Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-0.5 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-1.0 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-1.0 X 1.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-CLD-FULL-PDPMAdvantechDevelopment Software
товар відсутній
DMP-DDV1890U11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VC2074S6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX1652ST00D1652ACCEPTED
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX1668UT20DELTA2004
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX980S10ACCEPTEO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP1-120125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 15W
товар відсутній
DMP1-12025Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1399.77 грн
DMP1-1204Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 50W
товар відсутній
DMP1-1502Galco Industrial ElectronicsDescription: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1-24006Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W
Power (Watts): 16W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 680mA
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9843.89 грн
DMP1-24006-ACMEAcme ElectricDescription: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9003.6 грн
DMP1-240125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 30W
товар відсутній
DMP1-2402Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
товар відсутній
DMP1-4801Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 48V 50W
товар відсутній
DMP1-4801-ACMEGalco Industrial ElectronicsDescription: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9926.36 грн
DMP1-504Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 5V 20W
товар відсутній
DMP1005UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
товар відсутній
DMP1005UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 64312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 30.23 грн
100+ 19.58 грн
500+ 15.38 грн
1000+ 12.55 грн
3000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 396112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.55 грн
10+ 29.3 грн
100+ 20.39 грн
500+ 14.94 грн
1000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1005UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
6000+ 9.83 грн
9000+ 9.13 грн
30000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1005UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.59 грн
6000+ 17.88 грн
9000+ 16.55 грн
30000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1007UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -7.8A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
товар відсутній
DMP1007UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -7.8A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 166716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.9 грн
10+ 43.06 грн
100+ 29.79 грн
500+ 23.36 грн
1000+ 19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1515-
товар відсутній
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K
товар відсутній
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.13 грн
19+ 39.96 грн
100+ 26.54 грн
500+ 21.02 грн
1000+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.54 грн
500+ 21.02 грн
1000+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1009UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1009UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1009UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+ 9.38 грн
9000+ 8.71 грн
30000+ 7.98 грн
75000+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.98 грн
25+ 30.08 грн
100+ 20.13 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 31847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+ 24.94 грн
100+ 16.3 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 9.07 грн
9000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1009UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 156255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
11+ 25.06 грн
100+ 17.42 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1009UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+26.09 грн
586+ 19.89 грн
592+ 19.69 грн
754+ 14.89 грн
1000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 447
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.88 грн
23+ 26.16 грн
25+ 24.22 грн
100+ 17.81 грн
250+ 16.33 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.23 грн
500+ 17.75 грн
1000+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 19685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.93 грн
10+ 37.79 грн
100+ 22.87 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 14.52 грн
3000+ 12.29 грн
9000+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1212-4 T&R 3K
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1011LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1011LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.37 грн
10+ 44.67 грн
100+ 26.48 грн
500+ 22.15 грн
1000+ 18.8 грн
2000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1011LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1011LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товар відсутній
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1011LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.77 грн
6000+ 11.67 грн
10000+ 10.84 грн
50000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP1011UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 890mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.88 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 21.61 грн
3000+ 19.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.83 грн
6000+ 19.01 грн
9000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1011UCB9-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товар відсутній
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.87 грн
14+ 56.62 грн
100+ 39.88 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 21.61 грн
3000+ 19.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.19 грн
10+ 51.69 грн
100+ 33.32 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 21.82 грн
3000+ 19.65 грн
6000+ 19.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1011UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
товар відсутній
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 15039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 45.8 грн
100+ 31.68 грн
500+ 24.84 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET
товар відсутній
DMP1012UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
товар відсутній
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1012UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1012UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1012UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1012UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 11.31 грн
5000+ 10.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.82 грн
20+ 38.41 грн
100+ 23 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 11.31 грн
5000+ 10.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1012UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.85 грн
100+ 17.26 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.66 грн
100+ 18.01 грн
500+ 14.2 грн
1000+ 10.91 грн
3000+ 9.2 грн
9000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1012UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
6000+ 9.3 грн
9000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1012UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1012USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1012USSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.34 грн
11+ 28.95 грн
100+ 17.15 грн
1000+ 9.66 грн
2500+ 8.28 грн
10000+ 7.75 грн
25000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1018UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.08 грн
10+ 41.42 грн
100+ 24.58 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 17.48 грн
3000+ 15.51 грн
6000+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1022UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.95 грн
30000+ 10.3 грн
50000+ 10.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1022UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 321330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
10+ 27.93 грн
100+ 19.42 грн
500+ 14.23 грн
1000+ 11.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
на замовлення 48156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.85 грн
16+ 19.95 грн
100+ 13.28 грн
500+ 11.5 грн
1000+ 9.86 грн
3000+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
6000+ 10.46 грн
9000+ 9.71 грн
30000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 12 V, 5.2 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.67 грн
41+ 18.36 грн
100+ 9.44 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMP1045Uams OSRAMams OSRAM
товар відсутній
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP1045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.35 грн
60+ 6.16 грн
100+ 5.48 грн
175+ 4.72 грн
470+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 161685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
18+ 17.08 грн
100+ 8.08 грн
1000+ 6.51 грн
3000+ 5.52 грн
9000+ 4.6 грн
24000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.62 грн
35+ 7.68 грн
100+ 6.57 грн
175+ 5.67 грн
470+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.66 грн
500+ 6.91 грн
1500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.7 грн
6000+ 5.64 грн
9000+ 4.82 грн
24000+ 4.6 грн
30000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 12680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 19.3 грн
100+ 9.72 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.73 грн
52+ 14.23 грн
100+ 9.66 грн
500+ 6.91 грн
1500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
6000+ 5.2 грн
9000+ 4.43 грн
24000+ 4.23 грн
30000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.87 грн
9000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товар відсутній
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
12+ 23.28 грн
100+ 13.94 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 17726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
12+ 25.85 грн
100+ 12.03 грн
1000+ 8.48 грн
3000+ 6.57 грн
9000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.08 грн
21+ 12.71 грн
30+ 10.84 грн
96+ 10.08 грн
100+ 9.78 грн
263+ 9.53 грн
500+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.94 грн
27+ 28.24 грн
100+ 13.49 грн
500+ 10.82 грн
1000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.74 грн
34+ 10.2 грн
38+ 9.04 грн
96+ 8.4 грн
100+ 8.15 грн
263+ 7.94 грн
500+ 7.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.49 грн
500+ 10.82 грн
1000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.56 грн
500+ 7.6 грн
1500+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13047000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 13050745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+ 21.77 грн
100+ 10.96 грн
500+ 9.12 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.01 грн
50+ 21.82 грн
100+ 15.56 грн
500+ 7.6 грн
1500+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 13050000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
6000+ 6.61 грн
9000+ 5.86 грн
30000+ 5.43 грн
75000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 124133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
12+ 25.62 грн
100+ 13.87 грн
1000+ 7.29 грн
3000+ 6.57 грн
9000+ 5.65 грн
24000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1046UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1046UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 82172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.2 грн
12+ 26.38 грн
100+ 12.29 грн
1000+ 8.02 грн
2500+ 7.69 грн
10000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+ 23.41 грн
100+ 14.06 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 8.31 грн
2000+ 7.65 грн
5000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.58 грн
11+ 27.66 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.2 грн
3000+ 8.41 грн
9000+ 7.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
6000+ 7.47 грн
9000+ 6.72 грн
30000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.68 грн
29+ 20.35 грн
30+ 19.29 грн
100+ 12.57 грн
250+ 11.44 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 7.2 грн
3000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 75726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.39 грн
100+ 13.45 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1046UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
товар відсутній
DMP1055UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.7 грн
10+ 36.73 грн
100+ 23.86 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 14.85 грн
3000+ 13.14 грн
9000+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1055UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1055USW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товар відсутній
DMP1055USW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
товар відсутній
DMP1055USW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.85 грн
100+ 11.93 грн
500+ 10.37 грн
1000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1055USW-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
6000+ 6.63 грн
9000+ 5.97 грн
30000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1055USW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
15+ 21.54 грн
100+ 10.19 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 6.51 грн
9000+ 5.98 грн
24000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.93 грн
10+ 39.68 грн
100+ 26.48 грн
500+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.81 грн
10+ 49.65 грн
100+ 33.12 грн
500+ 26.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP10H088SPS-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.28 грн
5000+ 13.6 грн
12500+ 11.85 грн
25000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.97 грн
50+ 31.04 грн
100+ 24.11 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.54 грн
25+ 23.03 грн
53+ 18.24 грн
145+ 17.24 грн
2500+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 275576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.63 грн
100+ 21.88 грн
500+ 17.15 грн
1000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.12 грн
25+ 18.48 грн
53+ 15.2 грн
145+ 14.37 грн
2500+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.55 грн
17+ 34.4 грн
25+ 31.32 грн
100+ 23.64 грн
250+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 19447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.33 грн
10+ 34.39 грн
100+ 21.1 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 15.12 грн
2500+ 13.41 грн
5000+ 13.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.11 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 272500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.39 грн
5000+ 13.13 грн
12500+ 12.15 грн
25000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
20000+ 15.2 грн
40000+ 14.15 грн
60000+ 12.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.37 грн
5000+ 15.84 грн
12500+ 14.67 грн
25000+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 441931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.21 грн
10+ 38.13 грн
100+ 26.4 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 857500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.13 грн
5000+ 14.71 грн
12500+ 13.62 грн
25000+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-CH MOSFET
на замовлення 201671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 35.67 грн
100+ 22.67 грн
500+ 18.93 грн
1000+ 14.79 грн
2500+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 7701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.43 грн
500+ 19.92 грн
1000+ 15.8 грн
5000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 645000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+25.57 грн
460+ 25.31 грн
465+ 25.05 грн
514+ 21.87 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 456
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 7701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.73 грн
20+ 38.56 грн
100+ 25.43 грн
500+ 19.92 грн
1000+ 15.8 грн
5000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.52 грн
25+ 23.74 грн
100+ 22.66 грн
250+ 20.77 грн
500+ 18.05 грн
1000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+72.54 грн
9+ 29.18 грн
25+ 24.73 грн
45+ 21.42 грн
123+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 859351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.39 грн
100+ 24.52 грн
500+ 19.23 грн
1000+ 16.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.45 грн
15+ 23.41 грн
25+ 20.61 грн
45+ 17.85 грн
123+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
товар відсутній
DMP10H4D2S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Drain-source voltage: -100V
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes Inc100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.39 грн
60+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP10H4D2S-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.83 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 3942696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
16+ 18.14 грн
100+ 9.15 грн
500+ 7.61 грн
1000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32 грн
32+ 23.15 грн
100+ 12.83 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.86 грн
40+ 7.25 грн
100+ 6.16 грн
180+ 5.32 грн
500+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 3936000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+ 5.52 грн
9000+ 4.89 грн
30000+ 4.53 грн
75000+ 3.85 грн
150000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 205709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
20+ 15.19 грн
100+ 7.69 грн
1000+ 6.11 грн
3000+ 4.07 грн
9000+ 4.01 грн
24000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP10H4D2S-7 P10.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товар відсутній
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.7 грн
100+ 15.09 грн
500+ 11.06 грн
1000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.83 грн
13+ 24.49 грн
100+ 15.97 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 9.73 грн
3000+ 8.08 грн
9000+ 7.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.62 грн
500+ 12.87 грн
1000+ 9.16 грн
3000+ 7.71 грн
6000+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.9 грн
6000+ 8.13 грн
9000+ 7.55 грн
30000+ 6.92 грн
75000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1100UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
товар відсутній
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 670mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.33 грн
28+ 26.47 грн
100+ 17.62 грн
500+ 12.87 грн
1000+ 9.16 грн
3000+ 7.71 грн
6000+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP1100UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
13+ 23.58 грн
100+ 12.36 грн
1000+ 7.95 грн
3000+ 6.37 грн
9000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1200UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
14+ 20.4 грн
100+ 12.25 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1200UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP1245UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.25A; Idm: -16.67A; 1.7W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1616-6
Mounting: SMD
Gate charge: 26.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -16.67A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.25A
On-state resistance: 0.1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 32.65 грн
100+ 22.63 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 15.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.09 грн
10+ 36.81 грн
100+ 21.82 грн
500+ 18.27 грн
1000+ 15.51 грн
3000+ 14.06 грн
6000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1245UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.25A; Idm: -16.67A; 1.7W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1616-6
Mounting: SMD
Gate charge: 26.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -16.67A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.25A
On-state resistance: 0.1Ω
товар відсутній
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
6000+ 13.58 грн
9000+ 12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1245UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.68 грн
30000+ 3.48 грн
50000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 22933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
17+ 18.59 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.14 грн
2500+ 3.94 грн
10000+ 3.61 грн
20000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -0.2A; 0.36W; X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -200mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN0806-3
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 234906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.42 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.02 грн
5000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1555UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -0.2A; 0.36W; X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -200mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN0806-3
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.56 грн
5000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2002UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 6.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 585nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.71 грн
10+ 129.99 грн
100+ 90.69 грн
250+ 82.81 грн
500+ 75.58 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 39348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150 грн
10+ 119.87 грн
100+ 95.39 грн
500+ 75.75 грн
1000+ 64.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMP2002UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 6.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 585nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 7726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.62 грн
50+ 69.59 грн
100+ 59.57 грн
500+ 46.89 грн
1000+ 35.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.89 грн
10+ 66.06 грн
100+ 51.4 грн
500+ 40.89 грн
1000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.01 грн
10+ 72.4 грн
100+ 50.21 грн
500+ 42.52 грн
1000+ 34.63 грн
2500+ 30.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2003UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: -120A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -350A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 7726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.57 грн
500+ 46.89 грн
1000+ 35.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2003UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: -120A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -350A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET 500mW -20Vdss
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.16 грн
10+ 37.49 грн
100+ 24.38 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 14.79 грн
3000+ 12.62 грн
9000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -550mA; Idm: -1.9A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT26
Pulsed drain current: -1.9A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -550mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -550mA; Idm: -1.9A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT26
Pulsed drain current: -1.9A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -550mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.2 грн
6000+ 14.59 грн
15000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; 250mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Channel
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.88 грн
11+ 28.27 грн
100+ 16.76 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 9.4 грн
3000+ 8.61 грн
9000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; 250mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.83 грн
11+ 27.31 грн
100+ 18.59 грн
500+ 13.08 грн
1000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 974333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.64 грн
100+ 8.12 грн
500+ 6.36 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.59 грн
29+ 20.3 грн
32+ 18.46 грн
100+ 10.7 грн
250+ 9.29 грн
500+ 6.27 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP2004K-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel
на замовлення 44385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.22 грн
15+ 21.16 грн
100+ 9.79 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.4 грн
3000+ 3.35 грн
9000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.44 грн
29+ 25.88 грн
100+ 12.39 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMP2004K-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.35 грн
90+ 3.81 грн
110+ 3.26 грн
285+ 2.82 грн
780+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 969000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
6000+ 3.27 грн
9000+ 2.71 грн
30000+ 2.5 грн
75000+ 2.25 грн
150000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.62 грн
55+ 4.74 грн
100+ 3.91 грн
285+ 3.39 грн
780+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
6000+ 3.26 грн
15000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 4156
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+11.95 грн
1039+ 11.21 грн
1478+ 7.88 грн
2305+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 975
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 550mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.39 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+3.69 грн
6000+ 3.18 грн
15000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3152
DMP2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004KQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004TKDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel .15W
на замовлення 14501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.11 грн
11+ 28.57 грн
100+ 13.54 грн
1000+ 9.33 грн
3000+ 7.43 грн
9000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 240603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.97 грн
10+ 29.03 грн
100+ 19.76 грн
500+ 13.91 грн
1000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.75A; 320mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT523
Pulsed drain current: -0.75A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 970pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+ 9.57 грн
15000+ 8.95 грн
30000+ 7.71 грн
75000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.75A; 320mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT523
Pulsed drain current: -0.75A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 970pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -180A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -180A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMP2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -180A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -180A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+24.92 грн
678+ 17.18 грн
685+ 17 грн
917+ 12.24 грн
1296+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 468
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Channel
на замовлення 50653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 23.88 грн
100+ 10.65 грн
1000+ 7.62 грн
3000+ 7.1 грн
9000+ 6.64 грн
24000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
9000+ 6.61 грн
12000+ 6.54 грн
30000+ 6.1 грн
45000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 132484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.45 грн
100+ 13.49 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.44A; 0.4W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -440mA
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.8 грн
25+ 23.14 грн
100+ 15.39 грн
250+ 14.09 грн
500+ 10.11 грн
1000+ 7.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.44A; 0.4W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -440mA
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+ 7.49 грн
9000+ 6.74 грн
30000+ 6.23 грн
75000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+ 7.07 грн
15000+ 6.54 грн
30000+ 5.86 грн
75000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
6000+ 10.42 грн
15000+ 9.7 грн
30000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1.4A; 250mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT323
Pulsed drain current: -1.4A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1.4A; 250mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT323
Pulsed drain current: -1.4A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 68810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
11+ 27.25 грн
100+ 20.33 грн
500+ 14.99 грн
1000+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004WK-7DIODES09+ TO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFET 250mW -20Vdss
на замовлення 14075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.74 грн
12+ 26.83 грн
100+ 17.42 грн
500+ 13.67 грн
1000+ 10.58 грн
3000+ 9.59 грн
9000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.19 грн
10+ 52.22 грн
100+ 31.02 грн
500+ 25.83 грн
1000+ 22.02 грн
3000+ 19.91 грн
6000+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 52.3 грн
100+ 31.02 грн
500+ 25.89 грн
1000+ 22.08 грн
2000+ 19.58 грн
4000+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товар відсутній
DMP2006UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2006UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2006UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2006UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
товар відсутній
DMP2006UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.46 грн
10+ 42.32 грн
100+ 25.1 грн
500+ 20.96 грн
1000+ 17.88 грн
2000+ 16.17 грн
4000+ 15.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2006UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2006UFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.86 грн
10+ 52.3 грн
100+ 35.36 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 24.45 грн
3000+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.86 грн
10+ 52.3 грн
100+ 35.36 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 24.45 грн
2000+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2006UFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2007UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
товар відсутній
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
товар відсутній
DMP2007UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2007UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2007UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2007UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.58 грн
10+ 49.5 грн
100+ 32.99 грн
500+ 26.09 грн
1000+ 20.9 грн
2000+ 16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 55.52 грн
100+ 42.61 грн
500+ 31.61 грн
1000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.35 грн
100+ 21.8 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.08 грн
19+ 30.38 грн
25+ 30.08 грн
100+ 21.08 грн
250+ 19.32 грн
500+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 28794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.95 грн
11+ 27.81 грн
100+ 20.11 грн
500+ 17.09 грн
1000+ 13.28 грн
2000+ 11.24 грн
10000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.19 грн
10+ 51.69 грн
100+ 30.69 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.82 грн
3000+ 19.78 грн
6000+ 19.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2010UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2010UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFG-13Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товар відсутній
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.29 грн
10+ 49.08 грн
100+ 37.61 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2010UFG-7Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 51.62 грн
100+ 30.63 грн
500+ 25.56 грн
1000+ 21.75 грн
2000+ 19.65 грн
4000+ 19.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2010UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2010UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFV-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.11 грн
100+ 22.41 грн
500+ 17.55 грн
1000+ 14.26 грн
3000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2010UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2010UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.18 грн
100+ 24.12 грн
500+ 18.99 грн
1000+ 14.66 грн
2000+ 12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2010UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2012SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -2.8A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -900mA
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2012SN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 700mA
на замовлення 8586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
15+ 21.46 грн
100+ 10.38 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 5.98 грн
9000+ 5.45 грн
24000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2012SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -2.8A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -900mA
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
товар відсутній
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.64 грн
10+ 31.21 грн
100+ 20.31 грн
500+ 17.22 грн
1000+ 14.06 грн
3000+ 11.9 грн
9000+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2018LFK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10.3A; Idm: -90A; 1.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2523-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2018LFK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10.3A; Idm: -90A; 1.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2523-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 35438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
12+ 24.17 грн
100+ 16.79 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 144224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
12+ 27.13 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 10.38 грн
3000+ 8.67 грн
9000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+ 9.04 грн
9000+ 8.4 грн
30000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2021UFDE-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2021UFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
6000+ 11.13 грн
9000+ 10.33 грн
30000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-7Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 33.1 грн
100+ 20.04 грн
500+ 15.64 грн
1000+ 12.68 грн
3000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2021UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 43508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 29.71 грн
100+ 20.66 грн
500+ 15.14 грн
1000+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2021UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2021UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товар відсутній
DMP2021UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.45 грн
6000+ 16.83 грн
9000+ 15.59 грн
30000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.28 грн
13+ 47.66 грн
25+ 47.22 грн
100+ 35.28 грн
250+ 32.35 грн
500+ 24.64 грн
1000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.75 грн
10+ 45.04 грн
100+ 27.14 грн
500+ 22.67 грн
1000+ 19.32 грн
3000+ 17.15 грн
6000+ 17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 55392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.34 грн
10+ 40.53 грн
100+ 28.05 грн
500+ 22 грн
1000+ 18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.4A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMP2021UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.04 грн
10+ 48.44 грн
100+ 29.25 грн
500+ 24.38 грн
1000+ 20.77 грн
2500+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.64 грн
5000+ 17.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2021UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.9 грн
10+ 43.13 грн
100+ 29.86 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.85 грн
10+ 51.75 грн
100+ 35.83 грн
500+ 28.09 грн
1000+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.56 грн
5000+ 21.5 грн
12500+ 19.9 грн
25000+ 18.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 37712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 38.82 грн
100+ 26.9 грн
500+ 21.09 грн
1000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.18 грн
25+ 41.76 грн
100+ 31.12 грн
250+ 28.53 грн
500+ 20.89 грн
1000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+30.7 грн
25+ 26.62 грн
47+ 20.64 грн
128+ 19.51 грн
3000+ 18.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.22 грн
10+ 41.57 грн
100+ 25.43 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 18.01 грн
2500+ 16.63 грн
5000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.69 грн
5000+ 16.14 грн
12500+ 14.94 грн
25000+ 13.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2022LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.58 грн
25+ 21.36 грн
47+ 17.2 грн
128+ 16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Pulsed drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Pulsed drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.97 грн
10+ 68.47 грн
100+ 45.61 грн
500+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.79 грн
30000+ 14.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.51 грн
500+ 20.13 грн
1000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+ 10.73 грн
12000+ 9.99 грн
18000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.76 грн
31+ 18.67 грн
50+ 17.83 грн
100+ 14.68 грн
250+ 13.96 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 126434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.04 грн
100+ 25.64 грн
500+ 20.11 грн
1000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.11 грн
19+ 39.59 грн
100+ 25.51 грн
500+ 20.13 грн
1000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2023UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.37 грн
6000+ 15.79 грн
9000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 28.57 грн
100+ 18.8 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 14.92 грн
3000+ 14.72 грн
9000+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+20.11 грн
585+ 19.91 грн
658+ 17.7 грн
665+ 16.91 грн
694+ 15 грн
1000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 579
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.86 грн
6000+ 15.39 грн
9000+ 14.25 грн
30000+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2033UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 9-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товар відсутній
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 5716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.08 грн
10+ 36.01 грн
100+ 25.06 грн
500+ 18.37 грн
1000+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2033UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
товар відсутній
DMP2033UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товар відсутній
DMP2033UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2033UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
13+ 24.49 грн
100+ 15.9 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 9.66 грн
3000+ 7.95 грн
9000+ 7.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2033UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
товар відсутній
DMP2035Uams OSRAMams OSRAM
товар відсутній
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 26839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.11 грн
500+ 6.35 грн
1000+ 4.77 грн
5000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 26839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.41 грн
46+ 16.07 грн
100+ 8.11 грн
500+ 6.35 грн
1000+ 4.77 грн
5000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+8.56 грн
1373+ 8.48 грн
1387+ 8.4 грн
1769+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 1360
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
6000+ 5.5 грн
12000+ 5.29 грн
18000+ 5.05 грн
30000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 3205081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 19.3 грн
100+ 9.72 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
6000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2937000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 131130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.93 грн
22+ 14.06 грн
100+ 6.57 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 4.86 грн
9000+ 4.6 грн
24000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.81W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.68 грн
60+ 5.96 грн
100+ 5.2 грн
180+ 4.52 грн
490+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+ 5.11 грн
12000+ 4.92 грн
18000+ 4.69 грн
30000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.11 грн
500+ 6.07 грн
1500+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
6000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+3.8 грн
Мінімальне замовлення: 81
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 3201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.87 грн
9000+ 5.2 грн
30000+ 4.81 грн
75000+ 4.09 грн
150000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 93
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
6000+ 4.76 грн
12000+ 4.58 грн
18000+ 4.37 грн
30000+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.07 грн
61+ 12.09 грн
100+ 8.11 грн
500+ 6.07 грн
1500+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 46
DMP2035U-7
Код товару: 198292		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.81W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.22 грн
35+ 7.42 грн
100+ 6.24 грн
180+ 5.42 грн
490+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+3.52 грн
630000+ 3.21 грн
1260000+ 2.99 грн
1890000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3312
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.49 грн
42+ 13.91 грн
100+ 7.67 грн
250+ 7.03 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 32
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
9000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7-FDIODES/CJ11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2035UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A T/R
товар відсутній
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 192527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 32.38 грн
100+ 22.39 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.73 грн
6000+ 13.44 грн
9000+ 12.44 грн
30000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 36.35 грн
100+ 21.88 грн
500+ 18.34 грн
1000+ 15.58 грн
3000+ 12.88 грн
9000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A T/R
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 271411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
12+ 24.3 грн
100+ 14.57 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 30454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
12+ 25.32 грн
100+ 13.21 грн
1000+ 9 грн
3000+ 7.29 грн
9000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+ 8.1 грн
9000+ 7.29 грн
30000+ 6.74 грн
75000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.29 грн
25+ 29.78 грн
100+ 14.82 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+ 8.38 грн
9000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.11 грн
11+ 29.48 грн
100+ 17.48 грн
1000+ 10.12 грн
3000+ 8.61 грн
9000+ 7.89 грн
24000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.35 грн
5000+ 12.2 грн
12500+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 32.57 грн
100+ 20.96 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.41 грн
2500+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.43 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
694+16.78 грн
753+ 15.47 грн
761+ 15.31 грн
813+ 13.82 грн
1000+ 10.75 грн
Мінімальне замовлення: 694
DMP2035UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.68 грн
20+ 37.38 грн
100+ 25.43 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.26 грн
37+ 15.66 грн
38+ 15.58 грн
100+ 13.85 грн
250+ 12.7 грн
500+ 11.41 грн
1000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 36
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 24211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 32.59 грн
100+ 22.65 грн
500+ 16.6 грн
1000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 1152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.63 грн
6000+ 7.96 грн
9000+ 7.17 грн
30000+ 6.63 грн
75000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+38.93 грн
10+ 25.59 грн
25+ 18.15 грн
100+ 13.14 грн
107+ 8.92 грн
293+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+21.95 грн
824+ 14.14 грн
832+ 13.99 грн
867+ 12.96 грн
1711+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 531
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.44 грн
17+ 20.54 грн
25+ 15.13 грн
100+ 10.95 грн
107+ 7.44 грн
293+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.79 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 1156764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
12+ 23.89 грн
100+ 14.33 грн
500+ 12.45 грн
1000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.83 грн
27+ 21.82 грн
29+ 20.38 грн
100+ 12.66 грн
250+ 11.6 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 12409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
14+ 22.67 грн
100+ 11.83 грн
1000+ 7.62 грн
3000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.67 грн
28+ 26.39 грн
100+ 13.79 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
11+ 27.59 грн
100+ 13.34 грн
1000+ 8.35 грн
2500+ 8.08 грн
10000+ 7.1 грн
20000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
12+ 24.3 грн
100+ 14.57 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 7209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
12+ 27.28 грн
100+ 13.21 грн
1000+ 9 грн
3000+ 6.97 грн
9000+ 6.83 грн
24000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+ 8.1 грн
9000+ 7.29 грн
30000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2036UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2036UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2036UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2036UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2036UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.08 грн
30000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2037U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP2037U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; Idm: -38A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -38A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
6000+ 6.61 грн
9000+ 5.85 грн
30000+ 5.42 грн
75000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2037U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.49 грн
12+ 26 грн
100+ 14.06 грн
1000+ 9.99 грн
3000+ 8.48 грн
9000+ 6.64 грн
24000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2037U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; Idm: -38A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -38A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 43mΩ
товар відсутній
DMP2037U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037UFCL-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 37572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.39 грн
100+ 13.45 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2038USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.09 грн
5000+ 7.47 грн
12500+ 6.72 грн
25000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
товар відсутній
DMP2039UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
14+ 22.37 грн
100+ 15.18 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 10.25 грн
3000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.79 грн
19+ 30.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2039UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.57 грн
23+ 26.05 грн
25+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2039UFDE4Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.75 грн
20+ 37.45 грн
100+ 25.21 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2039UFDE4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.08 грн
100+ 21.61 грн
500+ 15.84 грн
1000+ 12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2039UFDE4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.21 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
6000+ 11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2040UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2040UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2040UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+ 9.04 грн
9000+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2040UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 0.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
12+ 27.21 грн
100+ 16.43 грн
500+ 12.82 грн
1000+ 10.45 грн
3000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
12+ 24.17 грн
100+ 16.79 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 0.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2040USD-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USD-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.89 грн
11+ 28.49 грн
100+ 18.53 грн
500+ 14.59 грн
1000+ 11.3 грн
2500+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
товар відсутній
DMP2040USD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO DMP2040USD-13 TDMP2040USD-13
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMP2040USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2040USS-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USS-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1159158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+ 23.69 грн
100+ 14.24 грн
500+ 12.37 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.27 грн
11+ 29.4 грн
100+ 17.42 грн
500+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.57 грн
5000+ 7.91 грн
12500+ 7.12 грн
25000+ 6.58 грн
62500+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2040UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2040UVT-13DIODES INCORPORATEDDMP2040UVT-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040UVT-7DIODES INCORPORATEDDMP2040UVT-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
14+ 22.6 грн
100+ 10.91 грн
1000+ 7.43 грн
3000+ 6.31 грн
9000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2040UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2042UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -16A; 1.4W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2042UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2042UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -16A; 1.4W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.32 грн
6000+ 8.52 грн
9000+ 7.91 грн
30000+ 7.25 грн
75000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 230960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
13+ 22.8 грн
100+ 15.83 грн
500+ 11.59 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.04 грн
10+ 30.53 грн
100+ 19.85 грн
500+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1010-
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2043UCA3-7DIODES INCORPORATEDDMP2043UCA3-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2043UCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товар відсутній
DMP2045U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+12.54 грн
1008+ 11.56 грн
1312+ 8.88 грн
1673+ 6.71 грн
3000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 929
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+ 4.96 грн
9000+ 4.29 грн
30000+ 3.95 грн
75000+ 3.27 грн
150000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.12 грн
9000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.88 грн
33+ 18 грн
34+ 17.36 грн
100+ 11.23 грн
250+ 9.58 грн
500+ 7.07 грн
1000+ 5.54 грн
3000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.86 грн
500+ 8.76 грн
1000+ 6.12 грн
5000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 247415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
16+ 19.95 грн
100+ 8.08 грн
1000+ 5.98 грн
3000+ 4.8 грн
9000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.31 грн
13+ 20.22 грн
25+ 11.99 грн
100+ 8.63 грн
194+ 5.01 грн
533+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.59 грн
22+ 16.22 грн
35+ 9.99 грн
100+ 7.19 грн
194+ 4.18 грн
533+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.12 грн
9000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 161625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.19 грн
100+ 10.19 грн
500+ 7.8 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes IncorporatedТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23
на замовлення 491 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.12 грн
27+ 27.65 грн
100+ 13.86 грн
500+ 8.76 грн
1000+ 6.12 грн
5000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
6000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 632957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
15+ 18.96 грн
100+ 11.37 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -25A; 1.49W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.49W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 28144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 19.5 грн
100+ 9.4 грн
1000+ 6.44 грн
3000+ 6.18 грн
9000+ 5.45 грн
24000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -25A; 1.49W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.49W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
6000+ 6.32 грн
9000+ 5.68 грн
30000+ 5.26 грн
75000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.17 грн
16+ 17.8 грн
100+ 10.68 грн
500+ 9.28 грн
1000+ 6.31 грн
2000+ 5.81 грн
5000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.53 грн
16+ 20.1 грн
100+ 11.9 грн
500+ 8.94 грн
1000+ 6.7 грн
2500+ 6.24 грн
10000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
6000+ 6.49 грн
15000+ 5.85 грн
30000+ 5.39 грн
75000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.44 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 163765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.96 грн
16+ 19.88 грн
100+ 9.2 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 5.91 грн
9000+ 5.65 грн
24000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+16.23 грн
1007+ 11.57 грн
1349+ 8.63 грн
3000+ 7.41 грн
6000+ 6.41 грн
15000+ 5.56 грн
30000+ 5.5 грн
75000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 718
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
13+ 22.39 грн
100+ 11.27 грн
500+ 9.38 грн
1000+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.47 грн
25+ 29.49 грн
100+ 16.44 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.1 грн
26+ 22.21 грн
100+ 15.07 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.16 грн
3000+ 6.12 грн
6000+ 5.71 грн
15000+ 5.16 грн
30000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2045UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.5 грн
9000+ 5.29 грн
15000+ 5.2 грн
30000+ 4.89 грн
60000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
6000+ 6.8 грн
9000+ 6.03 грн
30000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2047UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.66W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2047UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.66W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.08 грн
10+ 37.38 грн
100+ 28.65 грн
500+ 21.25 грн
1000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
7+44.93 грн
10+ 38.17 грн
100+ 23 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.36 грн
3000+ 14.79 грн
6000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
товар відсутній
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+14.15 грн
42+ 13.95 грн
100+ 13.24 грн
500+ 11.98 грн
1000+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.83 грн
15+ 21.31 грн
100+ 11.57 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 6.51 грн
3000+ 5.45 грн
6000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2065UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -25A; 1.54W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 P-CH 4.5A UDFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.26 грн
30000+ 10.28 грн
50000+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2065UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -25A; 1.54W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 16369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
11+ 26.36 грн
100+ 18.31 грн
500+ 13.41 грн
1000+ 10.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+ 11.53 грн
9000+ 11.39 грн
15000+ 10.84 грн
30000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
10+ 31.29 грн
100+ 20.31 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 12.36 грн
3000+ 11.24 грн
6000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+ 9.86 грн
9000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+ 11.53 грн
9000+ 11.39 грн
15000+ 10.84 грн
30000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UQ-13DIODES INCORPORATEDDMP2065UQ-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2065UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 51585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
13+ 22.25 грн
100+ 15.49 грн
500+ 11.35 грн
1000+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
6000+ 8.34 грн
9000+ 7.74 грн
30000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Gate charge: 10.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -18A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Gate charge: 10.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -18A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
13+ 25.17 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.82 грн
1000+ 9.99 грн
3000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
6000+ 8.45 грн
9000+ 7.84 грн
30000+ 7.19 грн
75000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товар відсутній
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товар відсутній
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2066LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.72 грн
21+ 27.73 грн
25+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 133720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.78 грн
100+ 17.21 грн
500+ 12.61 грн
1000+ 10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2066LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
6000+ 9.27 грн
9000+ 8.6 грн
30000+ 7.89 грн
75000+ 7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 16247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
12+ 27.43 грн
100+ 16.89 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.58 грн
3000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel 2.5W
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 29744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.48 грн
100+ 23.24 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2066LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.69 грн
5000+ 12.51 грн
12500+ 11.62 грн
25000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
товар відсутній
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -25A; 2.03W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.03W
Gate charge: 14.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
11+ 26.15 грн
100+ 19.54 грн
500+ 14.4 грн
1000+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 317-326 дні (днів)
11+28.98 грн
13+ 24.11 грн
100+ 15.71 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 10.98 грн
3000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2066UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -25A; 2.03W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.03W
Gate charge: 14.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
12+ 23.07 грн
100+ 15.68 грн
500+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.74 грн
12+ 25.55 грн
100+ 15.12 грн
500+ 11.37 грн
1000+ 8.54 грн
3000+ 7.75 грн
9000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.89 грн
100+ 16.89 грн
500+ 13.14 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 8.48 грн
9000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.98 грн
25+ 30.15 грн
100+ 20.13 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2069UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.21 грн
40+ 18.58 грн
100+ 14.74 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.74 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2070U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.27 грн
100+ 24.85 грн
500+ 18.32 грн
1000+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
товар відсутній
DMP2070U-7DIODES INCORPORATEDDMP2070U-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2070UCB6-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin WLB T/R
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товар відсутній
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.68 грн
10+ 27.45 грн
100+ 17.07 грн
500+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2070UQ-7DIODES INCORPORATEDDMP2070UQ-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.04 грн
12+ 26.68 грн
100+ 14.52 грн
500+ 9.92 грн
1000+ 7.82 грн
3000+ 6.64 грн
6000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
товар відсутній
DMP2075UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 137mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.79 грн
30000+ 6.44 грн
50000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2075UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 137mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 216173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
12+ 24.71 грн
100+ 14.86 грн
500+ 12.91 грн
1000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
6000+ 8.25 грн
9000+ 7.43 грн
30000+ 6.87 грн
75000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2075UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 137mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2075UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 137mΩ
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 83016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
14+ 22.3 грн
100+ 11.9 грн
1000+ 7.82 грн
3000+ 7.03 грн
9000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2075UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+8.2 грн
Мінімальне замовлення: 71
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товар відсутній
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товар відсутній
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
14+ 20.13 грн
100+ 12.05 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.12 грн
2000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2078LCA3-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -13A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2078LCA3-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -13A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
товар відсутній
DMP2078LCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 3-Pin X4-DSN T/R
товар відсутній
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 26171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.13 грн
100+ 10.15 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.57 грн
2000+ 5.88 грн
5000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 70178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
14+ 22.37 грн
100+ 8.74 грн
1000+ 6.11 грн
2500+ 5.91 грн
10000+ 4.67 грн
20000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2088LCP3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
товар відсутній
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.55 грн
10+ 27.86 грн
100+ 18.94 грн
500+ 13.33 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2088LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2090UFDB-13Diodes ZetexDMP2090UFDB-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 790mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85415000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.14 грн
41+ 18.21 грн
100+ 12.98 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2090UFDB-7Diodes IncorporatedFilm Capacitors DC-LINK MKP 4 90.0 uF 600 VDC 35x50x57 PCM 52.5
товар відсутній
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85415000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.98 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 540807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 18.83 грн
100+ 9.51 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+ 4.63 грн
9000+ 4 грн
30000+ 3.69 грн
75000+ 3.05 грн
150000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
6000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100U-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 54731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2100UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3A 9-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товар відсутній
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товар відсутній
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
товар відсутній
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 0.9W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+22.74 грн
25+ 16.04 грн
80+ 11.91 грн
220+ 11.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.86 грн
6000+ 10.84 грн
9000+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.41 грн
20+ 15.49 грн
100+ 13.01 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 11.76 грн
3000+ 9.79 грн
9000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2100UFU-7Diodes IncDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 0.9W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.95 грн
27+ 12.87 грн
80+ 9.93 грн
220+ 9.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
14+ 22.14 грн
100+ 11.96 грн
1000+ 6.37 грн
3000+ 5.65 грн
9000+ 4.8 грн
24000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2100UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2100UQ-7DIODES/ZETEXP-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.6 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.76 грн
55+ 6.23 грн
100+ 5.55 грн
167+ 4.79 грн
457+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 369000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.2 грн
6000+ 5.84 грн
9000+ 5.17 грн
30000+ 4.79 грн
75000+ 4.07 грн
150000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+12.92 грн
33+ 7.76 грн
100+ 6.65 грн
167+ 5.75 грн
457+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2101UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 9-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
товар відсутній
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DSN1515-9 T&R 3K
товар відсутній
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 970mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
товар відсутній
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 54914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.5 грн
100+ 12.9 грн
500+ 11.21 грн
1000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel
на замовлення 428731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
16+ 20.03 грн
100+ 10.65 грн
1000+ 7.16 грн
3000+ 6.44 грн
9000+ 6.05 грн
24000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.04 грн
25+ 15.18 грн
91+ 10.6 грн
249+ 10.02 грн
3000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.86 грн
29+ 12.19 грн
91+ 8.83 грн
249+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+25.26 грн
611+ 19.09 грн
705+ 16.52 грн
831+ 13.52 грн
1116+ 9.32 грн
3000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 461
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+ 7.16 грн
9000+ 6.45 грн
30000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2104LP-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.52 грн
22+ 26.51 грн
25+ 23.46 грн
100+ 17.09 грн
250+ 13.7 грн
500+ 11.16 грн
1000+ 8.31 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній