Продукція > FDB

GBIC EVALUATION BOARD FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1012

Description: BOARD EVAL GBIC TXRX

товар відсутній

FDB-1017

Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1017

FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1017

EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1018

товар відсутній

FDB-1019

Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1019

EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1019

Evaluation Board for 2X10 Pin

товар відсутній

FDB-1019

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr

товар відсутній

FDB-1022

XFP Evaluation Board FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	46348.43 грн

FDB-1022

XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	46348.43 грн

FDB-1022

Description: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1027

FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit

товар відсутній

FDB-1027

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDB-1027

Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1032-SFP+

Description: EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE S
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	77592.35 грн

FDB-1032-SFP+

EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE

товар відсутній

FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	87135.05 грн

FDB-1032-SFP+

Evaluation Board For Pluggable

товар відсутній

FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	87135.05 грн

FDB-1033

Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1033

Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA

товар відсутній

FDB-1034

FDB-1034
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1038-10BK

Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

товар відсутній

FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

товар відсутній

FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

товар відсутній

FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDB-1040-EL

40G/100G CFP Electrical Loop B

товар відсутній

FDB-1042

Description: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDB-1042

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1043

Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1043

C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1043

CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

товар відсутній

FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

товар відсутній

FDB-1044

Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB-1044

Description: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

товар відсутній

FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

товар відсутній

FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

товар відсутній

FDB-1045

Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

товар відсутній

FDB-1047-CL

Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

товар відсутній

FDB-1047-S

Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1048

Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+

товар відсутній

FDB-1048

WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF

товар відсутній

FDB-1048

Description: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1050

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out

товар відсутній

FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	126416.59 грн

FDB-1051

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation

товар відсутній

FDB-1051

Description: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	126416.59 грн

FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

товар відсутній

FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

товар відсутній

FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

товар відсутній

FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

товар відсутній

FDB-1052

Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

100G CFP2 Breakout/Loopback

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1054-4BK

100G CFP4 Breakout Board

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1057

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out

товар відсутній

FDB-1057

Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out

товар відсутній

FDB-1061-EL-BT

Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT

товар відсутній

FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX

Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out

товар відсутній

FDB-1067-CFP2-DCO

Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)

товар відсутній

FDB-1068-QSFP-DD-DCO

Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)

товар відсутній

FDB-2 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC

товар відсутній

FDB-2 24-M

товар відсутній

FDB-2 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
Mounting: 1/2" NPT
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-2 24-N

товар відсутній

FDB-25P(05)

D-Sub Standard Connectors

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1797.97 грн
10+	1584.09 грн
50+	1286.78 грн
100+	1264.44 грн
250+	1228.95 грн
500+	1211.86 грн
1000+	1198.72 грн

FDB-25P(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1638.63 грн

FDB-25P(51)

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDB-25P0L2TI2/1-LF

Filter D Straight Solder PCB

товар відсутній

FDB-25PBL2TI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1924.92 грн
5+	1805.49 грн
10+	1689.74 грн
25+	1546.45 грн

FDB-25PBL2TI2/1-LF

Filter D Connector 25way Plug

товар відсутній

FDB-25PF(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1748.82 грн
10+	1474.23 грн

FDB-25PF(05)

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDB-25PTI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 25Contacts
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3038.14 грн
5+	2842.77 грн
10+	2640.77 грн

FDB-25PTI2/1-LF

Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

товар відсутній

FDB-25S(05)

D-Sub Standard Connectors

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1957.44 грн
10+	1493.4 грн
30+	1297.95 грн
50+	1297.3 грн
100+	1296.64 грн
250+	1295.98 грн
500+	1206.6 грн

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)

товар відсутній

FDB-25S(05)

Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Feed Through
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1952.85 грн
10+	1646.54 грн

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)
кількість в упаковці: 100 шт

товар відсутній

FDB-25S0L2T2/1-LF

25 way Filter D Connector Socket

товар відсутній

FDB-25SBL2T2/1-LF

Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K

товар відсутній

FDB-25SBL2T2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1714.07 грн
5+	1711.12 грн
10+	1708.17 грн
25+	1519.76 грн
50+	1366.2 грн
100+	1338.4 грн

FDB-25ST2/1-LF

Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

товар відсутній

FDB-25ST2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2561.15 грн
5+	2351.04 грн
10+	2154.94 грн
25+	1948.3 грн
50+	1750.4 грн

FDB-3

Plato

Chemicals CAP 10/PACK

товар відсутній

FDB-3 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC

товар відсутній

FDB-3 24-M

товар відсутній

FDB-3 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Kind of surge arrester: Type 2+3
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Mounting: 1/2" NPT
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-3 24-N

товар відсутній

FDB-4

Plato

Chemicals YELLOWCAP 10/PACK

товар відсутній

FDB-GP

Description: CONN GUIDE PLATE

товар відсутній

FDB-P

Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE

товар відсутній

FDB-P

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

товар відсутній

FDB-S

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

товар відсутній

FDB0105N407L
Код товару: 155287

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 1582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	331.99 грн
10+	298.53 грн
25+	255.65 грн
100+	230.67 грн
250+	226.07 грн
500+	198.47 грн

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB0105N407L

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB0165N807L

MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 3149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.14 грн
10+	430.79 грн
25+	373.28 грн
100+	337.8 грн
250+	337.14 грн
500+	335.82 грн
800+	277.33 грн

FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	328.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0165N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	520.38 грн
10+	429.84 грн
100+	358.2 грн

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.01 грн
10+	217.15 грн
100+	175.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB016N04AL7

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB016N04AL7

Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	162.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB016N04AL7

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 769 шт:

термін постачання 241-250 дні (днів)

1+	352.69 грн
100+	312.89 грн
500+	239.22 грн

FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0170N607L

MOSFET 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 13599 шт:

термін постачання 458-467 дні (днів)

2+	302.09 грн
10+	267.54 грн
100+	191.24 грн
500+	176.78 грн
800+	162.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB0190N807L

Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead

товар відсутній

FDB0190N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.95 грн
10+	238.27 грн
25+	238.2 грн
100+	199.38 грн
250+	181.47 грн
500+	168.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

товар відсутній

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0190N807L

товар відсутній

FDB0190N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 683-692 дні (днів)

1+	405.6 грн
10+	346.14 грн
25+	292.45 грн
100+	245.13 грн
250+	237.9 грн
500+	180.07 грн

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

товар відсутній

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 33049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	188.4 грн

Мінімальне замовлення: 105

FDB024N04AL7

Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N04AL7

MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.7 грн
10+	374.11 грн
25+	307.57 грн
100+	266.82 грн

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB024N06

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.03 грн
10+	304.58 грн
25+	249.73 грн
100+	214.24 грн
250+	202.41 грн
500+	189.93 грн
800+	168.9 грн

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	394.75 грн
36+	329.64 грн
38+	308.37 грн
100+	260.23 грн
250+	228.07 грн
500+	166.99 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB024N06

Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB024N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	366.56 грн
10+	306.09 грн
25+	286.34 грн
100+	234.83 грн
250+	209.46 грн
500+	155.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB024N06

товар відсутній

FDB024N06

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.1 грн
10+	274.24 грн
100+	221.84 грн

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N08BL7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 246W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 916A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 89995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	300.71 грн
10+	243.02 грн
100+	196.56 грн

FDB024N08BL7

товар відсутній

FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 89600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	181.44 грн
1600+	149.61 грн
2400+	140.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB024N08BL7

Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N08BL7

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 9464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.62 грн
10+	270.57 грн
25+	222.13 грн
100+	189.93 грн
250+	179.41 грн
500+	147.21 грн
800+	136.04 грн

FDB024N08BL7

Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB0250N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.79 грн
10+	349.06 грн
100+	285.99 грн

FDB0250N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB0250N807L

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

товар відсутній

FDB0260N1007L

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	550.71 грн
100+	456.35 грн
500+	379.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 1306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	637.68 грн
10+	525.96 грн
100+	438.29 грн

FDB0260N1007L

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	628.86 грн
10+	550.71 грн
100+	456.35 грн
500+	379.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	401.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0260N1007L

MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	294.03 грн
1600+	246.61 грн
2400+	237.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB029N06

MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.16 грн
10+	364.28 грн
25+	305.59 грн
100+	274.71 грн
250+	272.08 грн
500+	253.02 грн
800+	222.13 грн

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.42 грн
10+	392.74 грн
100+	325.16 грн

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0300N1007L

MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.82 грн
10+	291.73 грн
25+	253.02 грн
100+	184.67 грн
250+	182.7 грн

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	259.75 грн
1600+	210.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.05 грн
10+	393.73 грн
25+	374.92 грн
100+	311.63 грн
250+	220.21 грн
500+	209.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0300N1007L

Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.46 грн
10+	358.65 грн
100+	293.83 грн

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	460.03 грн
10+	380.15 грн
25+	312.17 грн
100+	267.48 грн
250+	252.36 грн
500+	237.9 грн
800+	210.96 грн

FDB035AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.76 грн
4+	242.34 грн
9+	229.33 грн
100+	227.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.3 грн
10+	289.99 грн
100+	234.57 грн

FDB035AN06A0

MOSFET N-Channel PowerTrench

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	389.5 грн
10+	321.96 грн
25+	271.42 грн
100+	226.73 грн
250+	220.16 грн
500+	212.93 грн
800+	178.76 грн

FDB035AN06A0

на замовлення 327 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	398.11 грн
4+	301.99 грн
9+	275.2 грн
100+	273.56 грн

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	402.95 грн
10+	357.33 грн
25+	353.8 грн
100+	278.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	216.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	433.95 грн
31+	381.02 грн
100+	299.6 грн

Мінімальне замовлення: 27

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 61429600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB035AN06AD

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035AN06AO

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N

06+ SIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N10A

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.84 грн
10+	392.24 грн
25+	321.37 грн
100+	275.36 грн
250+	260.25 грн
500+	245.13 грн
800+	216.87 грн

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035N10A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 214
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.66 грн
10+	434.23 грн
100+	363.46 грн
500+	282.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	436.5 грн
10+	352.83 грн
100+	285.47 грн

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035N10A

товар відсутній

FDB035N10A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	434.23 грн
100+	363.46 грн
500+	282.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB039N06

Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB045AN08

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.15 грн
10+	192.5 грн
100+	155.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 35200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	218.3 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08A0

MOSFET N-Channel UltraFET

на замовлення 8108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.15 грн
10+	214.64 грн
25+	182.7 грн
100+	151.15 грн
250+	150.5 грн
800+	118.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	169.4 грн
1600+	149.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	166.64 грн
1600+	147.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0-F085

MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085C

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08A0-SN00237

Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	134.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.91 грн
10+	236.47 грн
25+	229.62 грн
100+	181.46 грн
250+	166.34 грн
500+	132.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB047N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	161.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

TO263 10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	152.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

товар відсутній

FDB047N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 10690 шт:

термін постачання 473-482 дні (днів)

2+	250.72 грн
10+	213.13 грн
25+	176.78 грн
100+	155.1 грн
250+	148.53 грн
500+	141.3 грн
800+	130.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	299.29 грн
46+	254.66 грн
48+	247.28 грн
100+	195.42 грн
250+	179.14 грн
500+	142.5 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.68 грн
10+	162.52 грн
100+	130.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB050AN06A0

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.3 грн
10+	145.24 грн
100+	123.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB050AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB050AN06A0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.48 грн
10+	161.73 грн
100+	113.04 грн
800+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	160.86 грн
10+	89.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB050AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB050AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	294.31 грн
10+	254.11 грн
100+	208.24 грн

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.94 грн
10+	251.03 грн
25+	244.32 грн
100+	191.26 грн
250+	174.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB060AN08A0

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	184.09 грн
1600+	149.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	302.55 грн
44+	270.34 грн
45+	263.12 грн
100+	205.97 грн
250+	187.87 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDB060AN08A0

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.04 грн
10+	235.91 грн
100+	193.16 грн
500+	155.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB060AN08A0

MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench

на замовлення 1163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.58 грн
10+	175.34 грн
25+	150.5 грн
100+	134.07 грн
250+	132.75 грн
500+	129.47 грн
800+	110.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

на замовлення 79324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.7 грн
10+	349.68 грн
100+	291.4 грн

FDB0630N1507L

MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 3620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.87 грн
10+	393 грн
25+	310.19 грн
100+	284.56 грн
250+	267.48 грн
500+	247.1 грн
800+	219.5 грн

FDB0630N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

на замовлення 78400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	267 грн
1600+	231.4 грн
2400+	216.83 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0690N1507L

MOSFET 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB069AN04C0-BINZ

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.07 грн
1600+	106.42 грн
2400+	100.21 грн
5600+	90.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB070AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	228.25 грн
5+	196.21 грн
6+	162.65 грн
17+	153.62 грн
800+	149.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.21 грн
5+	157.45 грн
6+	135.55 грн
17+	128.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 7986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.98 грн
10+	172.86 грн
100+	139.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

на замовлення 2457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.78 грн
10+	191.97 грн
25+	161.67 грн
100+	135.38 грн
250+	130.78 грн
500+	114.35 грн
800+	99.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 695 шт:

термін постачання 788-797 дні (днів)

2+	249.19 грн
10+	221.44 грн
100+	157.73 грн
500+	134.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 24800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 65024800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.86 грн
1600+	174.68 грн
2400+	164.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.79 грн
10+	250.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB075N15A

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	423.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	179.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 6896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.19 грн
10+	283.69 грн
100+	229.51 грн

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	291.79 грн
43+	271.2 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDB075N15A

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.06 грн
10+	315.16 грн
25+	258.28 грн
100+	222.13 грн
250+	208.99 грн
500+	196.5 грн
800+	174.81 грн

FDB075N15A-F085

Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	360.51 грн
10+	314.8 грн
100+	266.14 грн
500+	210.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB075N15A-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317.42 грн
10+	281.15 грн
100+	201.1 грн
500+	170.21 грн
800+	155.1 грн
2400+	149.18 грн
4800+	147.87 грн

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

FDB075N15A-F085

товар відсутній

FDB075N15A-F085C

Description: MODULE
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDB075N15A_SN00284

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDB075N15A_TAPE

Micross Components

FDB075N15A_TAPE

товар відсутній

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 1288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.43 грн
10+	341.61 грн
25+	296.39 грн
100+	262.22 грн
250+	260.91 грн
500+	241.85 грн
800+	214.24 грн

FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.66 грн
10+	331.74 грн
100+	276.42 грн

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 294W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.2mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 468A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

товар відсутній

FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB088N08

FDB088N08 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDB088N08

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

на замовлення 48412000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB088N08

MOSFET NCH 75V 8.8Mohm

на замовлення 979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.62 грн
10+	188.19 грн
100+	131.44 грн
500+	108.44 грн
800+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

на замовлення 48412000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB10AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

товар відсутній

FDB10AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB10AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06AO

03+ TO

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10N20L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10N20L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	204.99 грн
1600+	169.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB110N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 369A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB110N15A

товар відсутній

FDB110N15A

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 12965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	253.18 грн
25+	219.5 грн
100+	193.87 грн
250+	189.27 грн
500+	180.07 грн
800+	156.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB110N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.1 грн
10+	274.51 грн
100+	222.08 грн

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB120N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 296A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDB120N10

товар відсутній

FDB120N10

MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

на замовлення 4193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.22 грн
10+	179.12 грн
25+	155.1 грн
100+	126.18 грн
800+	91.35 грн
2400+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.05 грн
10+	160.6 грн
100+	129.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50FTM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.28 грн
10+	133.77 грн
25+	112.38 грн
100+	93.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB12N50FTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.7 грн
10+	98.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB12N50TM

MOSFET 500V N-CH MOSFET

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	158.71 грн
10+	129.99 грн
100+	90.04 грн
250+	82.81 грн
500+	78.86 грн
800+	64.8 грн
2400+	61.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB12N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB12N50UTM

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	59.08 грн

Мінімальне замовлення: 333

FDB12N50UTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB13AN06A0

Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	102.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB13AN06A0

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

MOSFET N-Channel PowerTrench

на замовлення 2834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.51 грн
10+	123.19 грн
100+	84.78 грн
500+	81.49 грн
800+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.66 грн
10+	92.63 грн
25+	68.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.92 грн
10+	110.22 грн
100+	87.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB14AN06LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

товар відсутній

FDB14AN06LA0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench

на замовлення 1182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14N30

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14N30

onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK

товар відсутній

FDB14N30

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14N30TM

MOSFET 300V N-Ch MOSFET

товар відсутній

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.91 грн
10+	104.69 грн
100+	84.04 грн
500+	62.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	97.61 грн
121+	96.79 грн
148+	78.81 грн
250+	75.05 грн
500+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	99.94 грн
10+	90.64 грн
25+	89.87 грн
100+	70.57 грн
250+	64.53 грн
500+	53.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.04 грн
500+	62.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.66 грн
10+	203.04 грн
100+	164.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB150N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB15N50

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB15N50

MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr

товар відсутній

FDB15N50

товар відсутній

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB15N50
Код товару: 46102

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDB15N50_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 6786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	97.39 грн

Мінімальне замовлення: 220

FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB16AN08A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB16AN08A0

MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.38 грн
10+	158.71 грн
100+	112.38 грн
250+	110.41 грн
500+	109.09 грн
800+	81.49 грн
2400+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB16AN08A0

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB1D7N10CL7

на замовлення 737 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 627-636 дні (днів)

1+	513.7 грн
10+	433.81 грн
100+	314.14 грн
500+	277.33 грн

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

545+	39.1 грн

Мінімальне замовлення: 545

FDB20AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB20AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.12 грн
10+	190.94 грн
100+	165.14 грн
500+	130.75 грн
800+	101.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB20N50F

MOSFET N-Channel UniFET^TM FRFET MOSFET 500V,

на замовлення 1576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.15 грн
10+	195.74 грн
100+	137.35 грн
500+	136.04 грн
800+	108.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	131.28 грн
1600+	108.24 грн
2400+	101.92 грн
5600+	91.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20N50F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.14 грн
500+	130.75 грн
800+	101.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB20N50F

товар відсутній

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 6258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.54 грн
10+	175.8 грн
100+	142.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

товар відсутній

FDB24AN06LA0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB24AN06LA0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

товар відсутній

FDB24AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB24AN06LA0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532

MOSFET 150V N-Channel QFET Trench

на замовлення 1591 шт:

термін постачання 189-198 дні (днів)

2+	301.32 грн
10+	250.16 грн
100+	176.13 грн
500+	170.87 грн
800+	138.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.96 грн
10+	224.54 грн
100+	181.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2532

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.4 грн
5+	164.98 грн
14+	156.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2532
Код товару: 61087

товар відсутній

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532

на замовлення 406 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	301.68 грн
5+	205.59 грн
14+	187.3 грн
800+	186.48 грн

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532-F085

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB2532_SB82254

MOSFET

товар відсутній

FDB2552

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 3735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.08 грн
10+	128.48 грн
100+	92.66 грн
800+	66.38 грн
2400+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	197.95 грн
10+	176.85 грн
25+	173.72 грн
100+	136.78 грн
250+	125.68 грн
500+	91.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2552

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2552

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	213.17 грн
62+	190.45 грн
63+	187.08 грн
100+	147.3 грн
250+	135.34 грн
500+	98.12 грн

Мінімальне замовлення: 55

FDB2552-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB2552-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2570

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2570

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2570

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2572

MOSFET N-Channel UltraFET

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.98 грн
10+	120.92 грн
100+	83.46 грн
250+	76.89 грн
500+	69.66 грн
800+	60.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 29A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	98.29 грн
10+	89.86 грн
25+	88.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.49 грн
10+	108.98 грн
100+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2572

товар відсутній

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB2572_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	297.16 грн
10+	240.56 грн
100+	194.61 грн

FDB2614

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ

товар відсутній

FDB2614

Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 260
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.67 грн
10+	294.89 грн
100+	240.34 грн
500+	186.2 грн
800+	168.72 грн
1600+	164.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2614

MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	322.79 грн
10+	267.54 грн
100+	187.96 грн
800+	147.87 грн

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	179.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2614

товар відсутній

FDB2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2670

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2670

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2670

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube

товар відсутній

FDB2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	108.32 грн

Мінімальне замовлення: 182

FDB2670

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 260
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	262.46 грн
500+	206.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2710

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 101nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 36.3mΩ

товар відсутній

FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0363
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.35 грн
10+	319.96 грн
100+	262.46 грн
500+	206.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	312.09 грн
10+	252.47 грн
100+	204.24 грн

FDB2710

товар відсутній

FDB2710

MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 518-527 дні (днів)

1+	343.49 грн
10+	284.93 грн
25+	243.16 грн
100+	200.44 грн
500+	199.13 грн
800+	157.73 грн

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 3295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.49 грн
10+	109.33 грн
100+	87.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB28N30TM

Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	84.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	76.46 грн
1600+	62.47 грн
2400+	59.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

товар відсутній

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

MOSFET 300V N-Channel

на замовлення 20718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.51 грн
10+	123.19 грн
100+	85.43 грн
250+	83.46 грн
500+	75.58 грн
800+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM транзистор
Код товару: 193843

товар відсутній

FDB32N12

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25

MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK

товар відсутній

FDB33N25

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25TM

N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 85 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	54.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.68 грн
2400+	76.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB33N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
Power dissipation: 235W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 659 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	142.43 грн
5+	121.14 грн
10+	101.04 грн
27+	95.29 грн
800+	91.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB33N25TM

MOSFET 250V N-Ch MOSFET

на замовлення 5879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.78 грн
10+	123.95 грн
100+	92.01 грн
250+	90.04 грн
800+	67.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB33N25TM

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.69 грн
5+	97.21 грн
10+	84.2 грн
27+	79.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB3502

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.01 грн
10+	81.62 грн
100+	63.55 грн
250+	58.03 грн
500+	57.57 грн
800+	47.19 грн
2400+	46.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
10+	87.83 грн
100+	69.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3502

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

товар відсутній

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB3632

товар відсутній

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632

MOSFET N-Channel PowerTrench

на замовлення 20487 шт:

термін постачання 953-962 дні (днів)

2+	216.22 грн
10+	179.12 грн
25+	151.81 грн
100+	126.18 грн
800+	99.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632-F085

MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3632-F101

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

FDB3632-SN00239

Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R

товар відсутній

FDB3632.

Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead

товар відсутній

FDB3632_F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3632_SB82115

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.59 грн
5+	102.69 грн
10+	83.52 грн
27+	79.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3652

Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.94 грн
500+	74.62 грн
800+	63.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	123.12 грн
10+	108.37 грн
100+	89.94 грн
500+	74.62 грн
800+	63.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB3652
Код товару: 155755

VBSemi

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD

у наявності 20 шт:

20 шт - склад

1+	75 грн
10+	69 грн

FDB3652

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3652

на замовлення 786 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	149.51 грн
5+	127.96 грн
10+	100.22 грн
27+	95.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3652-F085

MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

товар відсутній

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3652-F085

Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	120.17 грн

Мінімальне замовлення: 220

FDB3652SB82059

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	170.68 грн

Мінімальне замовлення: 116

FDB3652SB82059

Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	258.77 грн

Мінімальне замовлення: 138

FDB3652_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3672

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3672

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

товар відсутній

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

товар відсутній

FDB3672

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3672-F085

MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench

на замовлення 1157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.15 грн
10+	169.29 грн
25+	139.32 грн
100+	118.29 грн
500+	97.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.28 грн
10+	156.9 грн
100+	126.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3672-F085

Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 10213200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085/BKN

Description: FDB3672_F085/BKN

товар відсутній

FDB3682

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	150 грн
10+	119.6 грн
100+	95.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3682

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3682

MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

на замовлення 7224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.55 грн
10+	133.77 грн
100+	92.01 грн
500+	91.35 грн
800+	65.72 грн
2400+	62.37 грн
4800+	60.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3682

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB38N30U

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.58 грн
10+	167.93 грн
100+	135.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB38N30U

MOSFET N-Channel UniFET^TM Ultra FRFET^TM MOSFET 300V, 38A, 120mO

на замовлення 4937 шт:

термін постачання 686-695 дні (днів)

2+	225.42 грн
10+	186.68 грн
25+	159.7 грн
100+	131.44 грн
800+	103.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	125.43 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

на замовлення 4243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.36 грн
10+	107.48 грн
100+	85.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.15 грн
1600+	61.41 грн
2400+	58.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB390N15A

MOSFET 150V NCHAN PwrTrench

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.08 грн
10+	105.05 грн
100+	79.52 грн
500+	76.23 грн
800+	57.31 грн
2400+	57.11 грн
4800+	55.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3P50

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3P50

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

на замовлення 6321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

370+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 370

FDB4020P

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

товар відсутній

FDB4020P

Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	81.1 грн

Мінімальне замовлення: 445

FDB4020P

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4030L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 360

FDB4030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB42AN15A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB42AN15A0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0-F085

MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB42AN15A0-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB44N25

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB44N25

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.2 грн
10+	135.41 грн
100+	107.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB44N25TM

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.79 грн
10+	158.51 грн
100+	128.28 грн
500+	113.64 грн
800+	73.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB44N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 478 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	165.44 грн
5+	140.76 грн
8+	122.4 грн
22+	115.83 грн
100+	114.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB44N25TM

MOSFET 250V N-Ch MOSFET

на замовлення 9601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.01 грн
10+	151.15 грн
100+	104.49 грн
500+	103.84 грн
800+	74.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB44N25TM

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.86 грн
5+	112.95 грн
8+	102 грн
22+	96.52 грн
100+	95.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB44N25TM

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.28 грн
500+	113.64 грн
800+	73.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB52N20

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB52N20

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB52N20TM

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 18308 шт:

термін постачання 513-522 дні (днів)

2+	178.65 грн
10+	146.62 грн
100+	101.86 грн
800+	74.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 135 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	169.86 грн
5+	145.88 грн
9+	115.01 грн
23+	109.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.83 грн
10+	165.14 грн
100+	132.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB52N20TM

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.55 грн
5+	117.06 грн
9+	95.84 грн
23+	91.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 122 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	58.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5645

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	379.68 грн

Мінімальне замовлення: 94

FDB5645

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	247.56 грн

Мінімальне замовлення: 79

FDB5680

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5680

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 7838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 188

FDB5680

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5685

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5685

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5690

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5690

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB5800

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	181.36 грн
5+	149.92 грн
7+	123.22 грн
17+	116.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB5800

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.1 грн
10+	163.67 грн
100+	134.91 грн
500+	106.79 грн
1000+	96.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB5800
Код товару: 176853

товар відсутній

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.1 грн
10+	153.28 грн
100+	124 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5800

на замовлення 725 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	217.63 грн
5+	186.83 грн
7+	147.87 грн
17+	139.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5800

On Semiconductor

MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDB5800

MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET

на замовлення 5894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.52 грн
10+	194.23 грн
25+	165.61 грн
100+	138.67 грн
500+	115.67 грн
800+	98.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

товар відсутній

FDB6021P

Rochester Electronics, LLC

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6021P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 21255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 385

FDB6021P

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6021P

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

товар відсутній

FDB6030BL

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6030BL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 82680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB6030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

на замовлення 22487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

614+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 614

FDB6030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030L

0006+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035A

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

TO263

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

TO252

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB6035AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 172289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	104.69 грн

Мінімальне замовлення: 248

FDB6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

FDB6035AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

на замовлення 172289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	95.84 грн

Мінімальне замовлення: 207

FDB6035AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB6035L

Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	339.13 грн

Мінімальне замовлення: 105

FDB6035L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	228.78 грн

Мінімальне замовлення: 89

FDB6035L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 39200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 247

FDB603AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

0006+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6530A

TO252

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670

03+

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Fairchild

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 91766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 278

FDB6670AL

09+

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

04+

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6670AL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB6670AL

TO263

на замовлення 10135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL
Код товару: 150683

товар відсутній

FDB6670AL

Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 91766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	78.15 грн

Мінімальне замовлення: 334

FDB6670AL-NL

INTEL

09+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL-NL

0651+ TO-263

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6670AS

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB6670ASNL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670ASNL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

09+

на замовлення 288 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V

на замовлення 19090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	181 грн

Мінімальне замовлення: 112

FDB6670S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

на замовлення 25443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

386+	50.68 грн

Мінімальне замовлення: 386

FDB6676

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676S

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66870AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66870AL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 398

FDB6690S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15TM

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7020BL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7020BL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

TO252

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030BL

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 70285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

704+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 704

FDB7030BL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

02+

на замовлення 556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	30.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB7030BL

Fairchild

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

09+

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL-ON

Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

товар відсутній

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB7030BLS

Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99

на замовлення 34400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	134.18 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDB7030BLS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 34400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	126.09 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDB7030BLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BLS

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T

товар відсутній

FDB7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L

09+

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

TO263/2.5

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 64336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	375.56 грн

Мінімальне замовлення: 52

FDB7030L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L_L86Z

MOSFET

товар відсутній

FDB7030L_L86Z

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7042L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 120405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

545+	39.66 грн

Мінімальне замовлення: 545

FDB7042L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

Fairchild

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045

04+

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 122774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	255.75 грн

Мінімальне замовлення: 81

FDB7045L

09+

на замовлення 3538 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7045L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 119819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	402.53 грн

Мінімальне замовлення: 89

FDB7045L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB7051L

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB8030L

Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB8030L

09+

на замовлення 818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L_NL

MOSFET 30V, TO263, NCH

товар відсутній

FDB8030L_T

onsemi

товар відсутній

FDB8132

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8160

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

на замовлення 17624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	104.01 грн

Мінімальне замовлення: 193

FDB8160-F085

Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

на замовлення 9581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 233

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.39 грн
10+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Power dissipation: 300W
Gate charge: 280nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	113.74 грн

Мінімальне замовлення: 313

FDB8441-F085

товар відсутній

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

212+	100.95 грн

Мінімальне замовлення: 212

FDB8441-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442-F085

Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8442-F085

MOSFET 40V NCHAN PwrTrench

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8442-F085-FS

Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V

на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	99.35 грн

Мінімальне замовлення: 202

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

товар відсутній

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.59 грн
10+	278.12 грн
25+	228.7 грн
100+	198.47 грн

FDB8443

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8443-F085

MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

товар відсутній

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8444

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8444

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

на замовлення 167648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	74.14 грн

Мінімальне замовлення: 264

FDB8444

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	159.48 грн
10+	130.75 грн
100+	90.69 грн
250+	83.46 грн
500+	74.26 грн
800+	64.8 грн
2400+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8444

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8444

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	145.02 грн
10+	116.24 грн
100+	92.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8444-F085

Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB8444-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8444TS

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8444TS

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8445

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.58 грн
10+	179.7 грн
100+	147.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8445

Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES

товар відсутній

FDB8445

FAIRCHIL

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8445-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8447L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	155.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.8 грн
10+	140.82 грн
100+	113.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8447L

товар відсутній

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8447L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.91 грн
10+	150.4 грн
25+	127.5 грн
100+	111.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8453LZ

Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	47.14 грн

Мінімальне замовлення: 417

FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB86102LZ

MOSFET 100V NCHAN PwrTrench

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.14 грн
10+	127.73 грн
100+	89.38 грн
800+	60.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Technology: UniFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 42mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86102LZ

товар відсутній

FDB86102LZ

на замовлення 705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86135

на замовлення 640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 3189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.57 грн
10+	340.92 грн
100+	275.82 грн

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	383.81 грн
35+	336.08 грн
36+	331.89 грн
100+	302.22 грн
250+	277.69 грн
500+	207.63 грн

Мінімальне замовлення: 31

FDB86135

Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	254.6 грн
1600+	209.92 грн
2400+	197.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	356.4 грн
10+	312.07 грн
25+	308.18 грн
100+	280.63 грн
250+	257.85 грн
500+	192.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB86135

MOSFET PWM PFC COMBO

на замовлення 19575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	361.89 грн
10+	314.4 грн
25+	272.08 грн
100+	243.16 грн
250+	241.85 грн
500+	225.42 грн
800+	199.79 грн

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86360-F085

Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86360-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 7882 шт:

термін постачання 418-427 дні (днів)

1+	446.23 грн
10+	395.27 грн
25+	324.65 грн
100+	281.94 грн
500+	239.87 грн
800+	201.76 грн
2400+	190.59 грн

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V

на замовлення 1969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.51 грн
10+	301.21 грн
100+	243.64 грн

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	224.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86360_SN00307

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

товар відсутній

FDB86363-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.53 грн
10+	316.67 грн
100+	225.42 грн
500+	191.9 грн
800+	161.67 грн
2400+	153.78 грн
4800+	149.18 грн

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.43 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.61 грн
10+	304.84 грн

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

товар відсутній

FDB86363-F085

Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.25 грн
10+	246.97 грн
100+	202 грн
500+	160.19 грн
800+	144.71 грн
1600+	142.18 грн
2400+	139.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	191.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

товар відсутній

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86366-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.73 грн
10+	144.1 грн
100+	116.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB86366-F085

Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86366-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB86366-F085

MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.51 грн
10+	167.03 грн
25+	141.3 грн
100+	118.29 грн
250+	115.01 грн
500+	103.18 грн
800+	86.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86366-F085

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86563-F085

Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86563-F085

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB86563-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86563-F085

на замовлення 730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86563-F085

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 110A, 1.8mohm

на замовлення 2141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.45 грн
10+	252.43 грн
100+	180.07 грн
500+	149.84 грн
800+	126.18 грн
2400+	124.21 грн
4800+	122.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB86563-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB86563-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86563-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB86566-F085

MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 420-429 дні (днів)

2+	218.52 грн
10+	194.23 грн
25+	159.7 грн
100+	136.04 грн
500+	111.72 грн
800+	92.01 грн
2400+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB86566-F085

Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86566-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB86566-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86566-F085

Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86566-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V

товар відсутній

FDB86566-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86569-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86569-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86569-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB86569-F085

MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB86569-F085

Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDB86569-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8832

Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8832