НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
H571262GTR-60C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H571262GTR-75C
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H574N/A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H574A249-30109+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H574A249301AMIS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V1262GTR-60CHYNIX10
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V1262GTR-60CHY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V1262GTR-75CHynix
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V1262GTR75CHYNIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V1262GTR75IHYNIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V2562GFR -75C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V2562GTR-60CHYNIX
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V2562GTR-75CHYNIX SEMICONDUCTORDescription: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
DRAM-Ausführung: SDRAM
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 6
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 133
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: H57V
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
H57V2562GTR-75I
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
H57V2562GTR75CHYNIX
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)