Продукція > FF2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF2-10-AC-03HoneywellProximity Sensor Magnetic NC 3cm 230VAC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9299.45 грн
FF2-10-AC-03Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: SENSOR REED SWITCH NC CBL LEADS
товар відсутній
FF2-10-AC-03HoneywellControl Switches 1NC 2A 230Vac Barrel Safety Switch
товар відсутній
FF2-10-DC-03HoneywellProximity Sensor Magnetic NC 3cm 30VDC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5713.11 грн
FF2-10-DC-03Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED
товар відсутній
FF2-11-AC-03HoneywellProximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 230VAC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5108.07 грн
FF2-11-AC-03Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED
товар відсутній
FF2-11-DC-03HoneywellProximity Sensor Magnetic NO/NC 3cm 30VDC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8078.55 грн
FF2-11-DC-03Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: FF2 MAGNETICALLY ACTUATED
товар відсутній
FF20-XWPAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors TERM FINCLICK FML
товар відсутній
FF200GreenleePunches & Dies
товар відсутній
FF200Greenlee CommunicationsDescription: FISHFINDER VISION SYSTEMS PLUS
товар відсутній
FF200-0AG-006BLEDtronics, Inc.518nm Green LED Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+687.34 грн
20+ 635.67 грн
40+ 592.74 грн
80+ 534.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
FF200-0AG-024BLEDtronics, Inc.LED Single Green 525nm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+619.72 грн
25+ 573.77 грн
50+ 531.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
FF200-0CW-006BLEDtronics, Inc.LED Uni-Color White 2-Pin
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+687.34 грн
20+ 635.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
FF200-0CW-014BLEDtronics, Inc.LED, Single, 160mcd Intensity
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1196.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
FF200-0IW-014BLEDtronics, Inc.LED Uni-Color White 2-Pin
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+613.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
FF200-0UR-014BLEDtronics, Inc.LED Uni-Color Red 652nm 2-Pin
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1196.06 грн
22+ 530.12 грн
50+ 482.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
FF200-87MOFLASH SIGNALLINGCategory: Light Signalling Devices
Description: Signaller: lighting; flashing light; 200; 230VAC; IP65; Ø115x205mm
Type of signaller: lighting
Signalling method: flashing light
Manufacturer series: 200
Supply voltage: 230V AC
Light source: bulb BA15D
Operating temperature: -25...66°C
IP rating: IP65
Body dimensions: Ø115x205mm
Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080
Body material: ABS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2529.3 грн
FF200-87MOFLASH SIGNALLINGCategory: Light Signalling Devices
Description: Signaller: lighting; flashing light; 200; 230VAC; IP65; Ø115x205mm
Type of signaller: lighting
Signalling method: flashing light
Manufacturer series: 200
Supply voltage: 230V AC
Light source: bulb BA15D
Operating temperature: -25...66°C
IP rating: IP65
Body dimensions: Ø115x205mm
Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080
Body material: ABS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2107.75 грн
FF2000UXTR33T2M1BPSA1Infineon TechnologiesSIC 3.300V, 1000A Module, Half Bridge
товар відсутній
FF2000XTR17IE5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: PP IHM I
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107967.16 грн
FF2000XTR17IE5BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors PP IHM I
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+106816.84 грн
26+ 76576.15 грн
FF200R06KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 600V 260A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8367.25 грн
FF200R06KE3
Код товару: 170496		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FF200R06KE3EUPECMODULE
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R06KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 600V 260A 680000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R06KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R06KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R06KE3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 600V 260A 680W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7878.95 грн
10+ 7022.84 грн
FF200R06YE3Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 600V 200A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF200R06YE3BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 600V 220A 515mW Tray
товар відсутній
FF200R12KE3
Код товару: 35777		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FF200R12KE3EUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A DUAL
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11601.29 грн
FF200R12KE3,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KE3B2HOSA1Infineon TechnologiesFF200R12KE3B2HOSA1
товар відсутній
FF200R12KE3B2HOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R12KE3B2HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12KE3ENGEUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KE3GEUPEC200A/1200V/IGBT/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KE3HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R12KE3HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 295A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9846.5 грн
5+ 9649.66 грн
10+ 9452.81 грн
FF200R12KE3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9663.32 грн
10+ 8613.32 грн
FF200R12KE3HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
FF200R12KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE3HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF200R12KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE3_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 295A
товар відсутній
FF200R12KE4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT-MODULE
на замовлення 70 шт:
термін постачання 319-328 дні (днів)
1+10485.71 грн
FF200R12KE4
Код товару: 150251		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FF200R12KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 240A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 240A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10528.44 грн
FF200R12KE4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7327.29 грн
10+ 6441.37 грн
FF200R12KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1Infineon Technologies62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1Infineon Technologies62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material
товар відсутній
FF200R12KE4PHOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R12KES4EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS3EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4EUPEC200A/1200V/IGBT/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4
Код товару: 51740		InfineonТранзистори > IGBT
Vces: 1200 V
товар відсутній
FF200R12KS4INFINEON200A/1200V IGBT MODULE
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A DUAL
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10931.18 грн
FF200R12KS4EUPEC11+ .
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KS4EUPECMODULE
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KS4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 1.4
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: 62mm C
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 275
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesMedium Power 62mm IGBT-Module
товар відсутній
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10389.15 грн
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesFF200R12KS4PHOSA1
товар відсутній
FF200R12KT3INFINEON12+ .
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 295A
товар відсутній
FF200R12KT3EUPECMODULE
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KT3EHOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9865.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KT3EHOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9683.23 грн
10+ 8631.53 грн
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesTrench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesTrench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товар відсутній
FF200R12KT4INFINEON
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R12KT4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9407.7 грн
10+ 8743.51 грн
100+ 7189.67 грн
500+ 6996.46 грн
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10970.87 грн
FF200R12KT4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5720.52 грн
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9388.35 грн
3+ 9089.3 грн
5+ 8516.42 грн
10+ 7686.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8733.46 грн
10+ 7784.91 грн
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R12KT4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF200R12MT4Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12MT4BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R12MT4BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Tray
товар відсутній
FF200R17KE3EUPECA4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R17KE3EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R17KE3Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF200R17KE3EUPECMODULE
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R17KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 390A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12521.36 грн
10+ 11560.26 грн
20+ 9729.06 грн
FF200R17KE3HDLA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12368.42 грн
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11982.29 грн
10+ 10807.1 грн
30+ 10400.83 грн
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R17KE3HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 310A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13032.82 грн
5+ 12560.26 грн
10+ 12086.95 грн
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12067.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
товар відсутній
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesFF200R17KE3S4HOSA1
товар відсутній
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11982.29 грн
10+ 10807.1 грн
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товар відсутній
FF200R17KE4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 200A 1700V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11986.19 грн
10+ 10948.09 грн
100+ 9142.85 грн
500+ 8686.1 грн
FF200R17KE4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+14836.1 грн
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13854.46 грн
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11517.72 грн
10+ 10424.34 грн
20+ 8773.51 грн
FF200R17KE4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: AG-62MM-1
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12363.41 грн
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesFF200R17KE4PHPSA1
товар відсутній
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
товар відсутній
FF200R33KF2EUPECMODULE
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R33KF2EUPEC200A/3300V/IGBT/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF200R33KF2C
Код товару: 107908		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FF200R33KF2CInfineon TechnologiesIGBT Modules 3300V 200A DUAL
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+107412.58 грн
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83016.56 грн
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103669.36 грн
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200000mW Automotive 10-Pin IHV73-3 Tray
товар відсутній
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
товар відсутній
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+96264.41 грн
FF201-85MOFLASH SIGNALLINGCategory: Light Signalling Devices
Description: Signaller: lighting; flashing light; 201; 24VDC; IP65; Ø115x205mm
Type of signaller: lighting
Signalling method: flashing light
Manufacturer series: 201
Supply voltage: 24V DC
Light source: bulb BA15D
Operating temperature: -25...66°C
IP rating: IP65
Body dimensions: Ø115x205mm
Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080
Body material: ABS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2378.02 грн
FF201-85MOFLASH SIGNALLINGCategory: Light Signalling Devices
Description: Signaller: lighting; flashing light; 201; 24VDC; IP65; Ø115x205mm
Type of signaller: lighting
Signalling method: flashing light
Manufacturer series: 201
Supply voltage: 24V DC
Light source: bulb BA15D
Operating temperature: -25...66°C
IP rating: IP65
Body dimensions: Ø115x205mm
Related items: 50001; 50010; 50064; 50065; 50066; 50067; 50068; 50080
Body material: ABS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1981.69 грн
FF20LTELESTECategory: F connectors
Description: Terminator; F; male; 75Ω
Kind of connector: male
Type of connector: F
Wave impedance: 75Ω
Connector: terminator
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.33 грн
23+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
FF20LTELESTECategory: F connectors
Description: Terminator; F; male; 75Ω
Kind of connector: male
Type of connector: F
Wave impedance: 75Ω
Connector: terminator
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.19 грн
14+ 18.77 грн
50+ 15.61 грн
66+ 13.97 грн
181+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
FF2100QFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF225R12ME3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 325A
товар відсутній
FF225R12ME3EUPECMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10843.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R12ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 225A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF225R12ME4
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF225R12ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - IGBT MODULE
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesSP005422460
товар відсутній
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
товар відсутній
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
товар відсутній
FF225R12ME4BDLA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8724.24 грн
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8715.16 грн
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
товар відсутній
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9598.63 грн
10+ 8555.67 грн
30+ 8243.39 грн
FF225R12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF225R12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
товар відсутній
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9597.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9995.01 грн
12+ 9122.15 грн
30+ 7643.14 грн
FF225R12ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 225A 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF225R12MS4EUPECMODULE
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF225R12MS4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 275A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13742.75 грн
10+ 12687.11 грн
20+ 10678.7 грн
FF225R12MS4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12196.99 грн
10+ 11000.77 грн
FF225R12MS4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
товар відсутній
FF225R12MS4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12284.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF225R17ME3EUPECMODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF225R17ME3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 340A
товар відсутній
FF225R17ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 340A 1400W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11153.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF225R17ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3
товар відсутній
FF225R17ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 225A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF225R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500mW 11-Pin ECONOD-4 Tray
товар відсутній
FF225R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 340A 1500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
товар відсутній
FF225R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesSP005422452
товар відсутній
FF225R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311
товар відсутній
FF225R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10058.37 грн
10+ 9534.4 грн
25+ 9105.58 грн
FF225R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 340A 1500W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 340A 1500000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
товар відсутній
FF225R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 340A 1500W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12334.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF225R17ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 450A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12079.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF225R17ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R17ME4PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R17ME4PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
товар відсутній
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 225A 1700V
товар відсутній
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesDescription: FF225R17 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9305.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
FF225R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9491.99 грн
FF225R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14778.59 грн
5+ 14482.96 грн
FF225R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12615.67 грн
10+ 11330.51 грн
20+ 9684.37 грн
FF225R65T3E3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107187.3 грн
FF225R65T3E3BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF225R65T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3 V, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.9
Produktpalette: XHP 3
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 225
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+143613.19 грн
FF225R65T3E3BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+117999.5 грн
FF225R65T3E3BPSA1Infineon TechnologiesSP001983752
товар відсутній
FF225R65T3E3P2BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
товар відсутній
FF225R65T3E3P2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
товар відсутній
FF225R65T3E3P2BPSA1Infineon TechnologiesSP001998332
товар відсутній
FF225R65T3E3P3BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
товар відсутній
FF225R65T3E3P3BPMA1Infineon TechnologiesInfineon IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
товар відсутній
FF225R65T3E3P3BPMA1Infineon TechnologiesSP001998338
товар відсутній
FF225R65T3E3P4BPMA1Infineon TechnologiesSP001998352
товар відсутній
FF225R65T3E3P4BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
товар відсутній
FF225R65T3E3P5BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R65T3E3P6BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
товар відсутній
FF225R65T3E3P6BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товар відсутній
FF225R65T3E3P6BPMA1Infineon TechnologiesSP001998326
товар відсутній
FF23JKL Components Corp.Description: LAMP INCAND RT-1.75 MIDG FLA 5V
товар відсутній
FF23MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6360.46 грн
24+ 5591.75 грн
48+ 5334.9 грн
96+ 4746.99 грн
FF23MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF23MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1C11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8032.96 грн
10+ 7405.04 грн
FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
товар відсутній
FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray
товар відсутній
FF23MR12W1M1P_B11Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER EASY
товар відсутній
FF2400R12IP7BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56942.01 грн
FF2400R12IP7BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+64465.34 грн
10+ 60832.7 грн
FF2400R12IP7BPSA1Infineon TechnologiesFF2400R12IP7
товар відсутній
FF2400R12IP7PInfineon TechnologiesFF2400R12IP7P
товар відсутній
FF2400R12IP7PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: PP IHM I
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-PRIME3+
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+60238.47 грн
FF2400R12IP7PBPSA1Infineon TechnologiesFF2400R12IP7PBPSA1
товар відсутній
FF2400R12IP7PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
на замовлення 9 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+65426.04 грн
12+ 64353.83 грн
FF2400RB12IP7BPSA1Infineon TechnologiesPrime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
товар відсутній
FF2400RB12IP7BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+78437.34 грн
10+ 77152.8 грн
FF2400RB12IP7PBPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+76334.22 грн
12+ 75080.48 грн
FF2400RB12IP7PBPSA1Infineon TechnologiesDescription: PP IHM I XHP 1 7KV AG-PRIME3+-71
Packaging: Tray
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
NTC Thermistor: No
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+95623.02 грн
FF2450006Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
товар відсутній
FF24C2TUKDescription: TUK - FF24C2 - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e
tariffCode: 85444290
LAN-Kategorie: Cat5e
productTraceability: No
Steckverbindertyp: RJ45
rohsCompliant: YES
Anzahl der Anschlüsse: 24Anschlüsse
euEccn: NLR
hazardous: false
Rackhöhe: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1823.18 грн
3+ 1641.08 грн
FF24ICTUKDescription: TUK - FF24IC - Patchpanel, RJ45, 24 Anschlüsse, Cat5e, 1HE
tariffCode: 85444290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Anschlüsse: 24Anschlüsse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3083.85 грн
3+ 2775.69 грн
FF2500007Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.57 грн
10+ 73.16 грн
100+ 52.25 грн
500+ 49.55 грн
1000+ 39.3 грн
2000+ 38.38 грн
5000+ 37.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
FF25B0121Leader Tech Inc.Description: FERRITE 245OHM HINGED 25.7X1.5MM
товар відсутній
FF25B0121LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF25B2480LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF25R06EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF25R06KLEUPEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF27-16A-R21A-B-3HFujikura Ltd.Conn FPC Connector SKT 16 POS 0.35mm Solder RA SMD T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+245.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
FF2700008Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
товар відсутній
FF2700008Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL CERAMIC SEAM4025 T&R 1K
товар відсутній
FF2700008Diodes ZetexCrystal 27MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R
товар відсутній
FF28B0121LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B0121Leader Tech Inc.Description: FERRITE 97OHM HINGED 25.70X1.5MM
товар відсутній
FF28B1240LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B1265Leader Tech Inc.Description: FERRITE 148OHM HINGED 26.60X1MM
товар відсутній
FF28B1265LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B1729Leader Tech Inc.Description: FERRITE 200OHM CLAMP 4.65X1.52MM
товар відсутній
FF28B1729LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B1785LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B1785Leader Tech Inc.Description: FERRITE 260OHM HINGED 34.4X1.5MM
товар відсутній
FF28B2375Leader Tech Inc.Description: FERRITE 195OHM HINGED 43.7X1.5MM
товар відсутній
FF28B2375LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B2440LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B2440Leader Tech Inc.Description: FERRITE 180OHM HINGED 50.8X7.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 28
Length: 1.126" (28.60mm)
Type: Flat
Design: Hinged (Snap On)
Impedance @ Frequency: 180Ohm @ 100MHz
Inner Dimension: 2.000" W x 0.287" H (50.80mm x 7.30mm)
Outer Dimension: 3.181" W x 1.039" H (80.80mm x 26.40mm)
товар відсутній
FF28B2480Leader Tech Inc.Description: FERRITE 250OHM HINGED 52X1.50MM
товар відсутній
FF28B2480LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2748.7 грн
10+ 2462.3 грн
20+ 1706.73 грн
60+ 1686.35 грн
FF28B2500Leader Tech Inc.Description: FERRITE 325OHM HINGED 52X1.50MM
товар відсутній
FF28B2500LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B3000LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF28B3000Leader Tech Inc.Description: FERRITE 370OHM HINGED 64.5X1.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 28
Length: 1.500" (38.10mm)
Type: Flat
Design: Hinged (Snap On)
Impedance @ Frequency: 370Ohm @ 100MHz
Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm)
Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm)
товар відсутній
FF28B3012Leader Tech Inc.Description: FERRITE 286OHM HINGED 64.5X1.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 28
Length: 1.126" (28.60mm)
Type: Flat
Design: Hinged (Snap On)
Impedance @ Frequency: 286Ohm @ 100MHz
Inner Dimension: 2.539" W x 0.059" H (64.50mm x 1.50mm)
Outer Dimension: 3.701" W x 0.799" H (94.00mm x 20.30mm)
товар відсутній
FF28B3012LeaderTechFerrite Clamp On Cores Flat Cable Clamp Ferrite
товар відсутній
FF2MR12KM1HInfineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товар відсутній
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48145.63 грн
10+ 47357.32 грн
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53995.12 грн
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44328.43 грн
10+ 41197.83 грн
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50138.33 грн
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon Technologies62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET
товар відсутній
FF2MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
товар відсутній
FF2MR12KM1HOSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+59671.88 грн
10+ 55457.17 грн
FF2MR12KM1HOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52560 грн
FF2MR12KM1HOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A
товар відсутній
FF2MR12KM1HOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48805.72 грн
FF2MR12KM1HOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+87984.58 грн
FF2MR12KM1HPInfineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товар відсутній
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesSP005861616
товар відсутній
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44789.1 грн
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54555.51 грн
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48645.53 грн
8+ 46280.34 грн
24+ 40007.19 грн
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
товар відсутній
FF2MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50658.69 грн
FF2MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+88729.83 грн
FF2MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesSP005349765
товар відсутній
FF2MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товар відсутній
FF2MR12W3M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray
товар відсутній
FF2MR12W3M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 400A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38262.29 грн
FF2MR12W3M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41985.77 грн
8+ 40054.31 грн
FF2MR12W3M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52558.15 грн
FF2U06SRBelden Inc.Description: FXU FRAME OM2 06P
Packaging: Bulk
товар відсутній
FF2U12LDBelden Inc.Description: FXU FRAME OM2 12P
товар відсутній
FF2U12SCBelden Inc.Description: FXU FRAME OM2 12P
Packaging: Bulk
товар відсутній