Продукція > DTD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTD04S01DENMOS
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD05101DENMOS
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD05202DENMOS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD11003DENMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.37 грн
22+ 14.17 грн
100+ 6.72 грн
500+ 4.55 грн
1000+ 2.96 грн
3000+ 2.44 грн
9000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.68 грн
27+ 10.36 грн
100+ 5.07 грн
500+ 3.97 грн
1000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товар відсутній
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15 грн
60+ 12.42 грн
109+ 6.78 грн
500+ 4.26 грн
1000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
DTD113ECT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
13+ 23.34 грн
100+ 10.81 грн
500+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+3.47 грн
169+ 3.42 грн
171+ 3.39 грн
173+ 3.23 грн
175+ 2.95 грн
250+ 2.79 грн
500+ 2.76 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 167
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORDTD113ECT116 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
DTD113EK
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH
товар відсутній
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.51 грн
12+ 27.5 грн
100+ 17.85 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 10.87 грн
3000+ 9.82 грн
6000+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.52 грн
12+ 25.31 грн
100+ 15.02 грн
500+ 11.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-346
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.67 грн
29+ 26.09 грн
100+ 15.82 грн
500+ 11.05 грн
1000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+4.97 грн
174+ 3.34 грн
192+ 3.01 грн
194+ 2.88 грн
350+ 1.48 грн
353+ 1.41 грн
500+ 1.39 грн
1000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 117
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD113EKT146 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD113ESROHMTO-92S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ESROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
6000+ 2.76 грн
9000+ 2.28 грн
30000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.03 грн
50+ 14.93 грн
127+ 5.86 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.47 грн
5000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 34
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+10.92 грн
2500+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 1112
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.53 грн
23+ 12.08 грн
100+ 5.92 грн
500+ 4.63 грн
1000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2942+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 2942
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.44 грн
1000+ 3.46 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 15159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.99 грн
27+ 11.37 грн
100+ 4.81 грн
1000+ 3.29 грн
3000+ 2.64 грн
9000+ 2.17 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.58 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.81 грн
55+ 13.53 грн
130+ 5.69 грн
500+ 4.39 грн
1000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 38
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 27654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.75 грн
18+ 17.35 грн
100+ 6.19 грн
1000+ 4.28 грн
3000+ 3.03 грн
24000+ 2.96 грн
45000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+17.87 грн
1000+ 17.29 грн
2500+ 16.18 грн
5000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 676
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.53 грн
500+ 6.86 грн
1000+ 4.31 грн
3000+ 3.33 грн
6000+ 2.81 грн
12000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZKROHMSOT23
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZKROHM
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 15610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
15+ 20.31 грн
100+ 10.01 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 5.47 грн
9000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 34973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1586+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 1586
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
товар відсутній
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 162238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
14+ 20.73 грн
100+ 14.1 грн
500+ 9.92 грн
1000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.75 грн
34+ 22.1 грн
100+ 11.46 грн
500+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 82792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1839+6.35 грн
1954+ 5.98 грн
1998+ 5.84 грн
2052+ 5.48 грн
6000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 1839
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
6000+ 6.83 грн
15000+ 6.39 грн
30000+ 5.5 грн
75000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 15281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+24.03 грн
505+ 23.16 грн
1000+ 22.4 грн
2500+ 20.96 грн
5000+ 18.89 грн
10000+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 486
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.59 грн
500+ 10.91 грн
1000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD113ZS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD113ZUROHMSOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZUROHM07+ SOT-323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZU T106ROHM0239+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZU T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 44135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+13.99 грн
912+ 12.8 грн
1070+ 10.92 грн
1121+ 10.05 грн
2000+ 8.71 грн
6000+ 7.85 грн
12000+ 7.2 грн
24000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 835
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.99 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+36.47 грн
334+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 321
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10 грн
6000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 31248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
12+ 27.43 грн
100+ 16.6 грн
500+ 12.91 грн
1000+ 10.54 грн
3000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+36.47 грн
334+ 35.01 грн
500+ 33.74 грн
1000+ 31.48 грн
2500+ 28.28 грн
5000+ 26.42 грн
10000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 321
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.99 грн
23+ 13.49 грн
100+ 4.81 грн
1000+ 3.36 грн
3000+ 2.64 грн
9000+ 2.17 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.81 грн
55+ 13.45 грн
141+ 5.25 грн
500+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+5.57 грн
2500+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 2095
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.53 грн
23+ 12.08 грн
100+ 5.92 грн
500+ 4.63 грн
1000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.87 грн
500+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1933+6.04 грн
2116+ 5.52 грн
2472+ 4.72 грн
2605+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 1933
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.38 грн
39+ 19.14 грн
100+ 8.87 грн
500+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.49 грн
37+ 15.75 грн
38+ 15.59 грн
62+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
DTD114ECT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.44 грн
18+ 17.35 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 4.48 грн
3000+ 3.69 грн
9000+ 2.83 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114EKROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EK-T146ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.98 грн
36+ 20.92 грн
100+ 11.9 грн
500+ 7.96 грн
1000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.9 грн
500+ 7.96 грн
1000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
6000+ 7.13 грн
9000+ 6.42 грн
30000+ 5.94 грн
75000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.03 грн
42+ 17.96 грн
100+ 11.6 грн
500+ 8.58 грн
1000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 34
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 56494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1111+10.51 грн
1299+ 8.99 грн
1370+ 8.52 грн
2000+ 7.68 грн
3000+ 7.07 грн
6000+ 6.42 грн
12000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 1111
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.19 грн
30+ 8.64 грн
100+ 7.47 грн
175+ 5.44 грн
475+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+15.61 грн
776+ 15.05 грн
1000+ 14.56 грн
2500+ 13.63 грн
5000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 748
DTD114EKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 48911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.75 грн
13+ 24.02 грн
100+ 11.66 грн
1000+ 7.91 грн
3000+ 6.92 грн
9000+ 6.26 грн
24000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.83 грн
50+ 6.93 грн
100+ 6.22 грн
175+ 4.53 грн
475+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 93093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.51 грн
13+ 21.41 грн
100+ 12.84 грн
500+ 11.16 грн
1000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.6 грн
500+ 8.58 грн
1000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD114ESROHMTO-92S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 7644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
16+ 19.78 грн
100+ 7.12 грн
1000+ 5.27 грн
3000+ 4.55 грн
9000+ 3.62 грн
24000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
16+ 17.64 грн
100+ 8.92 грн
500+ 6.83 грн
1000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+5.12 грн
2500+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 2280
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.11 грн
34+ 17.03 грн
35+ 16.86 грн
50+ 16.07 грн
100+ 8.93 грн
250+ 5.75 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.44 грн
100+ 7.53 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD114GCT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.75 грн
18+ 17.35 грн
100+ 6.19 грн
1000+ 4.28 грн
3000+ 3.36 грн
9000+ 2.83 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1729+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1729
DTD114GK T146ROHMSOT23
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+24.03 грн
505+ 23.16 грн
1000+ 22.4 грн
2500+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 486
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.17 грн
6000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+24.03 грн
505+ 23.16 грн
Мінімальне замовлення: 486
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.61 грн
39+ 19.36 грн
100+ 8.94 грн
500+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 31
DTD114GKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.2 грн
11+ 29.7 грн
100+ 13.24 грн
1000+ 9.95 грн
3000+ 8.5 грн
9000+ 7.97 грн
24000+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+24.03 грн
505+ 23.16 грн
1000+ 22.4 грн
2500+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 486
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
11+ 25.39 грн
100+ 15.24 грн
500+ 13.24 грн
1000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
товар відсутній
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7768.42 грн
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
товар відсутній
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
товар відсутній
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7768.42 грн
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
товар відсутній
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
товар відсутній
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
товар відсутній
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7768.42 грн
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
товар відсутній
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
товар відсутній
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
товар відсутній
DTD122JKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA
товар відсутній
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товар відсутній
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
16+ 19.78 грн
100+ 7.12 грн
1000+ 5.27 грн
3000+ 4.22 грн
9000+ 3.62 грн
24000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: DTD123ECHZG IS THE HIGH RELIABIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
14+ 20.93 грн
100+ 11.85 грн
500+ 7.36 грн
1000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: DTD123ECHZG IS THE HIGH RELIABIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.44 грн
100+ 7.53 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123ECT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
11+29.21 грн
13+ 23.34 грн
100+ 10.81 грн
500+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123EKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHM04+ SOT-23
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHMSOT23
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EK T146ROHMSOT23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.49 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.31 грн
33+ 22.47 грн
100+ 12.56 грн
500+ 8.58 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTD123EKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.52 грн
13+ 25.08 грн
100+ 14.82 грн
500+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123EKT146 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 7538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.65 грн
12+ 24.16 грн
100+ 16.45 грн
500+ 11.58 грн
1000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
6000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
6000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 5831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.29 грн
24+ 12.8 грн
100+ 4.61 грн
1000+ 3.16 грн
3000+ 2.5 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.12 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TCT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.44 грн
17+ 18.79 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 4.48 грн
3000+ 3.29 грн
9000+ 2.83 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+14.78 грн
62+ 12.05 грн
110+ 6.73 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 50
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+3.67 грн
214+ 2.7 грн
227+ 2.55 грн
229+ 2.44 грн
445+ 1.16 грн
450+ 1.1 грн
560+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 158
DTD123TKROHMSOT23
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123TKT146 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.32 грн
22+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
11+ 25.67 грн
100+ 15.38 грн
500+ 13.36 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD123TKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 500MA
на замовлення 8629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.2 грн
11+ 28.56 грн
100+ 13.77 грн
1000+ 9.36 грн
3000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
товар відсутній
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.38 грн
39+ 19.14 грн
100+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 11541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.44 грн
14+ 21.97 грн
100+ 10.15 грн
500+ 6.72 грн
1000+ 4.55 грн
3000+ 3.56 грн
9000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.44 грн
100+ 7.53 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD123YCT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 27421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
13+ 23.34 грн
100+ 10.81 грн
500+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
6000+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YCT116ROHM SEMICONDUCTORDTD123YCT116 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.44 грн
100+ 7.53 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD123YKROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKROHMSOT23
на замовлення 84620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKROHM05+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YK/F62
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.75 грн
35+ 21.29 грн
100+ 10.57 грн
500+ 7.27 грн
1000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 26
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123YKFRAT146 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.9 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.07 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.12 грн
500+ 12.05 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
товар відсутній
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.17 грн
6000+ 8.29 грн
15000+ 7.76 грн
30000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123YKT146 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD123YKT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
на замовлення 26652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.44 грн
13+ 25.08 грн
100+ 11.13 грн
1000+ 8.37 грн
3000+ 6.06 грн
9000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123YKT147
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD13001DENMOS
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD133EK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD133HKT146
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товар відсутній
DTD143ECROHMSOT23
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ECRICOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 2280
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.39 грн
26+ 10.71 грн
100+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.14 грн
27+ 11.44 грн
100+ 4.08 грн
1000+ 3.03 грн
3000+ 2.44 грн
9000+ 1.84 грн
24000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.32 грн
1000+ 2.72 грн
3000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2451+4.76 грн
2789+ 4.19 грн
2913+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 2451
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3 грн
57000+ 2.73 грн
114000+ 2.54 грн
171000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3897
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.11 грн
56+ 13.23 грн
107+ 6.95 грн
500+ 4.32 грн
1000+ 2.72 грн
3000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 46
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.29 грн
55+ 13.45 грн
100+ 8.5 грн
500+ 7.76 грн
Мінімальне замовлення: 39
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.23 грн
15+ 19.08 грн
100+ 10.12 грн
500+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+10.11 грн
1194+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1155
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD143ECT116
Код товару: 169680		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+3.77 грн
3290+ 3.55 грн
3394+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3093
DTD143ECT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.06 грн
18+ 17.28 грн
100+ 9.49 грн
1000+ 4.22 грн
3000+ 3.69 грн
9000+ 2.83 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
14+ 20.86 грн
100+ 12.99 грн
500+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143ECT216ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 500mA
товар відсутній
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143EKROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKROHMSOT23
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKAROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.75 грн
13+ 23.87 грн
100+ 15.48 грн
500+ 12.19 грн
1000+ 9.95 грн
3000+ 7.84 грн
9000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.99 грн
38+ 19.96 грн
100+ 14.93 грн
500+ 10.91 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 33
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
12+ 23.81 грн
100+ 16.58 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.93 грн
500+ 10.91 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
6000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+38.3 грн
500+ 36.91 грн
1000+ 34.43 грн
2500+ 30.94 грн
5000+ 28.91 грн
10000+ 28.2 грн
25000+ 27.57 грн
Мінімальне замовлення: 327
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1286+9.08 грн
1464+ 7.98 грн
1531+ 7.63 грн
2000+ 6.96 грн
6000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 1286
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
13+ 22.79 грн
100+ 15.81 грн
500+ 11.58 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+38.3 грн
500+ 36.91 грн
1000+ 34.43 грн
Мінімальне замовлення: 327
DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 21270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.05 грн
12+ 25.31 грн
100+ 15.35 грн
500+ 11.93 грн
1000+ 9.75 грн
3000+ 8.24 грн
9000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD143EKT146/F23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ESROHMTO-92S
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143TKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.44 грн
13+ 25.08 грн
100+ 14.89 грн
1000+ 8.63 грн
3000+ 7.31 грн
9000+ 6.65 грн
24000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
13+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+7.64 грн
1697+ 6.88 грн
1761+ 6.63 грн
2000+ 6.09 грн
6000+ 5.39 грн
12000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 1528
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+25.79 грн
472+ 24.76 грн
500+ 23.86 грн
1000+ 22.26 грн
2500+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 453
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: 230V
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9640.76 грн
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10103.44 грн
DTD17102DENMOS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD26101DENMOS
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+57971.42 грн
3+ 53933.1 грн
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48309.52 грн
3+ 43279.65 грн
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
товар відсутній
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
14+ 22.43 грн
100+ 13.31 грн
1000+ 7.71 грн
3000+ 6.52 грн
9000+ 6 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
15+ 19.15 грн
100+ 11.47 грн
500+ 9.97 грн
1000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+11.64 грн
1037+ 11.26 грн
2500+ 10.92 грн
5000+ 10.25 грн
Мінімальне замовлення: 1003
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
13+ 23.87 грн
100+ 8.89 грн
1000+ 6.85 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 5.27 грн
24000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1987+5.87 грн
2229+ 5.24 грн
2322+ 4.85 грн
3000+ 4.47 грн
6000+ 4.27 грн
12000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 1987
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
14+ 20.25 грн
100+ 10.21 грн
500+ 8.49 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.08 грн
14+ 19.97 грн
100+ 12.47 грн
500+ 8.01 грн
1000+ 6.16 грн
2000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),
товар відсутній
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.59 грн
12+ 25.99 грн
100+ 14.1 грн
500+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
товар відсутній
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
15+ 19.42 грн
100+ 11.64 грн
500+ 10.12 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
14+ 22.73 грн
100+ 13.51 грн
1000+ 7.84 грн
3000+ 6.59 грн
9000+ 6.06 грн
24000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A; SOT416
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 140
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 260MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Base resistor: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
товар відсутній
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.59 грн
13+ 24.7 грн
100+ 9.22 грн
1000+ 7.31 грн
3000+ 5.93 грн
9000+ 5.47 грн
24000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A; SOT416
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 140
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 260MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Base resistor: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.44 грн
14+ 23.11 грн
100+ 13.7 грн
1000+ 8.57 грн
2500+ 6.46 грн
8000+ 5.67 грн
48000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD523YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTD523YMT2L NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
15+ 19.35 грн
100+ 11.58 грн
500+ 10.06 грн
1000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
14+ 22.43 грн
100+ 13.31 грн
1000+ 7.71 грн
3000+ 6.52 грн
9000+ 6 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
14+ 22.5 грн
100+ 8.76 грн
1000+ 6.85 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 5.27 грн
24000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
14+ 20.25 грн
100+ 10.21 грн
500+ 8.49 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.29 грн
17+ 18.26 грн
100+ 10.61 грн
1000+ 8.1 грн
2500+ 6.46 грн
8000+ 5.14 грн
24000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
15+ 19.35 грн
100+ 11.58 грн
500+ 10.06 грн
1000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
14+ 22.43 грн
100+ 13.31 грн
1000+ 7.71 грн
3000+ 6.52 грн
9000+ 6 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD543XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.05 грн
13+ 23.94 грн
100+ 12.98 грн
1000+ 7.51 грн
3000+ 5.93 грн
9000+ 5.27 грн
24000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
14+ 22.43 грн
100+ 13.31 грн
1000+ 7.71 грн
3000+ 6.52 грн
9000+ 6 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
17+ 18.26 грн
100+ 10.48 грн
1000+ 7.77 грн
2500+ 6.46 грн
8000+ 5.14 грн
24000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD713ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
товар відсутній
DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD713ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRNSISTR DIGI NPN 200MA
товар відсутній
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD723YETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA
товар відсутній
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD723YMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
товар відсутній
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD743EETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT
товар відсутній
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD743XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT
товар відсутній
DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD743ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTDG14GPROHM09+
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GP
Код товару: 106265		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTDG14GPROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GPROHMSOT89
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GP/EO1PROHM
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.84 грн
13+ 60.53 грн
100+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.7 грн
2000+ 12.65 грн
5000+ 12.01 грн
10000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC62; SOT89
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300
Collector current: 1A
товар відсутній
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC62; SOT89
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300
Collector current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 32.05 грн
100+ 22.3 грн
500+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DTDG14GPT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 60V 1A
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.2 грн
10+ 35.76 грн
100+ 23.19 грн
500+ 18.25 грн
1000+ 14.1 грн
2000+ 11.99 грн
10000+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
DTDG14PROHMN A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG23YPROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
DTDG23YPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG23YPT100 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.79 грн
20+ 37.99 грн
100+ 29.12 грн
500+ 21.34 грн
1000+ 19.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.19 грн
10+ 42.51 грн
100+ 27.14 грн
500+ 22.66 грн
1000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.12 грн
500+ 21.34 грн
1000+ 19.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.89 грн
10+ 41.59 грн
100+ 28.78 грн
500+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDS14GPHRAT100ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
товар відсутній
DTDV23YPHRAT101ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)