Продукція > DN3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
товар відсутній
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1415.79 грн
20+ 1181.63 грн
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4594.33 грн
5+ 4502.36 грн
10+ 4255.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5205.88 грн
4+ 5100.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11262.43 грн
3+ 10812.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11262.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11262.43 грн
3+ 10812.57 грн
10+ 10380.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4824.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4824.24 грн
4+ 4727.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3135K1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.74 грн
25+ 43.31 грн
100+ 38.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
на замовлення 36399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.6 грн
25+ 40.22 грн
100+ 31.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+53.9 грн
Мінімальне замовлення: 214
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.87 грн
5+ 70.75 грн
16+ 60.83 грн
43+ 57.59 грн
100+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 129376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.92 грн
25+ 36.2 грн
100+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
16+ 50.69 грн
43+ 47.99 грн
100+ 47.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.82 грн
25+ 47.98 грн
50+ 45.46 грн
100+ 41.35 грн
250+ 38.98 грн
500+ 38.27 грн
1000+ 37.56 грн
3000+ 36.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.31 грн
1000+ 53.99 грн
3000+ 52.58 грн
6000+ 49.4 грн
9000+ 44.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN3135N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.3 грн
25+ 52.47 грн
100+ 49.81 грн
250+ 45.38 грн
500+ 42.87 грн
1000+ 42.16 грн
3000+ 41.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.71 грн
2000+ 37.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 190
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GSUPERTEX
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.64 грн
25+ 43.07 грн
100+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.4 грн
25+ 47.24 грн
100+ 41.71 грн
2000+ 37.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.01 грн
25+ 47.91 грн
100+ 36.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.33 грн
4000+ 61.71 грн
6000+ 60.04 грн
8000+ 56.44 грн
10000+ 50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.05 грн
25+ 55.92 грн
100+ 53.8 грн
250+ 49.69 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 47.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3145N8-gSUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.36 грн
4000+ 67.24 грн
6000+ 64.24 грн
8000+ 59.84 грн
10000+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFET 450V 60Ohm
на замовлення 77208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.01 грн
10+ 55.59 грн
25+ 44.84 грн
100+ 41.66 грн
4000+ 39.91 грн
10000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 89915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.26 грн
25+ 47.42 грн
100+ 43.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 166
DN3200MolexConn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4813.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R124K25BT
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.15 грн
36+ 15.93 грн
100+ 7.18 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 2.64 грн
9000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 97929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.27 грн
16+ 16.9 грн
100+ 8.54 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.72 грн
18+ 16.86 грн
100+ 6.55 грн
1000+ 5 грн
3000+ 4.02 грн
9000+ 3.31 грн
24000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.79 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3650
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3589+3.2 грн
Мінімальне замовлення: 3589
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+ 4.16 грн
9000+ 3.59 грн
30000+ 3.31 грн
75000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.48 грн
40+ 18.56 грн
100+ 7.79 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3334
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+17.8 грн
44+ 13 грн
45+ 12.9 грн
105+ 5.26 грн
250+ 4.82 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3525N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-G
Код товару: 165361		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.86 грн
25+ 45.56 грн
100+ 40.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.3A
Case: SOT89-3
товар відсутній
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.4 грн
25+ 49.28 грн
100+ 43.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.73 грн
25+ 54.55 грн
100+ 52.43 грн
250+ 48.39 грн
500+ 46.3 грн
1000+ 46.15 грн
3000+ 46 грн
6000+ 45.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+59.54 грн
196+ 58.75 грн
197+ 56.47 грн
250+ 52.11 грн
500+ 49.86 грн
1000+ 49.7 грн
3000+ 49.54 грн
6000+ 49.37 грн
Мінімальне замовлення: 194
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 250V 6Ohm
на замовлення 139216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.93 грн
25+ 50.67 грн
100+ 39.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.3A
Case: SOT89-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
товар відсутній
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.71 грн
25+ 51.32 грн
100+ 50.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+68.73 грн
176+ 65.32 грн
180+ 64.19 грн
183+ 60.8 грн
250+ 55.29 грн
500+ 52.11 грн
1000+ 51.14 грн
Мінімальне замовлення: 168
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+89.41 грн
133+ 86.52 грн
250+ 83.82 грн
500+ 78.38 грн
1000+ 70.44 грн
Мінімальне замовлення: 129
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.26 грн
25+ 47.42 грн
100+ 43.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Polarisation: unipolar
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.97 грн
4+ 69.07 грн
10+ 56.78 грн
45+ 54.34 грн
100+ 52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.63 грн
4000+ 69.75 грн
6000+ 67.93 грн
8000+ 63.81 грн
10000+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
на замовлення 16978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.36 грн
25+ 52.76 грн
100+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Polarisation: unipolar
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.98 грн
7+ 55.43 грн
10+ 47.32 грн
45+ 45.29 грн
100+ 43.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+63.82 грн
10+ 60.66 грн
25+ 59.61 грн
100+ 56.46 грн
250+ 51.34 грн
500+ 48.39 грн
1000+ 47.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.26 грн
25+ 47.42 грн
100+ 43.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.36 грн
25+ 52.76 грн
100+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+61.99 грн
193+ 59.66 грн
Мінімальне замовлення: 186
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.74W
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76 грн
5+ 65.7 грн
18+ 54.34 грн
48+ 51.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.93 грн
25+ 53.87 грн
100+ 46.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.74W
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.33 грн
7+ 52.72 грн
18+ 45.29 грн
48+ 43.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.56 грн
25+ 55.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+91.96 грн
137+ 84.05 грн
Мінімальне замовлення: 125
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET 3L TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 153
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 34791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.88 грн
25+ 50.56 грн
100+ 46.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
на замовлення 18015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.72 грн
100+ 56.19 грн
500+ 45.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.23 грн
2000+ 76.43 грн
4000+ 74.9 грн
6000+ 70.31 грн
8000+ 63.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-G
Код товару: 176174		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.04 грн
25+ 61.73 грн
100+ 56.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.68 грн
10+ 64.39 грн
25+ 63.68 грн
100+ 60.74 грн
250+ 55.61 грн
500+ 52.79 грн
1000+ 52.18 грн
3000+ 51.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.53 грн
10+ 902.9 грн
DN3687GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.71 грн
25+ 196.26 грн
100+ 158.33 грн
4000+ 157.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.28 грн
25+ 170.66 грн
100+ 154.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000