НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGB01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
товар відсутній
IGB01N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
товар відсутній
IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK; single transistor
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Pulsed collector current: 3.5A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20.9ns
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single transistor
Case: D2PAK
Turn-off time: 493ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.3A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 28W
товар відсутній
IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK; single transistor
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Pulsed collector current: 3.5A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20.9ns
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single transistor
Case: D2PAK
Turn-off time: 493ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.3A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 28W
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IGB03N120H2INFTO-to-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGB03N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3.9A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.9A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 16.1ns
Turn-off time: 403ns
товар відсутній
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB03N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3.9A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.9A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 16.1ns
Turn-off time: 403ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IGB03N120H2ATMA1616Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IGB10N60T
Код товару: 167667
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGB10N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 88.07 грн
100+ 59.73 грн
500+ 50.68 грн
1000+ 41.22 грн
2000+ 38.82 грн
5000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1InfineonIGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.31 грн
2000+ 40.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+67.92 грн
194+ 60.28 грн
250+ 57.99 грн
500+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 172
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.26 грн
10+ 97.12 грн
100+ 72.24 грн
500+ 56.88 грн
1000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.33 грн
10+ 84.24 грн
100+ 57.94 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 41.22 грн
2000+ 38.82 грн
5000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.61 грн
5+ 85.58 грн
15+ 65.76 грн
41+ 61.6 грн
250+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.85 грн
10+ 79.5 грн
100+ 61.8 грн
500+ 49.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.17 грн
6+ 68.67 грн
15+ 54.8 грн
41+ 51.33 грн
250+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+122.02 грн
106+ 111.12 грн
129+ 90.98 грн
200+ 82.08 грн
500+ 75.73 грн
1000+ 64.63 грн
Мінімальне замовлення: 96
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.76 грн
10+ 63.25 грн
25+ 63.07 грн
100+ 53.98 грн
250+ 49.86 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
IGB15N120S7Infineon TechnologiesInfineon SMD IGBT series IGB
товар відсутній
IGB15N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.52 грн
10+ 112.58 грн
100+ 77.91 грн
250+ 71.92 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 55.74 грн
2000+ 52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.52 грн
10+ 112.58 грн
100+ 77.91 грн
250+ 75.25 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 55.74 грн
2000+ 52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.06 грн
10+ 101 грн
100+ 80.38 грн
500+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.22 грн
10+ 102.73 грн
100+ 81.76 грн
500+ 64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 23A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товар відсутній
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.07 грн
10+ 114.87 грн
100+ 79.25 грн
250+ 75.25 грн
500+ 66.26 грн
1000+ 56.74 грн
2000+ 53.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 23A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.13 грн
10+ 115.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB15N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товар відсутній
IGB20N60H3
Код товару: 108573
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGB20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.97 грн
10+ 105.68 грн
100+ 73.92 грн
250+ 67.93 грн
500+ 61.47 грн
1000+ 52.68 грн
2000+ 50.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.65 грн
10+ 114.3 грн
100+ 85.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 95.38 грн
100+ 75.9 грн
500+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+145.84 грн
99+ 118.06 грн
106+ 110.12 грн
500+ 94.71 грн
Мінімальне замовлення: 81
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+ 127.13 грн
100+ 87.9 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 62.53 грн
2000+ 59.53 грн
5000+ 57.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB20N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товар відсутній
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товар відсутній
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.91 грн
10+ 113.49 грн
100+ 90.33 грн
500+ 71.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBT 600V 60A 187W TO263-3 (D2PAK)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IGB30N60H3
Код товару: 114099
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 175.37 грн
100+ 121.2 грн
250+ 115.87 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 86.57 грн
2000+ 82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.08 грн
10+ 168.83 грн
100+ 136.71 грн
500+ 115.85 грн
1000+ 90.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.94 грн
10+ 156.98 грн
100+ 124.97 грн
500+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.71 грн
500+ 115.85 грн
1000+ 90.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній
IGB30N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IGB30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 166.18 грн
25+ 136.52 грн
100+ 117.2 грн
250+ 110.55 грн
500+ 103.89 грн
1000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60TInfineon TechnologiesDescription: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+ 149.28 грн
100+ 120.75 грн
500+ 100.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товар відсутній
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB50N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.17 грн
10+ 290.25 грн
25+ 239.07 грн
100+ 204.44 грн
250+ 193.12 грн
500+ 182.47 грн
1000+ 155.16 грн
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.44 грн
10+ 261.31 грн
100+ 211.39 грн
500+ 176.34 грн
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.17 грн
10+ 290.25 грн
25+ 239.07 грн
100+ 204.44 грн
250+ 193.12 грн
500+ 183.13 грн
1000+ 155.83 грн
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.08 грн
2000+ 151.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+593.28 грн
27+ 432.56 грн
50+ 383.94 грн
100+ 347.28 грн
200+ 303.83 грн
500+ 271.27 грн
1000+ 255.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.75 грн
10+ 181.74 грн
100+ 147 грн
500+ 122.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товар відсутній
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.18 грн
2000+ 105.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товар відсутній
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товар відсутній
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.75 грн
10+ 181.74 грн
100+ 147 грн
500+ 122.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.18 грн
2000+ 105.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товар відсутній
IGBRB1000BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+310.77 грн
10+ 273.4 грн
50+ 194.45 грн
100+ 176.47 грн
500+ 137.18 грн
1000+ 121.87 грн
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.69 грн
10+ 268.8 грн
50+ 200.9 грн
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+204.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRB1000BJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.47 грн
10+ 340.03 грн
50+ 251.72 грн
100+ 220.42 грн
500+ 172.48 грн
1000+ 161.82 грн
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.55 грн
10+ 321.24 грн
100+ 239.22 грн
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.69 грн
10+ 268.8 грн
50+ 200.9 грн
IGBRB5000CJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.02 грн
10+ 347.68 грн
25+ 288.35 грн
50+ 277.7 грн
100+ 225.09 грн
250+ 207.77 грн
500+ 176.47 грн
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+208.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRB5000CJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.9 грн
10+ 313.89 грн
50+ 267.14 грн
100+ 219.37 грн
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товар відсутній
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Nennleistung: 4
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC1000BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC1000BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC1000BJJPCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+239.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товар відсутній
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товар відсутній
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
10+ 366.33 грн
50+ 316.69 грн
100+ 244.19 грн
IGBRC1500BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.52 грн
10+ 323.94 грн
50+ 246.4 грн
100+ 192.46 грн
500+ 150.5 грн
1000+ 133.19 грн
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
10+ 366.33 грн
50+ 316.69 грн
100+ 244.19 грн
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+239.99 грн
1000+ 213.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC1500BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGBRC1800CKANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товар відсутній
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товар відсутній
IGBRC1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товар відсутній
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.04 грн
10+ 412.01 грн
50+ 309.66 грн
100+ 253.72 грн
500+ 225.75 грн
1000+ 215.76 грн
IGBRC3000CJJPHWSVishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H
товар відсутній
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товар відсутній
IGBRC5000CJJNCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.11 грн
10+ 452.6 грн
50+ 334.97 грн
100+ 293.01 грн
500+ 230.41 грн
1000+ 215.76 грн
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товар відсутній
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.35 грн
10+ 297.66 грн
50+ 222.48 грн
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRC5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRC5000CJJPCWSVishayThin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM
товар відсутній
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.82 грн
10+ 426.89 грн
50+ 349.49 грн
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRD1000BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.34 грн
10+ 474.81 грн
50+ 338.3 грн
500+ 317.65 грн
1000+ 297.67 грн
IGBRD1000BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.59 грн
10+ 436.52 грн
25+ 372.26 грн
50+ 359.61 грн
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD1500BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.82 грн
10+ 426.89 грн
50+ 349.49 грн
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRD1500BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.82 грн
10+ 426.89 грн
50+ 349.49 грн
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.93 грн
10+ 319.86 грн
50+ 239.07 грн
IGBRD1800CKANCT5Vishay / TechnoThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.29 грн
10+ 310.16 грн
25+ 265.04 грн
50+ 261.05 грн
100+ 201.11 грн
250+ 197.78 грн
500+ 157.16 грн
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+248.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRD1800CKANCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.04 грн
10+ 307.86 грн
25+ 244.4 грн
50+ 201.11 грн
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.52 грн
10+ 423.08 грн
100+ 315.03 грн
IGBRD1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товар відсутній
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
товар відсутній
IGBRD3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.17 грн
10+ 313.99 грн
25+ 267.71 грн
50+ 264.38 грн
100+ 203.11 грн
250+ 199.78 грн
500+ 158.49 грн
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товар відсутній
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGBRD5000CJWNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Part Status: Active
Resistance: 5 Ohms
товар відсутній
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Part Status: Active
Resistance: 5 Ohms
товар відсутній
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.08 грн
10+ 436.74 грн
100+ 310.59 грн
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+285.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
IGBRD5000CJWPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGBT A50L-1-0212 100ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT A50L-1-0221 150ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT A50L-1-0222 200ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT A50L-1-0230 50ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGBT(30A)-0233TOSHIBAF1-5
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT-4/DDIODE-3SZE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT150Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT25A-0233TOSHIBA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT30A-0233TOSHIBA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBT50Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBTA50L-1-0221TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGBTA50L-1-0222TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)