Продукція > FF7
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF7 | Good-Ark | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123FL T/R | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF7 | SURGE | Description: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||
FF7 | Good-Ark | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123FL T/R | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005418154 | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 750A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 750A Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | MEDIUM POWER ECONO | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | FF750R17ME7B11BPSA1 | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | FF750R17ME7B11BPSA1 | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 750A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 750A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товар відсутній | |||||||||||||
FF750R17ME7DB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R06KF3 | EUPEC | C3-4 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
FF75R12KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
FF75R12KT3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
FF75R12RT4 Код товару: 67169 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||
FF75R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 75A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 395W euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 395W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 395 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FF75R12YT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||
FF75R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 345W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 345 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||
FF75R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 345000mW Tray | товар відсутній |