Продукція > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

товар відсутній

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

товар відсутній

FDM15-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товар відсутній

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

товар відсутній

FDM2452NZ

05+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM2502

FAIRCHIL

09+

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

товар відсутній

FDM2509NZ

QFN 0642+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM3300NZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

товар відсутній

FDM3622

FDM3622 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDM3622

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товар відсутній

FDM3622

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товар відсутній

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.14 грн
10+	107.32 грн
100+	72.95 грн
500+	59.87 грн
1000+	49.03 грн
3000+	44.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDM44528S9J

N/A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товар відсутній

FDM47-06KC5

FDM47-06KC5 THT N channel transistors

на замовлення 25 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1839.31 грн
2+	1739.09 грн

FDM47-06KC5

MOSFET CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

товар відсутній

FDM606P

VSSOP-8 0440+

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

на замовлення 9587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 468

FDM606P

0440+ VSSOP-8

на замовлення 561 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6269

FAI

08+PB

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

FAI

09+

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM6296

05+ QFN

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

товар відсутній

FDM7W2SPM-K1468

FCT Group

FCT D-Sub, 7W2 Receptacle/7W2 Plug

товар відсутній

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 87

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

на замовлення 4347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 97904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

на замовлення 97900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1056+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 1056

FDMA0104

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 888

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 11154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 1069

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.38 грн
6000+	41.13 грн
9000+	39.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 120901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA037N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA037N08LC

товар відсутній

FDMA037N08LC

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA037N08LC

MOSFET FET 80V 3.7 MOHM MLP33

на замовлення 2346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.31 грн
10+	78.6 грн
100+	56.72 грн
500+	50.28 грн
1000+	43.18 грн
3000+	41.73 грн
6000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

на замовлення 14688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.82 грн
10+	78.73 грн
100+	62.67 грн
500+	49.76 грн
1000+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA037N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1023PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMA1023PZ

MOSFET -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 5587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.73 грн
10+	49.96 грн
100+	32.14 грн
500+	26.81 грн
1000+	23.07 грн
3000+	20.11 грн
6000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.56 грн
6000+	20.58 грн
9000+	19.06 грн
30000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

товар відсутній

FDMA1023PZ

товар відсутній

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 33065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.01 грн
10+	49.56 грн
100+	34.3 грн
500+	26.9 грн
1000+	22.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1023PZ-F106

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

товар відсутній

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.99 грн
500+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 10003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.02 грн
10+	67.5 грн
100+	52.51 грн
500+	41.77 грн
1000+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1024NZ

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.48 грн
10+	78.15 грн
100+	56.99 грн
500+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMA1024NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 6A; 1.4W; WDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA1024NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench

на замовлення 6562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.77 грн
10+	75.2 грн
100+	50.74 грн
500+	42.98 грн
1000+	35.03 грн
3000+	32.93 грн
6000+	32.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.44 грн
6000+	32.5 грн
9000+	31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1024NZ

товар відсутній

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.51 грн
25+	31.7 грн
100+	22.78 грн
250+	16.98 грн
1000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 92860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 1128

FDMA1027P

FAI

07+

на замовлення 112300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1027P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1027P

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -6A
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027P

товар відсутній

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1027P

MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

на замовлення 2011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.73 грн
10+	49.13 грн
100+	29.57 грн
500+	24.78 грн
1000+	21.03 грн
3000+	18.73 грн
6000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

товар відсутній

FDMA1027PT

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.37 грн
10+	61.46 грн
25+	60.27 грн
100+	46.15 грн
250+	42.14 грн
500+	33.2 грн
1000+	25.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	52.68 грн
100+	35.62 грн
500+	30.17 грн
1000+	24.58 грн
3000+	23.13 грн
6000+	22.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 13223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 19462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.43 грн
10+	47.44 грн
100+	36.88 грн
500+	29.34 грн
1000+	23.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 13223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.06 грн
17+	44.75 грн
100+	32 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.9 грн
6000+	22.83 грн
9000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1028NZ

товар відсутній

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	66.18 грн
180+	64.9 грн
226+	51.54 грн
250+	49.01 грн
500+	37.24 грн
1000+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 176

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 6A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: MicroFET
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA1028NZ-F021

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

на замовлення 294887000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.05 грн
6000+	19.2 грн
9000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.84 грн
14+	54.63 грн
100+	34.8 грн
500+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA1029PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -6A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 141mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMA1029PZ

товар відсутній

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	51.39 грн
100+	31.02 грн
500+	25.89 грн
1000+	22.02 грн
3000+	19.58 грн
6000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1029PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 14373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	46.21 грн
100+	32 грн
500+	25.1 грн
1000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.8 грн
500+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1032CZ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA1032CZ

MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.31 грн
10+	57.29 грн
100+	38.77 грн
500+	32.79 грн
1000+	26.75 грн
3000+	25.1 грн
6000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.04 грн
6000+	24.8 грн
9000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн
11+	69.82 грн
100+	50.13 грн
500+	39.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.7 грн
11+	57.36 грн
25+	56.8 грн
100+	42.4 грн
250+	38.86 грн
500+	31.42 грн
1000+	25.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 19185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.4 грн
10+	51.55 грн
100+	40.07 грн
500+	31.87 грн
1000+	25.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.13 грн
500+	39.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	61.77 грн
191+	61.17 грн
246+	47.35 грн
250+	45.2 грн
500+	35.25 грн
1000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

товар відсутній

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.16 грн
6000+	22.16 грн
9000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	58.53 грн
201+	57.94 грн
258+	45.23 грн
260+	43.18 грн
500+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 199

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 31971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.29 грн
10+	46 грн
100+	35.8 грн
500+	28.48 грн
1000+	23.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA2002NZ

FDMA2002NZ Multi channel transistors

товар відсутній

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.61 грн
11+	54.35 грн
25+	53.8 грн
100+	40.5 грн
250+	37.13 грн
500+	28.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 58151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.34 грн
10+	49.73 грн
100+	33.98 грн
500+	28.85 грн
1000+	23.53 грн
3000+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA291P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.6A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 98mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA291P

MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 601-610 дні (днів)

7+	49.22 грн
10+	42.93 грн
100+	27.67 грн
500+	22.67 грн
1000+	18.14 грн
3000+	16.36 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.21 грн
10+	39.57 грн
100+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMA291P

товар відсутній

FDMA3023PZ

MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

на замовлення 6391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.65 грн
10+	52.75 грн
100+	35.23 грн
500+	27.86 грн
1000+	22.28 грн
3000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.29 грн
6000+	19.42 грн
9000+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: WDFN6

товар відсутній

FDMA3023PZ

товар відсутній

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

на замовлення 12410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	46.76 грн
100+	32.37 грн
500+	25.38 грн
1000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1322315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDMA410NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 32mΩ

товар відсутній

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.84 грн
14+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 290950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.32 грн
10+	55.62 грн
100+	36.21 грн
500+	30.76 грн
1000+	25.04 грн
3000+	23.13 грн
6000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA410NZ

товар відсутній

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

на замовлення 2051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.68 грн
6000+	19.78 грн
9000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 23378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	56.87 грн
10+	47.58 грн
100+	32.97 грн
500+	25.85 грн
1000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.68 грн
6000+	19.78 грн
9000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	56.87 грн
10+	47.58 грн
100+	32.97 грн
500+	25.85 грн
1000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA420NZ

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 10785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.47 грн
10+	42.31 грн
100+	29.27 грн
500+	22.96 грн
1000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA420NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA420NZ

MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.9 грн
10+	47.01 грн
100+	28.39 грн
500+	23.66 грн
1000+	20.18 грн
3000+	17.88 грн
6000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.38 грн
15+	50.21 грн
100+	31.85 грн
500+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.25 грн
6000+	17.57 грн
9000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA420NZ

товар відсутній

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.85 грн
500+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm

на замовлення 25770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.71 грн
500+	24.78 грн
3000+	22.12 грн
9000+	21.36 грн
24000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA430NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 61mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMA430NZ

товар відсутній

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	57.64 грн
100+	44.21 грн
500+	32.8 грн
1000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 101341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.24 грн
10+	53.66 грн
100+	36.8 грн
500+	30.23 грн
1000+	24.12 грн
3000+	19.58 грн
6000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA430NZ

на замовлення 25770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.29 грн
14+	54.7 грн
100+	36.71 грн
500+	24.78 грн
3000+	22.12 грн
9000+	21.36 грн
24000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.31 грн
6000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

на замовлення 18773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

на замовлення 9506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.82 грн
500+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.38 грн
10+	55.31 грн
100+	43.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA507PZ

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.36 грн
12+	62.66 грн
100+	44.82 грн
500+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMA507PZ

FDMA507PZ SMD P channel transistors

товар відсутній

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA510PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.48 грн
500+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

на замовлення 26065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.26 грн
10+	53.43 грн
100+	35.62 грн
500+	28.19 грн
1000+	22.54 грн
3000+	20.37 грн
6000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.48 грн
14+	53.67 грн
100+	38.48 грн
500+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA520PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA530PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	83.96 грн
6+	45.13 грн
25+	38.61 грн
27+	35.27 грн
75+	33.35 грн
500+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 25953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.16 грн
10+	44.57 грн
100+	34.65 грн
500+	27.56 грн
1000+	22.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	51.16 грн
232+	50.26 грн
293+	39.75 грн
296+	37.95 грн
500+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.44 грн
500+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.39 грн
6000+	21.45 грн
9000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	67.97 грн
15+	51.46 грн
100+	32.44 грн
500+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA530PZ

MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 20806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	46.56 грн
100+	28.32 грн
500+	26.02 грн
1000+	22.87 грн
3000+	21.36 грн
6000+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA530PZ

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.96 грн
10+	36.21 грн
25+	32.18 грн
27+	29.4 грн
75+	27.79 грн
500+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.56 грн
13+	47.5 грн
25+	46.67 грн
100+	35.6 грн
250+	32.63 грн
500+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.74 грн
10+	43.13 грн
100+	33.52 грн
500+	26.66 грн
1000+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.88 грн
500+	24.17 грн
3000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA6023PZT

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: MicroFET
Gate charge: 17nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.56 грн
10+	35.6 грн
25+	32.18 грн
31+	26.36 грн
84+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.47 грн
10+	59.18 грн
100+	39.76 грн
250+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA6023PZT

на замовлення 338 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	82.28 грн
6+	44.36 грн
25+	38.61 грн
31+	31.63 грн
84+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.63 грн
6000+	20.75 грн
9000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.66 грн
11+	55.95 грн
25+	54.86 грн
100+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

на замовлення 88530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

792+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 792

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	60.25 грн
198+	59.08 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 375297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.02 грн
14+	55.88 грн
100+	39.88 грн
500+	24.17 грн
3000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA6676PZ

Sensor Cables / Actuator Cables SACC-DSI-M12FS- 4P-M16/0,5-0,25

товар відсутній

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA6676PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

на замовлення 89038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

962+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 962

FDMA7628

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

товар відсутній

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 33686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7630

FDMA7630 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMA7630

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 8334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA7630

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7630

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 29672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.51 грн
10+	83.89 грн
100+	56.39 грн
500+	47.84 грн
1000+	38.97 грн
3000+	36.67 грн
6000+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA7632

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 10311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA7670

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 32mΩ

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 745-754 дні (днів)

4+	78.21 грн
10+	69.08 грн
100+	46.86 грн
500+	38.77 грн
1000+	30.56 грн
3000+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA7672

товар відсутній

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.93 грн
10+	63.8 грн
100+	49.78 грн
500+	38.59 грн
1000+	30.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 22289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.38 грн
10+	55.18 грн
100+	42.9 грн
500+	34.13 грн
1000+	27.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 4056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 8484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.31 грн
12+	64.43 грн
100+	46.52 грн
500+	35.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA8051L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Mounting: SMD
Drain current: 10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.96 грн
6000+	26.56 грн
9000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA8051L

товар відсутній

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 8484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.52 грн
500+	35.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

на замовлення 14806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	62.58 грн
100+	44.1 грн
500+	36.41 грн
1000+	29.38 грн
3000+	26.42 грн
6000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86108LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.4W
On-state resistance: 446mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.2A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA86108LZ

товар відсутній

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

на замовлення 11455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.02 грн
10+	73.93 грн
100+	57.63 грн
500+	44.68 грн
1000+	35.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.43 грн
6000+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86108LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA86151L

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.46 грн
500+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.73 грн
10+	74.14 грн
100+	57.77 грн
500+	44.79 грн
1000+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86151L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 7.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA86151L

MOSFET 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.34 грн
10+	67.57 грн
100+	45.87 грн
500+	38.91 грн
1000+	31.74 грн
3000+	29.38 грн
6000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86151L

товар відсутній

FDMA86151L

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	92.15 грн
11+	70.63 грн
100+	51.46 грн
500+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.06 грн
6000+	22.99 грн
9000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86251

MOSFET FET 150V 175.0 MOHM MLP22

на замовлення 62927 шт:

термін постачання 570-579 дні (днів)

5+	66.32 грн
10+	53.66 грн
100+	36.28 грн
500+	30.76 грн
1000+	25.04 грн
3000+	23.53 грн
6000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

на замовлення 16995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.43 грн
10+	47.71 грн
100+	37.14 грн
500+	29.54 грн
1000+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

товар відсутній

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.96 грн
500+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.92 грн
6000+	26.52 грн
9000+	25.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA86265P

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.04 грн
12+	65.02 грн
100+	46.96 грн
500+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMA86265P

MOSFET FET -150V 1.2 MOHM MLP

на замовлення 8237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	76.67 грн
10+	61.82 грн
100+	41.86 грн
500+	35.49 грн
1000+	28.92 грн
3000+	27.21 грн
6000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 22750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.38 грн
10+	55.04 грн
100+	42.84 грн
500+	34.08 грн
1000+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 41265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.36 грн
10+	59.56 грн
100+	46.3 грн
500+	36.83 грн
1000+	30 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86551L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 33mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA86551L

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.87 грн
500+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA86551L

товар відсутній

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

на замовлення 63647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.47 грн
10+	80.11 грн
100+	54.02 грн
500+	44.62 грн
1000+	35.62 грн
3000+	32.79 грн
6000+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.25 грн
6000+	28.66 грн
9000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA86551L

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.1 грн
13+	57.14 грн
100+	43.87 грн
500+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMA8878

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: WDFN6

товар відсутній

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 4358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.5 грн
10+	82.49 грн
100+	64.16 грн
500+	51.03 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.15 грн
36+	21.01 грн
38+	19.83 грн
100+	17.8 грн
250+	15.1 грн
500+	14.03 грн
1000+	12.95 грн
3000+	12.2 грн

Мінімальне замовлення: 32

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.57 грн
10+	86.91 грн
100+	59.34 грн
500+	50.93 грн
1000+	42.32 грн
3000+	41.14 грн
6000+	39.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMA8878

товар відсутній

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 289315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 1337705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

926+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 926

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

товар відсутній

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 527023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA8884

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA905P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 21mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA905P

Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 15318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.02 грн
10+	74 грн
100+	57.69 грн
500+	44.73 грн
1000+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA905P

товар відсутній

FDMA905P

MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.94 грн
10+	79.36 грн
100+	53.43 грн
500+	44.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.47 грн
6000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDMA908PZ

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin Micro FET EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 30083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	46.21 грн
100+	31.99 грн
500+	25.08 грн
1000+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA908PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -40A; 2.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 16mΩ

товар відсутній

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

на замовлення 22107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.02 грн
14+	53.01 грн
100+	35.76 грн
500+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

на замовлення 86094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.96 грн
10+	48.37 грн
100+	33.32 грн
500+	26.62 грн
1000+	21.29 грн
3000+	17.74 грн
6000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.04 грн
6000+	19.19 грн
9000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

на замовлення 22107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.76 грн
500+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMA908PZ

товар відсутній

FDMA910PZ

MOSFET P-CHAN -20V -9.4A

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.01 грн
10+	54.11 грн
100+	36.61 грн
500+	31.02 грн
1000+	25.3 грн
3000+	23.46 грн
6000+	22.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.14 грн
10+	48.19 грн
100+	37.45 грн
500+	29.79 грн
1000+	24.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMA910PZ

товар відсутній

FDMB2307NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2307NZ

товар відсутній

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.43 грн
10+	52.16 грн
100+	40.66 грн
500+	31.53 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.17 грн
10+	51.69 грн
100+	34.96 грн
500+	29.64 грн
1000+	24.12 грн
3000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	72.81 грн

Мінімальне замовлення: 160

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.7 грн
6000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.24 грн
6000+	57.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.14 грн
10+	119.41 грн
100+	82.15 грн
250+	75.58 грн
500+	68.35 грн
1000+	58.56 грн
3000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.78 грн
500+	61 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

на замовлення 17977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.49 грн
10+	117.68 грн
100+	94.57 грн
500+	72.92 грн
1000+	60.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMB2308PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2.2W; WDFN6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMB2308PZ

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	157.03 грн
10+	117.96 грн
100+	84.78 грн
500+	61 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMB2308PZ

товар відсутній

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.37 грн
6000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMB3800N

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMB3800N

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.8A; Idm: 9A; 1.6W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: MicroFET
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3800N

MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

на замовлення 16494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.17 грн
10+	75.58 грн
100+	51.2 грн
500+	43.18 грн
1000+	34.9 грн
3000+	32.73 грн
6000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

на замовлення 6848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.18 грн
10+	65.45 грн
100+	50.92 грн
500+	40.51 грн
1000+	33 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3800N

товар відсутній

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMB3900AN

FDMB3900AN Multi channel transistors

товар відсутній

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.44 грн
10+	67.04 грн
100+	44.69 грн
500+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMB3900AN

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.21 грн
10+	62.51 грн
100+	47.94 грн
500+	36.54 грн
1000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

на замовлення 5246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 452

FDMB668P

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 11730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	142.18 грн
10+	113.64 грн
100+	90.47 грн
500+	71.84 грн
1000+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.08 грн
6000+	59.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC007N08LC

товар відсутній

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N08LC

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 15492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.41 грн
10+	127.73 грн
100+	88.72 грн
250+	86.75 грн
500+	74.26 грн
1000+	63.55 грн
3000+	60.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.55 грн
500+	94.47 грн
3000+	85.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 9489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.74 грн
10+	177.1 грн
100+	145.12 грн
500+	115.94 грн
1000+	97.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LCDC

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC007N08LCDC

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

MOSFET FET 80V 64A 6.8 mOhm

на замовлення 8726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.81 грн
10+	151.15 грн
25+	128.81 грн
100+	112.38 грн
250+	109.09 грн
500+	102.52 грн
1000+	93.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC007N08LCDC

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.42 грн
10+	172.51 грн
100+	141.55 грн
500+	94.47 грн
3000+	85.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC007N08LCDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 339A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

FDMC007N08LCDC

товар відсутній

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC007N30D

MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.32 грн
10+	53.58 грн
100+	36.21 грн
500+	30.69 грн
1000+	23.99 грн
3000+	23.53 грн
6000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC007N30D

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/29A; 1.9/2.5W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/29A
Power dissipation: 1.9/2.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12/±12V
On-state resistance: 16.3/9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 5796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.43 грн
10+	47.65 грн
100+	37.07 грн
500+	29.48 грн
1000+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC007N30D

товар відсутній

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC008N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 38A; Idm: 273A; 57W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 273A
Power dissipation: 57W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

на замовлення 22427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.52 грн
10+	113.71 грн
100+	91.42 грн
500+	70.49 грн
1000+	58.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC008N08C

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

на замовлення 3813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.18 грн
10+	110.34 грн
100+	76.23 грн
250+	70.32 грн
500+	64.21 грн
1000+	54.55 грн
3000+	50.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC008N08C

товар відсутній

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 29400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.37 грн
10+	156.22 грн
100+	126.39 грн
500+	105.43 грн
1000+	90.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC010N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 206A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC010N08C

MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

на замовлення 5974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.85 грн
10+	175.34 грн
25+	139.98 грн
100+	122.89 грн
250+	116.32 грн
500+	109.09 грн
1000+	93.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC010N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC010N08C

товар відсутній

FDMC010N08C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

на замовлення 29400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	94.06 грн
6000+	86.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC010N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC010N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 200A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

товар відсутній

FDMC010N08LC

товар відсутній

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

товар відсутній

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC012N03

MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

на замовлення 3070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.21 грн
10+	166.27 грн
25+	143.92 грн
100+	117.64 грн
500+	104.49 грн
1000+	89.38 грн
3000+	88.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.84 грн
10+	149.78 грн
100+	121.2 грн
500+	101.11 грн
1000+	86.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC012N03

товар відсутній

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.97 грн
10+	129.02 грн
100+	106.16 грн
500+	86.94 грн
1000+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC012N03

на замовлення 2304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.16 грн
500+	86.94 грн
1000+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

на замовлення 2037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	110.19 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDMC013P030Z

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 1456

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 16805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1312+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 1312

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1780+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 1780

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 188630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	12.96 грн

Мінімальне замовлення: 1480

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1456+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 1456

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	14.6 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1664+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 1664

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 200580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	14.6 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2465+	14.6 грн

Мінімальне замовлення: 2465

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Mounting: SMD
Case: MLP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

MOSFET Computing MOSFET

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R

товар відсутній

FDMC0310AS-F127

MOSFET Computing MOSFET

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 511-520 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	52.3 грн
100+	35.36 грн
500+	30.03 грн
1000+	24.45 грн
3000+	23 грн
6000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

товар відсутній

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	52.99 грн
100+	41.23 грн
500+	32.8 грн
1000+	26.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	78.15 грн

Мінімальне замовлення: 459

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.94 грн
10+	120.17 грн
25+	98.58 грн
100+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

394+	50.91 грн

Мінімальне замовлення: 394

FDMC15N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 9A; Idm: 60A; 35W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 35W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC15N06

товар відсутній

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

товар відсутній

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

товар відсутній

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

на замовлення 945 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDMC2523P

MOSFET -150V P-Channel QFET

на замовлення 20309 шт:

термін постачання 913-922 дні (днів)

3+	109.64 грн
10+	89.94 грн
100+	62.37 грн
250+	60.46 грн
500+	52.71 грн
1000+	44.62 грн
3000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

на замовлення 13427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	124.8 грн
10+	62.4 грн
100+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2610

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC2610

товар відсутній

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 5881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.27 грн
10+	123.15 грн
100+	98.07 грн
500+	77.87 грн
1000+	66.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2610

MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.68 грн
10+	138.31 грн
100+	105.15 грн
250+	100.55 грн
500+	88.06 грн
1000+	72.95 грн
3000+	64.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC2674

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 7A; Idm: 13.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 814mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC2674

товар відсутній

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.52 грн
500+	63.67 грн
3000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.15 грн
6000+	56.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.14 грн
10+	105.81 грн
100+	79.52 грн
250+	73.61 грн
500+	66.38 грн
1000+	58.75 грн
3000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2674

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC2674

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.13 грн
10+	110.59 грн
100+	85.52 грн
500+	63.67 грн
3000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

на замовлення 25839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	115.62 грн
100+	92.91 грн
500+	71.64 грн
1000+	59.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.1 грн
10+	77.15 грн
100+	60 грн
500+	47.72 грн
1000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.11 грн
10+	157.2 грн
25+	129.47 грн
100+	109.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC3020DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC3020DC

товар відсутній

FDMC3020DC

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

513+	38.34 грн

Мінімальне замовлення: 513

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	58.98 грн

Мінімальне замовлення: 616

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	59.51 грн
197+	59.27 грн
224+	52.19 грн
250+	50.21 грн
500+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 196

FDMC3612

MOSFET 100V PowerTrench MOSFET

на замовлення 18021 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.24 грн
10+	76.33 грн
100+	53.63 грн
500+	45.41 грн
1000+	36.61 грн
3000+	35.23 грн
6000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC3612

товар відсутній

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.26 грн
10+	78.88 грн
100+	60.16 грн
500+	47.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.76 грн
11+	55.26 грн
25+	55.03 грн
100+	46.73 грн
250+	43.17 грн
500+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.13 грн
10+	79.89 грн
100+	62.3 грн
500+	48.29 грн
1000+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC3612-L701

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC3612-L701

N-Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товар відсутній

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.67 грн
10+	59.97 грн
100+	46.73 грн
500+	36.23 грн
1000+	28.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC3612-L701

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 12A, 110mohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 231-240 дні (днів)

5+	67.63 грн
10+	59.55 грн
100+	40.42 грн
500+	33.39 грн
1000+	26.35 грн
3000+	24.58 грн
6000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC3612-L701

товар відсутній

FDMC4435BZ
Код товару: 52237

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

на замовлення 72225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.37 грн
11+	73.58 грн
100+	53.01 грн
500+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC4435BZ

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.01 грн
9000+	38.48 грн
24000+	31.92 грн
45000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.59 грн
6000+	26.22 грн
9000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.07 грн
6000+	48.49 грн
12000+	45.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ

MOSFET -30V P-Channel PowerTrench

на замовлення 66897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.91 грн
10+	60.54 грн
100+	40.94 грн
500+	34.7 грн
1000+	28.32 грн
3000+	26.62 грн
6000+	25.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.62 грн
8+	44.22 грн
24+	34.43 грн
65+	32.59 грн
500+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	95.55 грн
5+	55.11 грн
24+	41.32 грн
65+	39.1 грн
500+	39.02 грн
3000+	38.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ

на замовлення 72225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.01 грн
500+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 30502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.96 грн
10+	54.42 грн
100+	42.35 грн
500+	33.69 грн
1000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

на замовлення 23810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC4435BZ-F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

товар відсутній

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.49 грн
10+	61.27 грн
100+	47.64 грн
500+	37.89 грн
1000+	30.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC4435BZ_F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

товар відсутній

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 1232

FDMC4D9P20X8

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

P-Channel Power Trench® MOSFET

товар відсутній

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.04 грн
10+	69.96 грн
100+	54.55 грн
500+	42.29 грн
1000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

товар відсутній

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.19 грн
10+	126.07 грн
100+	98.79 грн
500+	64.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.79 грн
6000+	57.26 грн
9000+	55.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC510P

на замовлення 2164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.79 грн
500+	64.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: MLP8

товар відсутній

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

на замовлення 47893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.2 грн
10+	109.6 грн
100+	87.24 грн
500+	69.27 грн
1000+	58.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC510P

товар відсутній

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC510P

MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 25961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.74 грн
10+	129.24 грн
100+	90.04 грн
250+	88.06 грн
500+	74.26 грн
1000+	62.37 грн
3000+	57.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC510P-F106

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -50A
Case: MLP8

товар відсутній

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC510P-F106

товар відсутній

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC510P-F106

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 5490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.69 грн
10+	55.66 грн
100+	43.38 грн
500+	33.63 грн
1000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC5614P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: WDFN8

товар відсутній

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC5614P

товар відсутній

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC5614P-L701

товар відсутній

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

товар відсутній

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

товар відсутній

FDMC610P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -80A; Idm: -200A; 48W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -80A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 48W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC610P

товар відсутній

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.8 грн
10+	89.03 грн
25+	88.6 грн
100+	78.11 грн
250+	70.54 грн
500+	62.83 грн
1000+	57.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC610P

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.23 грн
10+	103.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	105.32 грн
122+	95.88 грн
123+	95.41 грн
134+	84.12 грн
250+	75.97 грн
500+	67.66 грн
1000+	62.44 грн

Мінімальне замовлення: 111

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC610P

MOSFET P-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 6505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.31 грн
10+	99.01 грн
100+	79.52 грн
250+	74.26 грн
500+	67.03 грн
1000+	58.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	142.89 грн
10+	114.46 грн
100+	91.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC612PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

товар відсутній

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP

товар відсутній

FDMC6296

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 20197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 498

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 36W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 65nC
Drain current: -20A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -32A

товар відсутній

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 8850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.07 грн
10+	60.04 грн
100+	46.73 грн
500+	37.17 грн
1000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC6675BZ

товар відсутній

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	58.68 грн
12+	52.01 грн
25+	51.63 грн
100+	42.53 грн
250+	39.3 грн
500+	33.13 грн
1000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.54 грн
6000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	56.01 грн
210+	55.6 грн
246+	47.5 грн
250+	45.71 грн
500+	37.17 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 208

FDMC6675BZ
Код товару: 130485

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6675BZ

MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench

на замовлення 8811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.85 грн
10+	58.12 грн
100+	41.27 грн
500+	36.21 грн
1000+	29.31 грн
3000+	28.39 грн
6000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

товар відсутній

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 192350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	85.73 грн
138+	84.87 грн
165+	70.8 грн
250+	66.97 грн
500+	53.37 грн
1000+	40.64 грн
3000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 136

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.84 грн
500+	46.96 грн
1000+	38.17 грн
3000+	34.44 грн
6000+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 5279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.28 грн
10+	70.65 грн
100+	54.94 грн
500+	43.71 грн
1000+	35.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC6679AZ

MOSFET -30V P-Channel Power Trench

на замовлення 52325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.37 грн
10+	78.6 грн
100+	56.32 грн
500+	48.96 грн
1000+	41.4 грн
3000+	37.99 грн
9000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: -20A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V

товар відсутній

FDMC6679AZ

товар відсутній

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC6679AZ

на замовлення 8970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.04 грн
11+	69.01 грн
100+	56.84 грн
500+	46.96 грн
1000+	38.17 грн
3000+	34.44 грн
6000+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 1402

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 1686

FDMC6683

P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.3 m Ohm

товар відсутній

FDMC6683

MOSFET

товар відсутній

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

товар відсутній

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

товар відсутній

FDMC6683PZ

товар відсутній

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

товар відсутній

FDMC6683_P

onsemi

товар відсутній

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V POWER33

на замовлення 4135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC6686P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -377A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC6686P

товар відсутній

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V POWER33

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6686P

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.55 грн
10+	113.53 грн
100+	98.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC6686P

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

на замовлення 14994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC6688P

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1602+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 1602

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.62 грн
10+	62.2 грн
100+	42.19 грн
500+	34.83 грн
1000+	27.54 грн
3000+	25.63 грн
9000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

на замовлення 14330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 766

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 1.9/2.2W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5/18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7200

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7200

товар відсутній

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.76 грн
10+	42.24 грн
100+	32.4 грн
500+	24.04 грн
1000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7200S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18/13A; Idm: 40÷27A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18/13A
Pulsed drain current: 40...27A
Power dissipation: 1.9/2.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/13.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC7200S

MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO

на замовлення 2852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.63 грн
10+	56.23 грн
100+	33.85 грн
500+	28.32 грн
1000+	24.05 грн
3000+	21.42 грн
6000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7200S

товар відсутній

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.43 грн
10+	50.59 грн
100+	35 грн
500+	27.44 грн
1000+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7208S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/26A; 1.9W; Power33
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power33
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/26A
On-state resistance: 12.4/7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.9W
Gate charge: 18/36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20/±12V

товар відсутній

FDMC7208S

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.55 грн
10+	114.27 грн
100+	89.94 грн
500+	56.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7208S

товар відсутній

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.68 грн
10+	98.25 грн
100+	69.66 грн
250+	64.21 грн
500+	58.1 грн
1000+	49.68 грн
3000+	45.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7208S

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.94 грн
500+	56.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.61 грн
10+	89.2 грн
100+	70.99 грн
500+	56.38 грн
1000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	115.57 грн
103+	113.79 грн
104+	112.08 грн
106+	106.35 грн
250+	96.88 грн
500+	91.54 грн
1000+	90.01 грн
3000+	88.48 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

товар відсутній

FDMC7570S
Код товару: 167040

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDMC7570S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.32 грн
10+	105.66 грн
25+	104.07 грн
100+	98.76 грн
250+	89.96 грн
500+	85 грн
1000+	83.58 грн
3000+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7570S

MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.65 грн
10+	153.42 грн
25+	131.44 грн
100+	111.07 грн
250+	109.09 грн
500+	99.89 грн
1000+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC7570S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 4336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	111.61 грн

Мінімальне замовлення: 192

FDMC7570S

товар відсутній

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.87 грн
10+	179.22 грн
100+	146.82 грн
500+	117.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	80.33 грн

Мінімальне замовлення: 265

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 300015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

товар відсутній

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.06 грн
500+	51.75 грн
1000+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.95 грн
5+	75.99 грн
13+	63.67 грн
35+	60.24 грн
500+	58.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.78 грн
10+	95.23 грн
100+	65.39 грн
500+	55.2 грн
1000+	46.79 грн
3000+	44.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.92 грн
10+	84.68 грн
100+	67.42 грн
500+	53.53 грн
1000+	45.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660

на замовлення 3584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.26 грн
10+	83.31 грн
100+	66.06 грн
500+	51.75 грн
1000+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7660

на замовлення 2156 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	124.74 грн
5+	94.69 грн
13+	76.4 грн
35+	72.29 грн
500+	69.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 78W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 6214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.32 грн
10+	89.82 грн
100+	71.48 грн
500+	56.76 грн
1000+	48.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660DC

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7660DC

товар відсутній

FDMC7660DC

MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.44 грн
10+	95.23 грн
100+	70.32 грн
250+	64.8 грн
500+	58.49 грн
1000+	50.14 грн
3000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: Power33
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7660S

товар відсутній

FDMC7660S

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

на замовлення 6358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	81.62 грн
100+	54.94 грн
500+	46.59 грн
1000+	37.99 грн
3000+	36.41 грн
6000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.42 грн
10+	73.04 грн
100+	56.78 грн
500+	45.17 грн
1000+	36.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7660S

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

590+	61.19 грн

Мінімальне замовлення: 590

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

товар відсутній

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.25 грн
10+	53.6 грн
100+	41.7 грн
500+	33.17 грн
1000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.15 грн
6000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7672

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.59 грн
10+	49.13 грн
100+	37.33 грн
500+	31.74 грн
1000+	28.06 грн
3000+	26.55 грн
6000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672

товар відсутній

FDMC7672S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.67 грн
10+	54.9 грн
100+	42.73 грн
500+	33.99 грн
1000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7672S

MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.44 грн
10+	67.49 грн
100+	45.81 грн
500+	37.79 грн
1000+	30.43 грн
3000+	28.32 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7672S

QFN

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7672S

товар відсутній

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7672S

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7672S-F126

TRANS MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-PIN MLP T/R

товар відсутній

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

товар відсутній

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

товар відсутній

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7678

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	43.74 грн
100+	34.02 грн
500+	27.06 грн
1000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7680

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

товар відсутній

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2439.71 грн
10+	2082.9 грн
25+	1748.13 грн
50+	1685.04 грн

FDMC7680

товар відсутній

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

на замовлення 11422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 468

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7692

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.09 грн
14+	41.75 грн
25+	41.33 грн
100+	34.02 грн
250+	31.34 грн
500+	26.32 грн
1000+	23.62 грн
3000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.5 грн
17+	44.97 грн
100+	34.36 грн
500+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.01 грн
10+	46.76 грн
100+	36.34 грн
500+	28.9 грн
1000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC7692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.68 грн
8+	44.02 грн
24+	34.23 грн
64+	32.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7692
Код товару: 116194

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

на замовлення 7169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.04 грн
10+	48.75 грн
100+	34.17 грн
500+	29.11 грн
1000+	24.58 грн
3000+	22.87 грн
6000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7692

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	81.21 грн
5+	54.85 грн
24+	41.07 грн
64+	38.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	44.96 грн
262+	44.51 грн
307+	37.99 грн
308+	36.46 грн
500+	29.52 грн
1000+	25.43 грн
3000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 259

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7692S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 27W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 27W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.31 грн
6000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7692S

товар відсутній

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 76828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.47 грн
10+	36.73 грн
100+	23.86 грн
500+	18.73 грн
1000+	14.52 грн
3000+	11.24 грн
6000+	10.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC7692S

QFN

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.9 грн
10+	42.65 грн
100+	31.85 грн
500+	23.48 грн
1000+	18.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

товар відсутній

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

товар відсутній

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7696

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 25W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 4303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.27 грн
10+	50.25 грн
100+	39.06 грн
500+	31.08 грн
1000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.63 грн
500+	30.46 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC7696

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.85 грн
10+	55.17 грн
100+	38.25 грн
500+	32.47 грн
1000+	26.42 грн
3000+	23.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC7696

QFN

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC7696

на замовлення 8117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.45 грн
15+	49.39 грн
100+	38.63 грн
500+	30.46 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDMC7696

товар відсутній

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

на замовлення 3656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	109.62 грн
114+	102.58 грн
117+	100.23 грн
130+	86.95 грн
250+	80.08 грн
500+	63.47 грн

Мінімальне замовлення: 107

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.24 грн
10+	112.06 грн
100+	89.94 грн
500+	60.17 грн
3000+	52.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.79 грн
10+	95.25 грн
25+	93.07 грн
100+	80.74 грн
250+	74.36 грн
500+	58.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 8488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	145.74 грн
10+	116.38 грн
100+	92.63 грн
500+	73.55 грн
1000+	62.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.61 грн
6000+	60.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.94 грн
500+	60.17 грн
3000+	52.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8010

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.98 грн
10+	126.97 грн
100+	90.04 грн
250+	89.38 грн
500+	75.58 грн
1000+	64.21 грн
3000+	61.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8010

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	86.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	79.43 грн

Мінімальне замовлення: 249

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 11001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.75 грн
10+	64.49 грн
100+	50.15 грн
500+	39.89 грн
1000+	32.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 788A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.24 грн
10+	73.84 грн
100+	49.49 грн
500+	41.93 грн
1000+	33.52 грн
3000+	31.48 грн
6000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8010DC

товар відсутній

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.85 грн
6000+	31.04 грн
9000+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8010ET30

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	79.43 грн

Мінімальне замовлення: 249

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

товар відсутній

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.07 грн
25+	58.16 грн
100+	55.2 грн
250+	50.3 грн
500+	47.51 грн
1000+	46.73 грн
3000+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 43049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	115.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

товар відсутній

FDMC8015L

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 6225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.11 грн
10+	52.23 грн
100+	40.66 грн
500+	32.34 грн
1000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	51.61 грн
229+	50.88 грн
276+	42.31 грн
278+	40.39 грн
500+	33.77 грн
1000+	26.2 грн

Мінімальне замовлення: 226

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.16 грн
10+	56.61 грн
100+	38.64 грн
500+	34.5 грн
1000+	28.06 грн
3000+	25.83 грн
6000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8015L

товар відсутній

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.41 грн
13+	47.92 грн
25+	47.24 грн
100+	37.88 грн
250+	34.72 грн
500+	30.1 грн
1000+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

товар відсутній

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

на замовлення 300021000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 35844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.08 грн
500+	48.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8030

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8030

товар відсутній

FDMC8030

MOSFET FPS

на замовлення 42313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.37 грн
10+	78.6 грн
100+	53.23 грн
500+	45.08 грн
1000+	36.8 грн
3000+	34.5 грн
6000+	32.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 47444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.32 грн
10+	84.04 грн
100+	62.08 грн
500+	48.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	85.64 грн
159+	73.32 грн
176+	66.29 грн
250+	58.54 грн
500+	49.31 грн
1000+	38.22 грн
3000+	35.02 грн

Мінімальне замовлення: 136

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	96.74 грн
10+	79.52 грн
25+	68.08 грн
100+	59.36 грн
250+	50.33 грн
500+	43.96 грн
1000+	35.49 грн
3000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.28 грн
10+	70.72 грн
100+	55.04 грн
500+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

товар відсутній

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.96 грн
10+	54.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.39 грн
6000+	51.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	65.61 грн
181+	64.34 грн
234+	49.81 грн
250+	47.56 грн
500+	37.06 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 178

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.5 грн
6000+	26.14 грн
9000+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 606000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

793+	44.97 грн

Мінімальне замовлення: 793

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	73.46 грн
10+	60.92 грн
25+	59.75 грн
100+	44.6 грн
250+	40.89 грн
500+	33.04 грн
1000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8032L

MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	304.98 грн
10+	263.49 грн
100+	215.9 грн
500+	172.48 грн
1000+	145.47 грн

FDMC8097AC

Trans MOSFET N/P-CH 150V 2.4A/0.9A 8-Pin Power 33 EP T/R

товар відсутній

FDMC8097AC

MOSFET 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.49 грн
10+	246.38 грн
100+	172.84 грн
500+	153.78 грн
1000+	128.15 грн
3000+	122.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товар відсутній

FDMC8097AC

FDMC8097AC Multi channel transistors

товар відсутній

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8200

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.34 грн
10+	74.82 грн
100+	50.8 грн
500+	42.06 грн
1000+	33.25 грн
3000+	30.95 грн
6000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.62 грн
10+	67.99 грн
25+	67.3 грн
100+	52.12 грн
250+	47.81 грн
500+	31.02 грн
1000+	30.62 грн
3000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8200

FDMC8200 Multi channel transistors

товар відсутній

FDMC8200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.2 грн
10+	61.47 грн
100+	47.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	73.22 грн
161+	72.48 грн
200+	58.21 грн
250+	55.6 грн
500+	34.8 грн
1000+	32.97 грн
3000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 160

FDMC8200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.48 грн
12+	49.6 грн
25+	49.35 грн
100+	41.58 грн
250+	38.28 грн
500+	33.03 грн
1000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	53.42 грн
220+	53.15 грн
251+	46.44 грн
253+	44.52 грн
500+	37.05 грн
1000+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 218

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

FDMC8200S Multi channel transistors

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.51 грн
10+	70.74 грн
100+	48.04 грн
500+	39.69 грн
1000+	34.5 грн
3000+	31.02 грн
6000+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

668+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 668

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

товар відсутній

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8296

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8296

QFN8

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

товар відсутній

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 159000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

712+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 712

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	210.48 грн
62+	189.27 грн
64+	183.82 грн
100+	168.87 грн
250+	140.6 грн
500+	131.23 грн
1000+	114.18 грн

Мінімальне замовлення: 56

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	195.44 грн
10+	175.75 грн
25+	170.69 грн
100+	156.81 грн
250+	130.55 грн
500+	121.85 грн
1000+	106.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 16647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.95 грн
10+	128.02 грн
100+	101.91 грн
500+	80.93 грн
1000+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: Power33
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 26500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.58 грн
10+	144.35 грн
100+	99.89 грн
250+	98.58 грн
500+	84.12 грн
1000+	71.63 грн
3000+	67.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.18 грн
6000+	66.9 грн
9000+	64.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8321L

товар відсутній

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

товар відсутній

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.55 грн
10+	98.44 грн
25+	97.46 грн
100+	83.89 грн
250+	75.91 грн
500+	67.67 грн
1000+	60.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R

товар відсутній

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 23561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	147.16 грн
10+	117.82 грн
100+	93.75 грн
500+	74.45 грн
1000+	63.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321LDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Case: PQFN8

товар відсутній

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.78 грн
10+	133.02 грн
100+	92.01 грн
500+	77.55 грн
1000+	65.72 грн
3000+	62.37 грн
6000+	60.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	115.83 грн
110+	106.02 грн
111+	104.95 грн
125+	90.34 грн
250+	81.75 грн
500+	72.87 грн
1000+	64.9 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	66.4 грн
6000+	61.54 грн
9000+	59.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8321LDC

товар відсутній

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0074 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.03 грн
500+	48.4 грн
3000+	41.33 грн
6000+	37.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.18 грн
6000+	28.59 грн
9000+	27.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.21 грн
10+	68.52 грн
25+	67.83 грн
100+	52.83 грн
250+	44.55 грн
500+	28.36 грн
1000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 51913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.27 грн
10+	65.98 грн
100+	44.69 грн
500+	34.04 грн
1000+	32.47 грн
3000+	27.54 грн
6000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8327L

на замовлення 7586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	92.15 грн
10+	76.67 грн
100+	56.03 грн
500+	48.4 грн
3000+	41.33 грн
6000+	37.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDMC8327L

FDMC8327L SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	73.79 грн
160+	73.05 грн
198+	59 грн
250+	51.81 грн
500+	31.81 грн
1000+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 158

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

725+	49.39 грн

Мінімальне замовлення: 725

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

на замовлення 12825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.36 грн
10+	59.35 грн
100+	46.19 грн
500+	36.74 грн
1000+	29.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8360L

FDMC8360L SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.99 грн
6000+	81.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8360L

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

на замовлення 8889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.94 грн
10+	166.35 грн
100+	133.68 грн
500+	103.07 грн
1000+	85.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8360L

MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

на замовлення 12210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.31 грн
10+	138.31 грн
100+	95.95 грн
250+	83.46 грн
500+	70.98 грн
1000+	59.74 грн
3000+	56.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 28327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.96 грн
10+	102.34 грн
100+	81.47 грн
500+	64.69 грн
1000+	54.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8360LET40

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.7 грн
6000+	53.47 грн
9000+	51.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8360LET40

MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.34 грн
10+	105.05 грн
100+	74.26 грн
250+	72.29 грн
500+	63.55 грн
1000+	55.66 грн
3000+	52.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8360LET40

FDMC8360LET40 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8462

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.85 грн
10+	135.28 грн
100+	92.66 грн
250+	86.09 грн
500+	78.21 грн
1000+	66.38 грн
3000+	63.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8462

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.15 грн
10+	140.07 грн
100+	109.85 грн
500+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.51 грн
6000+	63.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8462

товар відсутній

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

на замовлення 10461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	151.42 грн
10+	121.51 грн
100+	96.72 грн
500+	76.81 грн
1000+	65.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8462

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.85 грн
500+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.66 грн
10+	80.16 грн
100+	62.35 грн
500+	49.6 грн
1000+	40.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDMC8554

FDMC8554 SMD N channel transistors

товар відсутній

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 2281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

товар відсутній

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC8554

FAIRCHID

на замовлення 6034 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

товар відсутній

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.54 грн
23+	25.74 грн
25+	25.69 грн
100+	23.53 грн
250+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

976+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 976

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	178.31 грн
10+	165.55 грн
25+	163.82 грн
100+	142.61 грн
250+	130.37 грн
500+	116.82 грн
1000+	113.91 грн
3000+	111.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDMC86012

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	119.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC86012

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.05 грн
10+	221.44 грн
100+	155.75 грн
500+	138.67 грн
1000+	118.29 грн
3000+	111.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	192.02 грн
66+	176.42 грн
100+	153.58 грн
250+	140.4 грн
500+	125.8 грн
1000+	122.68 грн
3000+	119.62 грн

Мінімальне замовлення: 61

FDMC86012

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: SMD
Case: Power33

товар відсутній

FDMC86012

товар відсутній

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.97 грн
10+	199.14 грн
100+	161.09 грн
500+	134.38 грн
1000+	115.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.8 грн
10+	114.27 грн
100+	92.15 грн
500+	69.83 грн
1000+	53.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.72 грн
6000+	65.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.62 грн
6000+	66.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC86102

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 41W
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDMC86102

товар відсутній

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

товар відсутній

FDMC86102