НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOI11S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товар відсутній
AOI1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
товар відсутній
AOI1N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
товар відсутній
AOI1N60LAlpha & Omega SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-PIN(3+TAB) TO-251A T/R
товар відсутній
AOI1R4A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.4A; 48W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 48W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI1R4A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V
товар відсутній
AOI1R4A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.4A; 48W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 48W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI206_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
товар відсутній
AOI208Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
товар відсутній
AOI21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -180A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.09 грн
70+ 37.74 грн
140+ 27.4 грн
560+ 21.48 грн
1050+ 18.28 грн
2030+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOI21357Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -180A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
AOI2210Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOI2520C2R2JTARLITECH04+ SMD
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOI2520C2R2JTARLITECHSMD 04+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOI2520CR22JT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOI2520CR91JT2005+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOI2606Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO251A
товар відсутній
AOI2606
Код товару: 168277
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOI2610Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 71.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V
товар відсутній
AOI2610EAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI2610EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 23.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
AOI2610EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 23.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI2610EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-251A
товар відсутній
AOI2614Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET NCH 60V 35A TO251A
товар відсутній
AOI294AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI294AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI296AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.73 грн
6+ 62.53 грн
10+ 54.97 грн
16+ 49.47 грн
44+ 46.72 грн
500+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOI296AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.68 грн
4+ 77.92 грн
10+ 65.96 грн
16+ 59.36 грн
44+ 56.07 грн
500+ 55.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOI2N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
товар відсутній
AOI2N60Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOI2N60AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A
товар відсутній
AOI360A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товар відсутній
AOI360A70Alpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOI403
Код товару: 144923
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
AOI403Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товар відсутній
AOI403ALPHA&OMEGATransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8,5mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C; AOI403 TAOI403
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOI403Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товар відсутній
AOI409Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товар відсутній
AOI409Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товар відсутній
AOI409ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; 30W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI409ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; 30W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI409Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товар відсутній
AOI4102Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO251A
товар відсутній
AOI4126ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Case: TO251A
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
AOI4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251A
товар відсутній
AOI4126ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Case: TO251A
товар відсутній
AOI4130Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A
товар відсутній
AOI4144_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
товар відсутній
AOI4146Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 15A TO251A
товар відсутній
AOI418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V
товар відсутній
AOI4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 25W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27.2nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.55 грн
12+ 31.19 грн
13+ 27.55 грн
36+ 22.67 грн
97+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOI4184Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товар відсутній
AOI4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 25W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 878 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.26 грн
7+ 38.87 грн
10+ 33.06 грн
36+ 27.21 грн
97+ 25.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOI4184Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товар відсутній
AOI4185ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -31A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.94 грн
12+ 28.86 грн
25+ 25.42 грн
35+ 22.67 грн
97+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOI4185Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 20 V
товар відсутній
AOI4185ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -31A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.92 грн
8+ 35.96 грн
25+ 30.51 грн
35+ 27.21 грн
97+ 25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOI4185Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 13496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
AOI4185Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 807
AOI4185Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 13496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.41 грн
3500+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
AOI4185ALPHA&OMEGATransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; AOI4185 TAOI4185
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOI423ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 45W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 45W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+75.47 грн
7+ 40.24 грн
10+ 34.63 грн
34+ 28.03 грн
92+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOI423ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 45W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 45W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.9 грн
11+ 32.29 грн
12+ 28.86 грн
34+ 23.36 грн
92+ 22.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOI423Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товар відсутній
AOI423Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI4286ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.16 грн
12+ 21.58 грн
25+ 18.63 грн
63+ 15.14 грн
172+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOI4286ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.8 грн
20+ 17.31 грн
25+ 15.53 грн
63+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOI4286Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 50 V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.38 грн
10+ 34.15 грн
100+ 23.64 грн
500+ 18.54 грн
1000+ 15.78 грн
2000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOI442ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI442ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI442Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO251A
товар відсутній
AOI442Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товар відсутній
AOI444ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 10W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 3.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI444ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 10W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 3.8nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI444Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
товар відсутній
AOI468Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товар відсутній
AOI468ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.3A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.3A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI468ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.3A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.3A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI472AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 18A/46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 15 V
товар відсутній
AOI482Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO251A
товар відсутній
AOI4C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
товар відсутній
AOI4N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251A T/R
товар відсутній
AOI4N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
товар відсутній
AOI4S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
товар відсутній
AOI4T60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
товар відсутній
AOI4T60PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
товар відсутній
AOI508Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A T/R
товар відсутній
AOI508Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO251A
товар відсутній
AOI510Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
товар відсутній
AOI510Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOI510Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI514Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI514Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
товар відсутній
AOI516Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
товар відсутній
AOI516_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товар відсутній
AOI516_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товар відсутній
AOI518Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 15A TO251A
товар відсутній
AOI518_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товар відсутній
AOI530Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
товар відсутній
AOI538Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 34A
товар відсутній
AOI538Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI5N40ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
AOI5N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
товар відсутній
AOI5N40Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251A T/R
товар відсутній
AOI5N40ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO251A
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.62 грн
10+ 73.86 грн
100+ 57.61 грн
500+ 44.67 грн
1000+ 35.26 грн
2000+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOI66406Alpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
AOI66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; 20.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Power dissipation: 20.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; 20.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Power dissipation: 20.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
AOI7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
товар відсутній
AOI7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товар відсутній
AOI7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній
AOI7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
товар відсутній
AOI8N25Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
товар відсутній
AOI8N25ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI8N25ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI950A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.9 грн
10+ 77.44 грн
100+ 60.37 грн
500+ 46.8 грн
1000+ 36.95 грн
2000+ 34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOI950A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOI950A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOI9N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товар відсутній
AOI9N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товар відсутній