Продукція > IKD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IKD-0512

04+ DJ

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKD0103101

Apem Components

Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube

товар відсутній

IKD0103101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.74 грн
10+	120.23 грн
25+	99.22 грн
50+	94.56 грн
100+	89.9 грн
260+	85.91 грн
520+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD0104000

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD0203000

Apem Components

Low Profile Dual in Line Switche Two Way

товар відсутній

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 259 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	177.5 грн
5+	151.28 грн
10+	133.19 грн
12+	87.4 грн
31+	82.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.91 грн
5+	121.39 грн
10+	110.99 грн
12+	72.84 грн
31+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD0204101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

товар відсутній

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

на замовлення 2015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.63 грн
100+	37.81 грн
500+	30.08 грн
1000+	24.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.75 грн
500+	34.41 грн
1000+	28.43 грн
5000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	53.99 грн
100+	36.56 грн
500+	30.97 грн
1000+	25.24 грн
2500+	24.31 грн
5000+	22.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD03N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 7076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.02 грн
17+	45.87 грн
100+	32.87 грн
500+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 13

IKD03N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD04N60R

8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	43.61 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKD04N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD04N60R6EDV1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC

на замовлення 2329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 4007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

476+	45.38 грн

Мінімальне замовлення: 476

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.67 грн
10+	48.97 грн
100+	38.12 грн
500+	30.32 грн
1000+	24.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	44.72 грн
100+	31.96 грн
500+	28.04 грн
1000+	23.97 грн
2500+	23.31 грн
5000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 10781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.9 грн
10+	58.43 грн
100+	35.16 грн
500+	29.43 грн
1000+	25.04 грн
2500+	22.24 грн
5000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 14641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	52.51 грн
100+	36.36 грн
500+	28.51 грн
1000+	24.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.15 грн
12+	65.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.91 грн
5000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP004542900

товар відсутній

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 2330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	56.75 грн
100+	40.62 грн
500+	35.09 грн
1000+	28.64 грн
2500+	26.97 грн
5000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.02 грн
500+	48.42 грн
1000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD04N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.15 грн
100+	42.92 грн
500+	34.14 грн
1000+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.09 грн
10+	76.2 грн
100+	59.02 грн
500+	48.42 грн
1000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD04N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD0603000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.35 грн
10+	168.48 грн
25+	139.18 грн
50+	132.52 грн
100+	125.86 грн
250+	120.53 грн
500+	111.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD06N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 7021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

596+	34.09 грн

Мінімальне замовлення: 596

IKD06N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD06N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

на замовлення 1507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.4 грн
10+	126.36 грн
25+	103.22 грн
100+	87.9 грн
250+	82.58 грн
500+	71.92 грн
1000+	67.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.41 грн
25+	27.97 грн
50+	26.55 грн
100+	24.19 грн
250+	22.84 грн
500+	22.47 грн
1000+	22.1 грн

Мінімальне замовлення: 21

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	49.38 грн

Мінімальне замовлення: 398

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	51.18 грн
231+	50.67 грн
249+	47 грн
251+	45 грн
500+	38.93 грн
1000+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 229

IKD06N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.19 грн
11+	68.13 грн
100+	52.07 грн
500+	42.73 грн
1000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.28 грн
8+	46.06 грн
22+	37.04 грн
60+	35.03 грн
500+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	57.4 грн
22+	44.45 грн
60+	42.04 грн
500+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

5+	77.3 грн
10+	63.33 грн
100+	43.75 грн
500+	38.76 грн
1000+	31.57 грн
2500+	29.7 грн
5000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.12 грн
13+	47.53 грн
25+	47.05 грн
100+	42.08 грн
250+	38.69 грн
500+	34.7 грн
1000+	31.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	52.15 грн
100+	38.16 грн
500+	33.23 грн
1000+	27.1 грн
2500+	25.44 грн
5000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	52.16 грн
100+	40.55 грн
500+	32.26 грн
1000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349953

товар відсутній

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IKD06N60RC2ATMA1

товар відсутній

IKD06N60RF

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

на замовлення 1356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	71.22 грн
100+	48.55 грн
500+	41.15 грн
1000+	33.5 грн
2500+	32.76 грн
5000+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD06N60RF

12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKD06N60RFA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.28 грн
500+	45.37 грн
1000+	33.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4142500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD06N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.16 грн
11+	71.72 грн
100+	55.28 грн
500+	45.37 грн
1000+	33.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	51.39 грн
100+	38.36 грн
500+	35.03 грн
1000+	31.57 грн
2500+	31.23 грн
5000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	64.58 грн
100+	50.24 грн
500+	39.96 грн
1000+	32.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD06N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 7758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
10+	111.06 грн
100+	88.39 грн
500+	70.19 грн
1000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 5551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.98 грн
10+	93.43 грн
100+	68.59 грн
250+	63.2 грн
500+	58.47 грн
3000+	51.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.67 грн
500+	67.84 грн
1000+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IKD06N65ET6

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.6 грн
6000+	58.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.7 грн
10+	104.59 грн
100+	83.67 грн
500+	67.84 грн
1000+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD0800000

Apem Components

IKD0800000

товар відсутній

IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.56 грн
10+	182.27 грн
22+	144.51 грн
110+	125.2 грн
264+	113.21 грн
506+	104.55 грн
1012+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.2 грн
10+	196.82 грн
22+	161.16 грн
44+	154.5 грн
110+	145.84 грн
264+	139.85 грн
506+	128.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0803101

Apem Components

SK6812 LED Development Tool

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.52 грн
10+	130.76 грн
100+	104.06 грн
500+	82.63 грн
1000+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.7 грн
10+	140.91 грн
100+	97.89 грн
250+	89.9 грн
500+	81.91 грн
1000+	70.59 грн
3000+	65.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD10N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

на замовлення 2377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101 грн
10+	81.94 грн
100+	54.67 грн
500+	46.22 грн
1000+	37.83 грн
2500+	35.83 грн
5000+	34.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.93 грн
10+	73.39 грн
100+	57.1 грн
500+	45.42 грн
1000+	37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.43 грн
10+	87.49 грн
25+	86.31 грн
100+	71.01 грн
250+	63.94 грн
500+	53.27 грн
1000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD10N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.25 грн
10+	94.13 грн
100+	72.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 3834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	63.75 грн
100+	49.58 грн
500+	39.43 грн
1000+	32.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 2561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.02 грн
10+	65.63 грн
100+	45.28 грн
500+	39.02 грн
1000+	32.5 грн
2500+	31.17 грн
5000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.99 грн
10+	86.08 грн
25+	85.22 грн
100+	66.57 грн
250+	60.61 грн
500+	49.77 грн
1000+	40.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	92.7 грн
128+	91.77 грн
157+	74.35 грн
250+	70.49 грн
500+	55.84 грн
1000+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 126

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.73 грн
500+	60.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD10N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD10N60RF
Код товару: 113379

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168

товар відсутній

IKD10N60RF

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 5057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.54 грн
10+	94.96 грн
100+	63.8 грн
500+	54.34 грн
1000+	44.28 грн
2500+	43.22 грн
5000+	43.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.93 грн
500+	64.72 грн
1000+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD10N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	85.32 грн
100+	66.34 грн
500+	52.77 грн
1000+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.29 грн
10+	99.36 грн
100+	79.93 грн
500+	64.72 грн
1000+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 6889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.09 грн
10+	95.73 грн
100+	64.4 грн
500+	54.41 грн
1000+	44.35 грн
2500+	41.69 грн
5000+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD15N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 30A 250W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 7198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.24 грн
500+	61.18 грн
1000+	45.98 грн
5000+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 19381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
10+	88.38 грн
100+	70.36 грн
500+	55.87 грн
1000+	47.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2061 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	128.19 грн
5+	111.51 грн
11+	89.07 грн
30+	84.07 грн
500+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 7198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.21 грн
10+	101.6 грн
100+	72.24 грн
500+	61.18 грн
1000+	45.98 грн
5000+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.83 грн
5000+	46.18 грн
12500+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 2061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.83 грн
5+	89.49 грн
11+	74.22 грн
30+	70.06 грн
500+	67.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

на замовлення 10268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.65 грн
10+	98.03 грн
100+	67.93 грн
250+	65.66 грн
500+	57.07 грн
1000+	48.88 грн
2500+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	65.19 грн

Мінімальне замовлення: 306

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

на замовлення 4388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.29 грн
10+	80.54 грн
100+	62.65 грн
500+	49.83 грн
1000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товар відсутній

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349957

товар відсутній

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.22 грн
10+	80.41 грн
100+	56.54 грн
500+	49.81 грн
1000+	41.82 грн
2500+	39.36 грн
5000+	37.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	82.98 грн
148+	79 грн
150+	78.21 грн
166+	68.14 грн
250+	61.71 грн
500+	54.08 грн
1000+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 141

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.3 грн
10+	97.86 грн
100+	77.69 грн
500+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.69 грн
500+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.05 грн
10+	73.36 грн
25+	72.62 грн
100+	63.28 грн
250+	57.31 грн
500+	50.21 грн
1000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD15N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60RF

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.41 грн
10+	110.28 грн
100+	75.92 грн
250+	70.59 грн
500+	63.8 грн
1000+	54.94 грн
2500+	52.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.93 грн
10+	127 грн
25+	105.33 грн
100+	88.1 грн
500+	74.28 грн
1000+	69.8 грн
2500+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.53 грн
10+	67.74 грн
25+	67.06 грн
100+	64.02 грн
250+	58.68 грн
500+	55.77 грн
1000+	54.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 17951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.59 грн
500+	87.4 грн
1000+	73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	82.42 грн
160+	72.95 грн
162+	72.22 грн
164+	68.94 грн
250+	63.19 грн
500+	60.06 грн
1000+	58.23 грн

Мінімальне замовлення: 142

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 5818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.62 грн
10+	99.47 грн
100+	79.2 грн
500+	62.89 грн
1000+	53.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній