200
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 17A
Power dissipation: 200W
Case: MT200
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
товар відсутній
2SA1216Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 180V 17A MT-200
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8A, 4V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: MT-200
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
2SA1216
Код товару: 37869
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1216Y
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA122NECCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1220NEC09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1220AFSC09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1221-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
977+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 977
2SA1221-T-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
977+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 977
2SA1222-T-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 680
2SA1223NEC+/DC
на замовлення 274747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1223+/NEC
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1224NEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1224NECCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1224ANEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1225
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1225
Код товару: 116050
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1225ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1225-Y
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1225-Y(6L1DE,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(6L1MK,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(6L1PE,NXToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(6L1ST,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PWMOLD PLS PLN-N,ACTIVE,DISCON(09-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товар відсутній
2SA1225-Y(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 160V 1.5A PW-MOLD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SA1225-Y(T6L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(T6L1,NV)ToshibaToshiba
товар відсутній
2SA1225-Y(T6L1PENQToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1225-Y(T6L1Ј¬NQ)TOS07PB
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1225-Y(T6LTOYOGToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SA1226-E3NEC01+ SOT-23
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1226-T1BNECSOT-23
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1226-T1BNECSOD323
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1226-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 5831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1226-T1B-ARenesasTrans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1226-T2B/E3
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1226-T2B/E4
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1227
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1228NECCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA123NECCAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA123105-TBSANYO09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA123105-TBSANYOSOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1232NECPNP 10A 130V 100W 60MHz 2SA1232 T2SA1232
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1232
Код товару: 112783
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3FPA
fT: 60 MHz
Uке, В: 130 V
Uкб, В: 130 V
Iк, А: 10 А
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+32 грн
2SA1235
Код товару: 86746
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SA1235MITSUBISHI1997
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-1E/FRYOYOSOT23-3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-1FISAHAYA04+ SOT-23
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-1FMITSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-1FMITSOT23
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-1FMITSUBISHISOT23
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T112-2FISAHAYA02+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T12-1EMITSUBISHISOT-23
на замовлення 113200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235-T12-1F
на замовлення 64200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A
Код товару: 122118
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,2 A
h21,max: 150
товар відсутній
2SA1235A
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A T112ROHMSOT23
на замовлення 717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T11-1FMITSUBISHISOT23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T11-1FMITSUBISHI09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1EMITSOT23
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1FRENESAS09+
на замовлення 80380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1FMITSUBISHI09+
на замовлення 92380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1FMITSUMISSOT23
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1FSANYOSOT23-MF PB-FREE
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1235A-T112-1FMITSUBISHISOT-23
на замовлення 50362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)