НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDI025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товар відсутній
FDI030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
FDI030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
товар відсутній
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
FDI030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
товар відсутній
FDI038AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDI038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
FDI038AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+183.28 грн
Мінімальне замовлення: 111
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
FDI038AN06A0onsemi / FairchildMOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
товар відсутній
FDI038AN06A0_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+384.73 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDI038AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+237.18 грн
Мінімальне замовлення: 86
FDI040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+188.25 грн
Мінімальне замовлення: 193
FDI040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+123.72 грн
Мінімальне замовлення: 162
FDI040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товар відсутній
FDI045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товар відсутній
FDI045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
FDI045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.38 грн
50+ 215.49 грн
100+ 184.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDI045N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDI045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 307-316 дні (днів)
2+306.11 грн
10+ 253.49 грн
50+ 207.77 грн
100+ 178.47 грн
250+ 168.48 грн
500+ 158.49 грн
1000+ 140.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDI045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDI047AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+181.94 грн
Мінімальне замовлення: 121
FDI047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+271.18 грн
Мінімальне замовлення: 134
FDI047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
товар відсутній
FDI10-250Q3MDescription: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Yellow
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.62 грн
10+ 1348.41 грн
FDI10-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.990" (25.15mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.51 грн
10+ 49.46 грн
25+ 47.42 грн
50+ 43.55 грн
100+ 41.66 грн
250+ 37.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag
товар відсутній
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDI1394P11AECPHI
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDI14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+933.86 грн
10+ 816.37 грн
30+ 682.58 грн
100+ 618.65 грн
250+ 564.05 грн
500+ 527.42 грн
1000+ 484.14 грн
FDI14-187Q3MDescription: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85366990
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Blue
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.13 грн
FDI14-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.31 грн
10+ 45.02 грн
25+ 41.15 грн
50+ 36.35 грн
100+ 34.83 грн
250+ 31.8 грн
500+ 29.79 грн
1000+ 24.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDI14-187Q3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag
товар відсутній
FDI14-250C3MDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
товар відсутній
FDI14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1027.09 грн
10+ 847 грн
30+ 705.23 грн
100+ 598.01 грн
250+ 576.7 грн
FDI14-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.71 грн
10+ 41.55 грн
25+ 37.99 грн
50+ 33.57 грн
100+ 32.17 грн
250+ 29.37 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 22.7 грн
2500+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDI14-250Q3MDescription: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Blue
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.77 грн
FDI14-250Q3MDisconnect Terminal 14-16AWG Brass F 22.09mm Tin Bag
товар відсутній
FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
FDI150N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.11 грн
10+ 163.12 грн
100+ 116.54 грн
500+ 98.56 грн
800+ 79.25 грн
2400+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDI150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.74 грн
50+ 146.23 грн
100+ 120.31 грн
500+ 95.54 грн
1000+ 81.06 грн
2000+ 77.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDI150N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
FDI18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.58 грн
10+ 797.22 грн
30+ 675.26 грн
100+ 589.35 грн
250+ 537.41 грн
500+ 502.78 грн
1000+ 468.15 грн
FDI18-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.98 грн
10+ 41.48 грн
25+ 37.9 грн
50+ 33.47 грн
100+ 32.08 грн
250+ 29.29 грн
500+ 27.44 грн
1000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDI18-187Q3MDescription: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
Leiterstärke (AWG), max.: 18
Leiterquerschnitt CSA: -
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Red
Leiterstärke (AWG), min.: 22
Produktpalette: Highland Series
Anschlussmaterial: Brass
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
FDI18-187Q3MDisconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag
товар відсутній
FDI18-250Q3MDescription: 3M - FDI18-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, RED
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Red
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.77 грн
FDI18-250Q3MQuick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag
товар відсутній
FDI18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.47 грн
10+ 742.09 грн
30+ 623.98 грн
100+ 576.03 грн
250+ 554.06 грн
500+ 532.75 грн
1000+ 520.76 грн
FDI18-250Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.98 грн
10+ 41.55 грн
100+ 34.27 грн
1000+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDI2-ALLIN1-02-BGEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied
Type of memory card reader: memory
Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied
Colour: black
Communication with PC: USB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.21 грн
2+ 432.16 грн
5+ 417.6 грн
6+ 408.58 грн
FDI2-ALLIN1-02-BGEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied
Type of memory card reader: memory
Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied
Colour: black
Communication with PC: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+693.85 грн
2+ 538.54 грн
5+ 501.12 грн
6+ 490.3 грн
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Type of memory card reader: memory
Communication with PC: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1506.04 грн
2+ 1373.59 грн
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Type of memory card reader: memory
Communication with PC: USB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1255.03 грн
2+ 1102.26 грн
FDI2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
товар відсутній
FDI2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товар відсутній
FDI33N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
товар відсутній
FDI33N25TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товар відсутній
FDI3632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
товар відсутній
FDI3652Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
товар відсутній
FDI40KIT 838362IntelDescription: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL
товар відсутній
FDI8441Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
товар відсутній
FDI8441ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+170.33 грн
Мінімальне замовлення: 213
FDI8441-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 26A Automotive 3-Pin TO-262AB Rail
товар відсутній
FDI8441_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
товар відсутній
FDI8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+154.64 грн
Мінімальне замовлення: 235
FDI8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
товар відсутній
FDI9406Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+123.06 грн
Мінімальне замовлення: 163
FDI9406ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+186.01 грн
Мінімальне замовлення: 195
FDI9406-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDI9406-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDI9406_F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+132.23 грн
Мінімальне замовлення: 276
FDI9406_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDI9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 313
FDI9409-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+76.5 грн
Мінімальне замовлення: 260
FDI9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDI9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)