НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
товар відсутній
FDS 09 T 1000Fischer ElektronikConn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
товар відсутній
FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Packaging: Box
Features: Ergonomic
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2186.22 грн
5+ 1988.17 грн
FDS-216Jonard ToolsJonard Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
товар відсутній
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Packaging: Bulk
Features: Ergonomic, Side Entry
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2237.6 грн
5+ 2057.84 грн
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4209.76 грн
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS-42-1050 LD ADV-BEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver, black case
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS-E 206PFSC
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N3FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N7FSC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 4080N3FSC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N3FSC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N7FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7060N7FSC
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7082N3FSC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7088N7FSC
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7096N3FSC
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7288N3FSC
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064NFSC
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064N3FSC
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7296N3FSC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E9 7096N3FSC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-N 7064N3FSC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-O 7064N3FSC
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N3FSC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N7FSC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS009FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
товар відсутній
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
товар відсутній
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2075.55 грн
FDS1Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Door Switch
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA40module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA40SanRex100A/400V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60EUPECMODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREXF4-5
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60EUPECMODULE
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA80SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100SanRex100A/1000V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100(120)SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRexDiscrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
1+5566.88 грн
10+ 4489.86 грн
FDS100CA120SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
товар відсутній
FDS100CA120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRex100A/1200V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
товар відсутній
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
товар відсутній
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
товар відсутній
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11285.36 грн
5+ 10925.4 грн
10+ 9328.19 грн
25+ 9189.01 грн
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11816.34 грн
5+ 11439.69 грн
10+ 9766.83 грн
25+ 9621.71 грн
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товар відсутній
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
товар відсутній
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13754.51 грн
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
товар відсутній
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
товар відсутній
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
товар відсутній
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
товар відсутній
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
товар відсутній
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
товар відсутній
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.22 грн
1140+ 134.26 грн
5130+ 102.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACTS
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.6 грн
10+ 207.91 грн
25+ 196.95 грн
50+ 180.53 грн
100+ 171.93 грн
250+ 150.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
товар відсутній
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS200B
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товар відсутній
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
товар відсутній
FDS2070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+131.08 грн
Мінімальне замовлення: 165
FDS2070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3FSC
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
товар відсутній
FDS2070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDS2070N7FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7FSC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товар відсутній
FDS2070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N3FAIRCHILD09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3FSC09+
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 145
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7NS2004 SOP
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N7FAIRCHALSOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 23636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+142.98 грн
Мінімальне замовлення: 139
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2360AMJRCSOP8
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FSC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2407FDSSOP-8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
товар відсутній
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
товар відсутній
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
товар відсутній
FDS24C256FDSSOP-8
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS24C64FDSSOP-8
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 221
FDS2570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.75 грн
5+ 113.02 грн
13+ 78.33 грн
34+ 74.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.75 грн
10+ 97.67 грн
100+ 71.55 грн
500+ 50.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.97 грн
10+ 91.78 грн
100+ 65.04 грн
250+ 64.44 грн
500+ 54.75 грн
1000+ 45.97 грн
2500+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 19251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 86.37 грн
100+ 68.72 грн
500+ 54.57 грн
1000+ 46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.41 грн
5000+ 49.73 грн
10000+ 48.25 грн
12500+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+122.18 грн
119+ 96.49 грн
121+ 94.6 грн
146+ 75.77 грн
250+ 69.08 грн
500+ 58.07 грн
1000+ 46.09 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.68 грн
5000+ 45.11 грн
12500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.45 грн
5000+ 49.77 грн
10000+ 48.28 грн
12500+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
5+ 90.7 грн
13+ 65.27 грн
34+ 61.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+113.45 грн
10+ 89.6 грн
25+ 87.85 грн
100+ 70.36 грн
250+ 64.14 грн
500+ 53.92 грн
1000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS2572NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2574FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.91 грн
5+ 73.64 грн
19+ 51.12 грн
51+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.48 грн
10+ 66.17 грн
100+ 51.48 грн
500+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.09 грн
19+ 42.6 грн
51+ 40.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 587-596 дні (днів)
4+93.88 грн
10+ 82.68 грн
100+ 55.93 грн
500+ 46.17 грн
1000+ 37.53 грн
2500+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
товар відсутній
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS2670FSC09+ SO-8
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.32 грн
500+ 69.77 грн
1000+ 60.57 грн
2500+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS2670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.66 грн
10+ 72.85 грн
25+ 57.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670FSC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.25 грн
10+ 118.39 грн
25+ 107.29 грн
100+ 89.32 грн
500+ 69.77 грн
1000+ 60.57 грн
2500+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.3 грн
10+ 93.17 грн
100+ 74.15 грн
500+ 58.88 грн
1000+ 49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2670FAIRCHILD09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670FDSSOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.97 грн
10+ 82.68 грн
100+ 63.19 грн
500+ 57.39 грн
1000+ 51.25 грн
2500+ 49.54 грн
5000+ 47.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672onsemi / FairchildMOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 546-555 дні (днів)
3+129.28 грн
10+ 115.3 грн
100+ 80.47 грн
500+ 66.62 грн
1000+ 54.68 грн
2500+ 53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.43 грн
10+ 115.64 грн
100+ 92.93 грн
500+ 71.65 грн
1000+ 59.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
товар відсутній
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
товар відсутній
FDS2682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.79 грн
5000+ 54.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS2734onsemi / FairchildMOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.14 грн
10+ 110.75 грн
100+ 81.79 грн
250+ 79.15 грн
500+ 68.6 грн
1000+ 58.24 грн
2500+ 55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.55 грн
500+ 67.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.57 грн
10+ 104.3 грн
100+ 83 грн
500+ 65.91 грн
1000+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.51 грн
10+ 124.31 грн
100+ 106.55 грн
500+ 67.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2734-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2ND 7064N7FSC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102FDSSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102AFAI04/05/
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS300BB50SANREXCDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 1 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 3 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21351.13 грн
10+ 20681.48 грн
FDS3170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FSC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAIRCHILD09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FSC
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 179
FDS3170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAI02+
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.79 грн
10+ 168.75 грн
100+ 135.66 грн
500+ 104.6 грн
1000+ 86.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3512FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.93 грн
10+ 170.4 грн
100+ 136.95 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товар відсутній
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.31 грн
10+ 176.74 грн
100+ 123.35 грн
500+ 101.58 грн
1000+ 84.43 грн
2500+ 77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS35606N/A09+
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570Fairchild
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
товар відсутній
FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
на замовлення 279272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS3570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
товар відсутній
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.34 грн
10+ 92.77 грн
25+ 87.29 грн
100+ 70.3 грн
250+ 61.51 грн
500+ 53.04 грн
1000+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.01 грн
10+ 147.25 грн
100+ 114.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.87 грн
5000+ 43.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.66 грн
10+ 94.06 грн
100+ 65.04 грн
250+ 61.94 грн
500+ 54.29 грн
1000+ 47.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+119.91 грн
115+ 99.91 грн
122+ 94 грн
146+ 75.71 грн
250+ 66.24 грн
500+ 57.12 грн
1000+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 96
FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.17 грн
10+ 83.14 грн
100+ 66.17 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3572-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3572NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+201.52 грн
Мінімальне замовлення: 126
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.03 грн
10+ 79.98 грн
100+ 62.2 грн
500+ 49.48 грн
1000+ 40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.58 грн
10+ 90.27 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.45 грн
1000+ 41.89 грн
2500+ 39.44 грн
5000+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.99 грн
5000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
товар відсутній
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.95 грн
5+ 54.11 грн
25+ 45.93 грн
26+ 37.93 грн
69+ 35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.12 грн
8+ 43.42 грн
25+ 38.27 грн
26+ 31.61 грн
69+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.94 грн
10+ 47.27 грн
100+ 36.76 грн
500+ 29.24 грн
1000+ 23.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS3601FSC0430+ SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
FDS3601FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+29.3 грн
Мінімальне замовлення: 891
FDS3601FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 740
FDS3601-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
товар відсутній
FDS3601_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3612FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 489
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+66.6 грн
Мінімальне замовлення: 543
FDS3612FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
товар відсутній
FDS3670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3670FAI01+ SMD
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
товар відсутній
FDS3670FDSSOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672onsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 15155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.51 грн
10+ 87.23 грн
100+ 59.17 грн
500+ 50.13 грн
1000+ 41.69 грн
2500+ 39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+92.41 грн
125+ 91.5 грн
162+ 70.78 грн
250+ 67.57 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 124
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.37 грн
500+ 52.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.57 грн
10+ 85.81 грн
25+ 84.96 грн
100+ 63.38 грн
250+ 58.09 грн
500+ 46.91 грн
1000+ 37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.89 грн
10+ 78.74 грн
100+ 61.21 грн
500+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672
Код товару: 38205
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.65 грн
10+ 88.79 грн
100+ 66.37 грн
500+ 52.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3672-NLFAIRCHILDSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672NLFSIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_NLFAIRCHIL..07+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
товар відсутній
FDS3680FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товар відсутній
FDS3680FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
товар відсутній
FDS3682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 360
FDS36882FSC02+ SMD-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.15 грн
10+ 88.79 грн
100+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3692onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.88 грн
10+ 67.21 грн
100+ 45.51 грн
500+ 38.59 грн
1000+ 31.4 грн
2500+ 30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.06 грн
10+ 60.53 грн
100+ 47.1 грн
500+ 37.47 грн
1000+ 30.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDS37C931CQFP
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37C93202+ QFP
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37C932
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37H869
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812FAIRCHILD09+
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
товар відсутній
FDS3812FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.47 грн
5000+ 48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3890FAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3890
Код товару: 49621
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.3 грн
10+ 93.1 грн
100+ 74.08 грн
500+ 58.82 грн
1000+ 49.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.97 грн
10+ 103.92 грн
100+ 73.88 грн
250+ 71.24 грн
500+ 61.94 грн
1000+ 53.03 грн
2500+ 51.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.37 грн
10+ 104.33 грн
100+ 76.21 грн
500+ 64.52 грн
1000+ 49.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3890FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3896FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
товар відсутній
FDS3912FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS399FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3992
Код товару: 117038
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS3992onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.58 грн
10+ 90.27 грн
100+ 60.55 грн
500+ 51.25 грн
1000+ 42.94 грн
2500+ 41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.09 грн
10+ 91.75 грн
100+ 68.3 грн
500+ 43.84 грн
2500+ 39.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 80.94 грн
100+ 62.98 грн
500+ 50.1 грн
1000+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.36 грн
10+ 88.55 грн
25+ 87.61 грн
100+ 64.86 грн
250+ 59.44 грн
500+ 47.96 грн
1000+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+95.37 грн
122+ 94.35 грн
158+ 72.44 грн
250+ 69.13 грн
500+ 53.81 грн
1000+ 41.05 грн
Мінімальне замовлення: 120
FDS3992NLFAIRCHILD
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 9403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+114.78 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS4070N3FSC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FAI03+
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N3FAIRCHILD0903+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7FSC
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 72429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+114.78 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS4072N3FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3FAI242
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+108.64 грн
Мінімальне замовлення: 180
FDS4072N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3FSC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 39912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 181
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 180
FDS4080N7FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+84.71 грн
10+ 72.06 грн
100+ 57.06 грн
500+ 46.89 грн
1000+ 35.57 грн
2500+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
4+90.04 грн
10+ 72.67 грн
100+ 49.54 грн
500+ 42.02 грн
1000+ 34.23 грн
2500+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4141ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -10.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13mΩ
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.44 грн
7+ 53.39 грн
21+ 37.38 грн
58+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4141-SN00136onsemionsemi
товар відсутній
FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
товар відсутній
FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: PW Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2090.35 грн
FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.69 грн
10+ 480.21 грн
25+ 452.41 грн
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.73 грн
10+ 392.17 грн
25+ 329.8 грн
105+ 313.31 грн
210+ 280.33 грн
420+ 263.84 грн
945+ 230.86 грн
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 56616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 833
FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товар відсутній
FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 56616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 1002
FDS4410ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
товар відсутній
FDS4410ANLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
товар відсутній
FDS4410NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420FSC09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420AFSCSOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4425-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
товар відсутній
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFairchildSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFSC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDS4435AFAIRSOP8
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.64 грн
10+ 55.52 грн
100+ 43.16 грн
500+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435AFAIRCHILSOP8
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 276
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAI2001+ SMD
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AFSC09+ SO-8
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4435AFAIRCHIL
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
товар відсутній
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAI00+
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435ANL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.09 грн
12+ 30.92 грн
25+ 26.8 грн
37+ 21.99 грн
100+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.65 грн
5000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.26 грн
5000+ 16.62 грн
10000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZonsemi / FairchildMOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 85512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.64 грн
10+ 37.78 грн
100+ 24.93 грн
500+ 21.04 грн
1000+ 17.94 грн
2500+ 15.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 33227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.17 грн
100+ 25.75 грн
500+ 20.19 грн
1000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.41 грн
18+ 32.04 грн
100+ 25.51 грн
500+ 21.06 грн
1000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+102.11 грн
7+ 38.53 грн
25+ 32.16 грн
37+ 26.38 грн
100+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ
Код товару: 45479
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.93 грн
5000+ 15.45 грн
12500+ 14.3 грн
25000+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.59 грн
5000+ 17.9 грн
10000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
товар відсутній
FDS4435BZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435BZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
на замовлення 329000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435NLFAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435_NLFAIRCHILD
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4450-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 506
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 0.12µC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+129.64 грн
5+ 107.03 грн
14+ 69.26 грн
38+ 65.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 10463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.45 грн
10+ 85.47 грн
100+ 66.47 грн
500+ 52.87 грн
1000+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.09 грн
5000+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 15140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.74 грн
10+ 95.58 грн
100+ 64.44 грн
500+ 54.42 грн
1000+ 44.33 грн
2500+ 41.29 грн
5000+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 0.12µC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.03 грн
5+ 85.89 грн
14+ 57.72 грн
38+ 54.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.86 грн
5000+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+114.61 грн
13+ 46.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4465ON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4465-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4465-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465_NLFSC09+
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4467FDSSOP-8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.17 грн
5000+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.08 грн
5000+ 66.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.19 грн
5+ 109.93 грн
10+ 80.39 грн
28+ 76.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 737 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.83 грн
5+ 137 грн
10+ 96.47 грн
28+ 91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS4470Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 193682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+59.4 грн
Мінімальне замовлення: 329
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.66 грн
10+ 79.9 грн
25+ 78.78 грн
100+ 68.44 грн
250+ 52.48 грн
500+ 49.88 грн
1000+ 49.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 395
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+94.4 грн
133+ 86.09 грн
135+ 84.84 грн
150+ 73.7 грн
250+ 56.52 грн
500+ 53.71 грн
1000+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 122
FDS4470onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.74 грн
10+ 106.2 грн
100+ 74.54 грн
250+ 69.92 грн
500+ 62.6 грн
1000+ 54.09 грн
2500+ 53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+128.05 грн
10+ 117.13 грн
100+ 98.31 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 63.21 грн
2500+ 58.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 12.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.83 грн
10+ 110.99 грн
100+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4470-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS4480FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4480FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.07 грн
10+ 57.17 грн
100+ 44.46 грн
500+ 35.37 грн
1000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4480Fairchild
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS4480FAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 854-863 дні (днів)
5+74.41 грн
10+ 62.05 грн
100+ 42.81 грн
500+ 36.87 грн
1000+ 30.01 грн
2500+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4480-NLFAIRSOP8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480_NL
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4485FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.86 грн
10+ 33.15 грн
100+ 23.94 грн
2500+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 606
FDS4488FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488FAIRCHILD09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4489FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS4501hFAIRCHILD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hFSC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS4501hFSC09+ SO-8
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hFAIRSOP8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.19 грн
10+ 78.89 грн
100+ 60.35 грн
1000+ 55.14 грн
2500+ 31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 415
FDS4501hFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hfsc04+ sop
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501hFAI02+
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501HNLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532FDS
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532F00+ SOP-8
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4542FAI2004 SMD8
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.4 грн
13+ 58.6 грн
100+ 37.37 грн
500+ 29 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.51 грн
10+ 48.71 грн
100+ 33.74 грн
500+ 26.46 грн
1000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559onsemi / FairchildMOSFET 60V/-60V N/P
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+ 54.16 грн
100+ 32.65 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 23.22 грн
2500+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.19 грн
5000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.77 грн
500+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559ANLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4585
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4585NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672FDSSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.73 грн
6+ 62.53 грн
18+ 46.72 грн
25+ 46.04 грн
47+ 43.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.68 грн
5+ 77.92 грн
18+ 56.07 грн
25+ 55.24 грн
47+ 52.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.96 грн
10+ 85.72 грн
100+ 58.18 грн
500+ 48.09 грн
1000+ 37.99 грн
2500+ 35.49 грн
5000+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4672AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 841-850 дні (днів)
3+103.89 грн
10+ 91.78 грн
100+ 62.6 грн
500+ 51.32 грн
1000+ 42.08 грн
2500+ 37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
на замовлення 364422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.62 грн
10+ 71.11 грн
100+ 55.32 грн
500+ 44.01 грн
1000+ 35.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.73 грн
6+ 61.84 грн
18+ 45.35 грн
49+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+86.33 грн
134+ 85.48 грн
169+ 67.67 грн
250+ 64.59 грн
500+ 52.3 грн
1000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.68 грн
5+ 77.06 грн
18+ 54.42 грн
49+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675NLFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675_NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4678FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.31 грн
5000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 42mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.89 грн
5+ 67.64 грн
21+ 47 грн
56+ 44.52 грн
500+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 42mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.57 грн
7+ 54.28 грн
21+ 39.16 грн
56+ 37.1 грн
500+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4685onsemi / FairchildMOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.95 грн
10+ 62.05 грн
100+ 42.87 грн
500+ 36.34 грн
1000+ 30.61 грн
2500+ 28.56 грн
5000+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.83 грн
5000+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685
Код товару: 82291
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.85 грн
5000+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.01 грн
10+ 60.87 грн
25+ 55.73 грн
100+ 45.88 грн
250+ 42.07 грн
500+ 33.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.35 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.42 грн
500+ 34.54 грн
1000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+65.55 грн
191+ 60.01 грн
224+ 51.24 грн
250+ 48.93 грн
500+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 175
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.09 грн
5000+ 49.42 грн
10000+ 45.99 грн
15000+ 41.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770FAI03+
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
товар відсутній
FDS4770FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FSC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4780FSC09+ SO-8
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4831-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835F02+ SOP8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835FAIRCHILD
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4884-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 419
FDS4885CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
товар відсутній
FDS4885CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885C-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885C_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
FDS4895CFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
товар відсутній
FDS4895CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
товар відсутній
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
товар відсутній
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4897Consemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 59908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.26 грн
10+ 50.37 грн
100+ 34.1 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 23.55 грн
2500+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.03 грн
5+ 51.37 грн
25+ 38.5 грн
68+ 36.44 грн
500+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.08 грн
10+ 44.87 грн
100+ 34.88 грн
500+ 27.75 грн
1000+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.2 грн
9+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.55 грн
5000+ 21.6 грн
12500+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897C-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4920FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4920FDSSOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935onsemi / FairchildMOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDS4935FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4935FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FAIRCHILD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935AON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.38 грн
5000+ 27.23 грн
12500+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.69 грн
13+ 60.82 грн
100+ 43.66 грн
500+ 34.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 32574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.64 грн
10+ 51.74 грн
100+ 40.29 грн
500+ 32.05 грн
1000+ 26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
8+ 43.97 грн
24+ 34.35 грн
64+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.57 грн
5+ 54.8 грн
24+ 41.23 грн
64+ 38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.59 грн
5000+ 27.44 грн
12500+ 26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935Aonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.57 грн
10+ 57.5 грн
100+ 38.92 грн
500+ 32.98 грн
1000+ 26.85 грн
2500+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.2 грн
5000+ 24.94 грн
12500+ 23.79 грн
25000+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.17 грн
500+ 36.97 грн
1000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4935A
Код товару: 40550
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 81 шт:
30 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28 грн
10+ 25.2 грн
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935A_NLFSC
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
товар відсутній
FDS4935B
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.12 грн
5+ 54.63 грн
25+ 38.42 грн
69+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.96 грн
13+ 58.01 грн
100+ 42.84 грн
500+ 34.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.43 грн
8+ 43.84 грн
25+ 32.02 грн
69+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.12 грн
296+ 38.76 грн
333+ 34.39 грн
336+ 32.83 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 22.88 грн
Мінімальне замовлення: 293
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.84 грн
16+ 36.33 грн
25+ 35.99 грн
100+ 30.8 грн
250+ 28.22 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 21.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.94 грн
10+ 47.2 грн
100+ 36.73 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.84 грн
500+ 34.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZonsemi / FairchildMOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 49757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.1 грн
10+ 52.49 грн
100+ 35.49 грн
500+ 30.14 грн
1000+ 24.54 грн
2500+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935_NLFAIRCHILD
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4953onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V
товар відсутній
FDS4953ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4953-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
товар відсутній
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5009FDS04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FSC
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FDS09+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.27 грн
15+ 37.8 грн
25+ 37.72 грн
100+ 28.07 грн
250+ 25.79 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 29841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.51 грн
10+ 44.8 грн
100+ 31.02 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351On Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.01 грн
5000+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.02 грн
5000+ 19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.4 грн
5000+ 18.61 грн
12500+ 17.23 грн
25000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.56 грн
10+ 49.08 грн
100+ 30.01 грн
500+ 25.07 грн
1000+ 20.78 грн
2500+ 18.93 грн
5000+ 18.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
11+ 31.61 грн
25+ 28.17 грн
34+ 24.19 грн
92+ 22.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.59 грн
7+ 39.39 грн
25+ 33.8 грн
34+ 29.02 грн
92+ 27.46 грн
500+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+40.71 грн
282+ 40.62 грн
365+ 31.35 грн
368+ 30 грн
500+ 24.06 грн
1000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 281
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.9 грн
10+ 116.06 грн
100+ 81.79 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 58.51 грн
2500+ 57.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 152
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670
Код товару: 66965
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS5670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670-NLFAIRCHILD1025+/1041+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670NLFAIRCHILD
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670_NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.21 грн
10+ 75.81 грн
25+ 75.05 грн
100+ 71.66 грн
250+ 49.32 грн
500+ 44.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+96.08 грн
133+ 86.44 грн
134+ 85.57 грн
143+ 77.17 грн
250+ 53.13 грн
500+ 48.24 грн
Мінімальне замовлення: 120
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 6924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 86.37 грн
100+ 68.72 грн
500+ 54.57 грн
1000+ 46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.01 грн
10+ 96.93 грн
100+ 68.15 грн
500+ 57.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5672onsemi / FairchildMOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 17015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.51 грн
10+ 113.78 грн
25+ 93.66 грн
100+ 79.81 грн
500+ 65.7 грн
1000+ 54.42 грн
2500+ 49.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.68 грн
5000+ 45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDS5672-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680
Код товару: 131521
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.87 грн
10+ 130.23 грн
100+ 96.93 грн
500+ 58.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS5680Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5680NLRHFAIRC09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5680NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
товар відсутній
FDS5682-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.29 грн
5000+ 24.74 грн
12500+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAIRSOP8
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690FDSSOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690Fairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5690FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAI99+
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.23 грн
5000+ 26.65 грн
12500+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5692ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS5692ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5692ZFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3Fairchild
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS6064N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
на замовлення 31115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6064N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS6064N7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6064N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6141CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6143FDSSOP-8
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6143CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6162N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
на замовлення 33137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+114.88 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS6162N3FAI02+
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)