Продукція > IKQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKQ100N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N120CH7XKSA1 - IGBT, 166 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 721W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 166A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1460.47 грн
10+ 1219.92 грн
25+ 1044.37 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.21 грн
10+ 819.79 грн
100+ 723.7 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 148 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/547ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 2.52mJ (off)
Gate Charge: 696 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 721 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.99 грн
10+ 788.79 грн
100+ 682.2 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.14 грн
10+ 855.43 грн
25+ 723.21 грн
50+ 683.25 грн
100+ 642.63 грн
240+ 623.32 грн
480+ 582.69 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+982.38 грн
14+ 882.85 грн
100+ 779.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 203 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-55
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/200ns
Switching Energy: 6.87mJ (on), 4.71mJ (off)
Gate Charge: 610 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 824 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1288.73 грн
10+ 1140.76 грн
100+ 963.46 грн
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1053.51 грн
10+ 915.16 грн
25+ 774.48 грн
50+ 731.2 грн
100+ 687.91 грн
240+ 666.6 грн
480+ 623.32 грн
IKQ100N60TInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ100N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 225 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.19 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.72 грн
10+ 725.24 грн
25+ 571.37 грн
100+ 525.42 грн
240+ 494.12 грн
480+ 463.49 грн
1200+ 416.88 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.04 грн
10+ 655.85 грн
25+ 618.13 грн
50+ 590.06 грн
100+ 495.46 грн
IKQ100N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 714W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.99 грн
5+ 770.2 грн
10+ 653.66 грн
50+ 566.05 грн
100+ 484.72 грн
IKQ120N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 170A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1228.89 грн
5+ 1156.42 грн
10+ 1098.15 грн
50+ 989.89 грн
100+ 694.11 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578286
товар відсутній
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1031.76 грн
10+ 896.02 грн
25+ 757.83 грн
50+ 715.88 грн
100+ 673.93 грн
240+ 651.95 грн
480+ 610 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.97 грн
30+ 763.14 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 216A 1004W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1246.19 грн
10+ 1082.88 грн
25+ 915.66 грн
50+ 865.05 грн
100+ 814.44 грн
240+ 788.47 грн
480+ 737.86 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 710 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 1004 W
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns
Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.56 грн
30+ 922.34 грн
120+ 868.1 грн
IKQ120N60TInfineon technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ120N60TInfineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1149.85 грн
10+ 1041.52 грн
25+ 868.38 грн
100+ 765.16 грн
240+ 727.2 грн
480+ 714.55 грн
1200+ 673.26 грн
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.66 грн
10+ 862.93 грн
25+ 822.61 грн
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 833 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.15 грн
5+ 825.48 грн
10+ 741.81 грн
50+ 650.67 грн
100+ 547.48 грн
250+ 512.26 грн
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.44 грн
10+ 838.58 грн
100+ 631.07 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.68 грн
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.8 грн
30+ 614.76 грн
120+ 578.61 грн
510+ 492.1 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.95 грн
10+ 768.89 грн
25+ 587.36 грн
100+ 554.06 грн
240+ 541.41 грн
480+ 464.82 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/287ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 3.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 251 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 498 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.39 грн
10+ 639.3 грн
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.41 грн
10+ 710.69 грн
25+ 561.38 грн
100+ 515.43 грн
240+ 484.14 грн
480+ 454.17 грн
1200+ 408.88 грн
IKQ140N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ140N120CH7XKSA1 - IGBT, 175 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 962W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 175A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.57 грн
10+ 1516.5 грн
25+ 1297.61 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 144 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns
Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off)
Gate Charge: 970 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
товар відсутній
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+1136.64 грн
10+ 987.15 грн
25+ 835.08 грн
50+ 788.47 грн
100+ 741.85 грн
240+ 718.54 грн
480+ 671.93 грн
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns
Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 301 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.35 грн
10+ 724.69 грн
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.65 грн
10+ 806.41 грн
25+ 681.92 грн
50+ 643.96 грн
100+ 606 грн
240+ 586.69 грн
480+ 548.73 грн
IKQ40N120CH3Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.53 грн
30+ 503.82 грн
120+ 450.77 грн
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.66 грн
10+ 650.95 грн
25+ 480.81 грн
100+ 436.19 грн
240+ 416.88 грн
480+ 345.62 грн
1200+ 344.95 грн
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.98 грн
10+ 680.05 грн
25+ 494.12 грн
100+ 444.84 грн
240+ 438.85 грн
480+ 352.95 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.94 грн
30+ 514.69 грн
120+ 460.51 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CT2XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.51 грн
5+ 838.93 грн
10+ 796.35 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ50N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.57 грн
30+ 567.27 грн
120+ 533.9 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.22 грн
5+ 750.78 грн
10+ 671.59 грн
50+ 588.94 грн
100+ 496.25 грн
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.13 грн
10+ 686.95 грн
25+ 548.73 грн
50+ 548.06 грн
100+ 516.1 грн
240+ 428.86 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.16 грн
10+ 559.05 грн
25+ 440.85 грн
100+ 404.89 грн
240+ 380.25 грн
480+ 356.94 грн
1200+ 320.98 грн
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 71A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/323ns
Switching Energy: 2.61mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.15 грн
30+ 469.25 грн
120+ 419.86 грн
IKQ50N120CT2Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 652
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+676.64 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+760.61 грн
10+ 701.5 грн
25+ 550.06 грн
100+ 507.44 грн
240+ 506.78 грн
480+ 429.53 грн
2640+ 428.86 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.01 грн
30+ 568.33 грн
120+ 534.9 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.57 грн
10+ 834.74 грн
25+ 828.35 грн
50+ 792.59 грн
100+ 663.63 грн
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.34 грн
10+ 938.7 грн
25+ 929.39 грн
50+ 887.22 грн
100+ 722.68 грн
500+ 682.3 грн
IKQ75N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns
Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.65 грн
30+ 825.78 грн
120+ 777.23 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.72 грн
10+ 913.63 грн
25+ 734.53 грн
240+ 659.28 грн
1200+ 606 грн
2640+ 586.02 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 938
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1320.02 грн
5+ 1241.59 грн
10+ 1163.15 грн
50+ 1058.56 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1277.81 грн
10+ 1163.14 грн
100+ 983.23 грн
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1376.11 грн
10+ 1252.62 грн
100+ 1058.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKQ75N120CH3XKSA1
Код товару: 162552		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.31 грн
10+ 722.17 грн
25+ 610.66 грн
50+ 577.37 грн
100+ 543.4 грн
240+ 525.42 грн
480+ 491.46 грн
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CH7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 149 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 56ns/470ns
Switching Energy: 5.28mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 518 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.8 грн
30+ 614.9 грн
120+ 578.73 грн
510+ 492.2 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.21 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.72 грн
10+ 765.72 грн
25+ 634.24 грн
240+ 577.14 грн
480+ 521.86 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.22 грн
2+ 449.51 грн
5+ 425.23 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 440 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns
Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.62 грн
30+ 525.67 грн
120+ 470.34 грн
510+ 389.47 грн
1020+ 350.52 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.74 грн
10+ 680.82 грн
25+ 446.84 грн
100+ 427.53 грн
240+ 426.86 грн
480+ 360.94 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+842.66 грн
2+ 560.15 грн
5+ 510.27 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+917.55 грн
10+ 797.22 грн
25+ 673.93 грн
50+ 636.63 грн
100+ 598.68 грн
240+ 580.03 грн
480+ 543.4 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CS7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/190ns
Switching Energy: 5.13mJ (on), 3.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 2.1Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 154 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 630 W
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.71 грн
30+ 658.81 грн
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesDescription: IKQ75N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
товар відсутній
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.2 грн
30+ 863.33 грн
120+ 812.55 грн
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1076.29 грн
13+ 970.7 грн
25+ 941.44 грн
50+ 897.6 грн
100+ 765.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1198.02 грн
10+ 1102.02 грн
25+ 833.09 грн
100+ 785.8 грн
240+ 713.88 грн
480+ 711.89 грн
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1617.13 грн
9+ 1309.58 грн
10+ 1220.29 грн
50+ 1042.77 грн
100+ 903.52 грн
200+ 846.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.04 грн
10+ 982.2 грн
25+ 952.59 грн
50+ 908.24 грн
100+ 774.54 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.64 грн
10+ 1243.08 грн
25+ 1050.34 грн
240+ 928.15 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQB120N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.37 грн
10+ 849.3 грн
25+ 718.54 грн
50+ 678.59 грн
100+ 638.63 грн
240+ 617.99 грн
480+ 578.7 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-51
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/324ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 5.2mJ (off)
Test Condition: 450V, 160A, 4.8Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.64 грн
30+ 797.87 грн
120+ 750.94 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1111.78 грн
10+ 965.71 грн
25+ 817.1 грн
50+ 771.82 грн
100+ 726.54 грн
240+ 703.23 грн
480+ 657.94 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 750V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.08 грн
10+ 1085.89 грн
100+ 939.14 грн
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1293.58 грн
10+ 1123.47 грн
25+ 950.96 грн
50+ 897.68 грн
100+ 845.07 грн
240+ 818.43 грн
480+ 765.16 грн
IKQB200N75CP2AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1588.21 грн
5+ 1378.29 грн
10+ 1199.75 грн
50+ 1043.99 грн
100+ 869.56 грн