Продукція > FJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FJD3076FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJD3076FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJD3076TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 32V 2A DPAK
товар відсутній
FJD3076TMFairchild SemiconductorDescription: 2A, 32V, NPN
на замовлення 10316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FJD3076TMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.24 грн
10+ 42.99 грн
100+ 29.8 грн
500+ 23.36 грн
1000+ 19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
FJD3305H1TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.94 грн
5000+ 17.88 грн
12500+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.09 грн
6000+ 14.68 грн
10000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD5304DTFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.19 грн
10+ 64.25 грн
100+ 42.83 грн
500+ 33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJD5304DTFONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.79 грн
13+ 57.58 грн
100+ 40.62 грн
500+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+44.36 грн
15+ 39.62 грн
25+ 37.56 грн
100+ 28.85 грн
250+ 24.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 21084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.12 грн
10+ 35.35 грн
100+ 24.47 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 16.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
FJD5304DTFONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Collector current: 4A
товар відсутній
FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.62 грн
500+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FJD5553onsemionsemi NPN/3A/400V DPAK
товар відсутній
FJD5553TM
Код товару: 187870		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
FJD5553TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.24 грн
10+ 52.09 грн
100+ 31.41 грн
500+ 26.28 грн
1000+ 22.32 грн
2500+ 20.63 грн
5000+ 19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJD5553TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 3A; 1.25W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...60
Case: DPAK
Collector current: 3A
Mounting: SMD
товар відсутній
FJD5553TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD5553TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.15 грн
10+ 46.84 грн
100+ 32.44 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJD5553TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 3A; 1.25W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...60
Case: DPAK
Collector current: 3A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.34 W
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 46.5 грн
100+ 32.21 грн
500+ 25.26 грн
1000+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
FJD5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.34W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.34W
Mounting: SMD
товар відсутній
FJD5555TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 5A 1340mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.34 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.19 грн
5000+ 19.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FJD5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.34W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.34W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FJD5555TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.2 грн
10+ 46.71 грн
100+ 29.07 грн
500+ 24.72 грн
1000+ 21.15 грн
2500+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 6