НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD1000HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD1000HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD1000HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD100FFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7341.56 грн
10+ 6423.77 грн
GD100FFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD100FFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD100FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3956.01 грн
5+ 3877.17 грн
10+ 3845.19 грн
GD100FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD100FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товар відсутній
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C5 45mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товар відсутній
GD100FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C5 45mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD100FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8028.04 грн
10+ 7929.86 грн
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товар відсутній
GD100HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD100HFU120C1S
Код товару: 67457
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C2 62mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C2 62mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD100HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4658.11 грн
5+ 4334.58 грн
10+ 4007.32 грн
50+ 3647.19 грн
GD100HFU120C2S
Код товару: 73798
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GD100HFU120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4095.83 грн
16+ 4051.95 грн
32+ 4007.32 грн
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C8 48mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 16 шт
товар відсутній
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C8 48mm
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD100HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD100HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товар відсутній
GD100HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3313.41 грн
5+ 3138.62 грн
10+ 2969.79 грн
GD100HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товар відсутній
GD100HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2902.11 грн
GD100HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD100HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3080.61 грн
24+ 3042.68 грн
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
GD100HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8069.69 грн
GD100MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4138.22 грн
5+ 3959.72 грн
10+ 3712.06 грн
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
кількість в упаковці: 16 шт
товар відсутній
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товар відсутній
GD100PIX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Technology: Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD100PIX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Technology: Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
GD100PIX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8205.79 грн
GD100PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
GD100PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7020.26 грн
5+ 6762.18 грн
GD100PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD100SGY120D6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
GD100SGY120D6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD100SGY120D6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD101Box PartnersDescription: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE,
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7013.38 грн
GD103Glue DotsDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6674.15 грн
GD1030221MAWKYOCERA AVX ComponentsMicro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor
товар відсутній
GD1030221ZAWAVXMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR
товар відсутній
GD1030301ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 300 pF
товар відсутній
GD1030301ZAWKYOCERA AVX ComponentsCap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle
товар відсутній
GD103RDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3296.91 грн
GD103SRDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI
Features: Clear
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3398.03 грн
GD10GS-SP1M-CATGBICSDescription: CABLE SFP+ TO SFP+ M-M 1M
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1929.95 грн
10+ 1765.86 грн
100+ 1672.6 грн
1000+ 1482.78 грн
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+355.22 грн
4+ 243.56 грн
11+ 221.28 грн
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.01 грн
4+ 195.45 грн
11+ 184.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.01 грн
10+ 243.22 грн
25+ 200.89 грн
100+ 186.3 грн
250+ 177.02 грн
500+ 170.39 грн
1000+ 163.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12AGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.12 грн
10+ 234.28 грн
100+ 206.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товар відсутній
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.58 грн
10+ 223.4 грн
25+ 184.31 грн
100+ 171.05 грн
250+ 162.44 грн
500+ 155.8 грн
1000+ 149.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.39 грн
10+ 200.9 грн
25+ 190.67 грн
100+ 165.78 грн
250+ 157.4 грн
500+ 151.41 грн
1000+ 143.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товар відсутній
GD10MPS12EGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12E SMD Schottky diodes
товар відсутній
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товар відсутній
GD10MPS12HGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.46 грн
5+ 318.32 грн
10+ 275.19 грн
50+ 246.55 грн
100+ 219.3 грн
250+ 218.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12H THT Schottky diodes
товар відсутній
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товар відсутній
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.02 грн
10+ 295.83 грн
30+ 245.31 грн
120+ 228.07 грн
270+ 217.46 грн
510+ 210.17 грн
1020+ 202.22 грн
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.11 грн
10+ 263.96 грн
25+ 251.69 грн
100+ 219.79 грн
250+ 209.59 грн
500+ 202.18 грн
1000+ 191.81 грн
2500+ 182.89 грн
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.86 грн
10+ 530.67 грн
30+ 430.95 грн
120+ 424.32 грн
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.76 грн
10+ 465.55 грн
25+ 445.12 грн
100+ 390.21 грн
250+ 373.45 грн
500+ 360.89 грн
GD10MPS17HGeneSiC Semiconductor1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товар відсутній
GD10MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1174.53 грн
2+ 741.73 грн
4+ 701.95 грн
GD10PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJX65F1S IGBT modules
товар відсутній
GD10PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJX65L2S IGBT modules
товар відсутній
GD10PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1659.31 грн
24+ 1639.22 грн
GD10PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F1S IGBT modules
товар відсутній
GD10PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Case: F1.1
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V
товар відсутній
GD10PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F4S IGBT modules
товар відсутній
GD10PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Case: F4.1
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V
товар відсутній
GD10PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120L2S IGBT modules
товар відсутній
GD10PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Case: L2.2
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V
товар відсутній
GD10V_10AT-0001VicorModular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P
товар відсутній
GD10V_5A-10V_5AVicorModular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R
товар відсутній
GD10V_5A-10V_5AVicor CorporationDescription: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R
товар відсутній
GD1200HFY120C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29769.34 грн
5+ 29497.87 грн
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C3 130mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C3 130mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD1200SGX170C3SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28089.21 грн
5+ 27042.01 грн
GD1200SGX170C3SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD1200SGX170C3SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
товар відсутній
GD1250-1Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Connector
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4590 грн
10+ 3936.56 грн
20+ 3591.25 грн
GD1250-1/0Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Exposed Lead Wires
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4016.25 грн
10+ 3453.12 грн
20+ 3315 грн
GD12V_4A2AT-0V_0AVicorModular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro
товар відсутній
GD12V_4A2AT-0V_0AVicor CorporationDescription: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS
товар відсутній
GD12V_8A3A-000001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A
товар відсутній
GD12V_8A3ATV2-001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1
товар відсутній
GD1400HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45521.96 грн
GD1400HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Case: P2.0
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD1400HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Case: P2.0
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P2.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P2.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD14LS00GS00+ DIP-14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150FFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7854 грн
5+ 7497.74 грн
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8672.87 грн
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3370.68 грн
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD150HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD150HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
товар відсутній
GD150HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6551.69 грн
5+ 6429.72 грн
10+ 6129.99 грн
GD150HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
GD150HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2744.44 грн
24+ 2654.44 грн
48+ 2579.32 грн
GD150HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD150HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3767.09 грн
5+ 3604.96 грн
10+ 3378.86 грн
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.102
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 291
SVHC: To Be Advised
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4984.61 грн
5+ 4785.29 грн
10+ 4547.29 грн
50+ 4163.78 грн
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 60 шт
товар відсутній
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150HFY120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.102
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 291
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3625.78 грн
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 16 шт
товар відсутній
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10002.69 грн
5+ 9549.01 грн
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
GD150MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5154.93 грн
5+ 4897.59 грн
10+ 4537.62 грн
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 16 шт
товар відсутній
GD150P1200module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
GD150PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD150R1200CDH4-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150UR
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD1530331ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 330 pF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+260.55 грн
Мінімальне замовлення: 400
GD15MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1182.56 грн
2+ 803.06 грн
4+ 759.14 грн
GD15MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.27 грн
10+ 640.28 грн
25+ 614.77 грн
100+ 542.22 грн
250+ 520.08 грн
500+ 504.52 грн
1000+ 480.94 грн
GD15PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2251.33 грн
10+ 2223.81 грн
25+ 2196.29 грн
GD15PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD15PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJY120F2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
GD15PJY120F2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJY120F5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
GD15PJY120F5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD15V_5A-15V_5AVicorModular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC
товар відсутній
GD15V_6A7A-000001VicorModular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p
товар відсутній
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
товар відсутній
GD16043A-40ABGIGA01+
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16043A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054AGIGA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054A-40ABGIGA01+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16065GIGAPLCC 06+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16065INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16066GIGA01+ TO3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16131-GLPGIGAQFP 02+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16131-GLPGIGA02+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16132-GLPGIGA01+ QFP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16132-GLPGIGA01+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16192PLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16192-A01INTELPLCC28
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16333GIGAQFP-100
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16333GIGA0013
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16334GIGA0015+
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16334GIGAQFP-100
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361AGIGAO1
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361A-28BAGIGA01+ SSOP28
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361A-28BAGIGASSOP28 01+
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16362A-28BAGIGASSOP28 0027+
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16362A-28BAGIGA0027+ SSOP28
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16367BGIGA
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16368BGIGA
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16519GIGAQFP-100
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGA01+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523-100BAGIGAQFP 0607+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523-100BAGIGA04+ QFP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGQ07+ QFP-108
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGAO109
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524-100BAGIGA0601+ QFP
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524-100BAGIGAQFP 0601+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16544-68AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16553GIGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556GIGAQFP-100
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556GIGA
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556/ECLGIGAQFP-100
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556A100BAECL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16557GIGAQFP-100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16557GIGA
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16561GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16571GIGAQFP-32
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16571GDGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16573
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16575AQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584-132EAGIGA01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584-EBG1AMCCBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584132EAGIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16585GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16588-FBBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16589GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16590GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16590-48BAGIGA08+ BGA
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591AQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591AQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591A-48BAGIGA0321+ QFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16592A
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16952A08+ BGA
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16952A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD18/GV18/73/120PEPPERL+FUCHSCategory: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20m; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; 100mA
Type of sensor: photoelectric
Range: 20m
Operation mode: transmitter-receiver
Output configuration: PNP
IP rating: IP67
Connection: connector M12
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Operating temperature: -25...60°C
Max. operating current: 0.1A
Body material: plastic
Switch housing: M18
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD18/GV18/73/120PEPPERL+FUCHSCategory: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20m; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; 100mA
Type of sensor: photoelectric
Range: 20m
Operation mode: transmitter-receiver
Output configuration: PNP
IP rating: IP67
Connection: connector M12
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Operating temperature: -25...60°C
Max. operating current: 0.1A
Body material: plastic
Switch housing: M18
Number of pins: 4
товар відсутній
GD1826BurndyMechanical Grounding Connector, 2 Parallel Cables to Rod or Pipe
товар відсутній
GD18V5V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V
Packaging: Bulk
товар відсутній
GD18V5V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae
товар відсутній
GD18V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V 12V
Packaging: Bulk
товар відсутній
GD18V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p
товар відсутній
GD18V_5A4A-00002VicorModular Power Supplies GD18V5.4A18V5.4A p
товар відсутній
GD18V_5A4A-00002Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V
Packaging: Bulk
товар відсутній
GD190UB
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD1926BurndyMechanical Grounding Connector, 2 Parallel Cables to Rod or Pipe
товар відсутній
GD1X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 1 CH GUARD DOG, LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 10.81
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10843.88 грн