Продукція > IPF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+148.23 грн
84+ 139.91 грн
85+ 137.65 грн
100+ 125.46 грн
250+ 113.66 грн
500+ 95.18 грн
Мінімальне замовлення: 79
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.29 грн
10+ 239.05 грн
100+ 197.22 грн
500+ 172.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.12 грн
10+ 189.79 грн
100+ 153.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.22 грн
500+ 172.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.94 грн
10+ 213.67 грн
25+ 175.14 грн
100+ 149.84 грн
250+ 141.84 грн
500+ 133.19 грн
800+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+137.64 грн
10+ 129.91 грн
25+ 127.82 грн
100+ 116.49 грн
250+ 105.54 грн
500+ 88.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.07 грн
10+ 198.35 грн
25+ 163.15 грн
100+ 139.85 грн
250+ 131.86 грн
500+ 124.53 грн
800+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.16 грн
10+ 193.12 грн
100+ 156.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.74 грн
10+ 221.63 грн
100+ 179.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.56 грн
10+ 246.6 грн
25+ 202.44 грн
100+ 173.14 грн
250+ 163.82 грн
500+ 154.5 грн
800+ 131.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+170.95 грн
73+ 161.38 грн
74+ 158.81 грн
100+ 144.74 грн
250+ 131.24 грн
500+ 109.71 грн
Мінімальне замовлення: 69
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.74 грн
10+ 149.85 грн
25+ 147.47 грн
100+ 134.4 грн
250+ 121.86 грн
500+ 101.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.42 грн
10+ 189.16 грн
25+ 155.16 грн
100+ 133.19 грн
250+ 125.86 грн
500+ 118.54 грн
800+ 101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.07 грн
10+ 132.44 грн
25+ 129.26 грн
100+ 114.89 грн
250+ 103.22 грн
500+ 81.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+155.16 грн
82+ 142.63 грн
84+ 139.21 грн
100+ 123.73 грн
250+ 111.16 грн
500+ 88.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.46 грн
10+ 167.66 грн
100+ 135.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.12 грн
10+ 157.76 грн
100+ 109.21 грн
250+ 100.56 грн
500+ 91.23 грн
800+ 77.25 грн
2400+ 73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.18 грн
10+ 179.8 грн
100+ 144.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.92 грн
10+ 252.43 грн
100+ 204.21 грн
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.11 грн
10+ 360.7 грн
100+ 256.39 грн
500+ 218.43 грн
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.69 грн
5+ 445.98 грн
10+ 370.53 грн
50+ 330.19 грн
100+ 291.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.9 грн
10+ 418.14 грн
25+ 330.3 грн
100+ 303 грн
250+ 285.69 грн
500+ 274.37 грн
1000+ 232.41 грн
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A T/R
товар відсутній
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+370.53 грн
50+ 330.19 грн
100+ 291.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.73 грн
10+ 144.18 грн
100+ 106.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.24 грн
10+ 131.31 грн
100+ 104.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.25 грн
10+ 147.8 грн
100+ 101.89 грн
250+ 94.56 грн
500+ 85.91 грн
800+ 73.25 грн
2400+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 227-236 дні (днів)
1+437.41 грн
10+ 362.24 грн
25+ 297.01 грн
100+ 254.39 грн
250+ 241.07 грн
500+ 226.42 грн
800+ 193.12 грн
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578929
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.09 грн
1600+ 129.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303 грн
10+ 268.8 грн
100+ 191.79 грн
500+ 163.15 грн
800+ 133.19 грн
2400+ 130.52 грн
4800+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.05 грн
10+ 210.32 грн
100+ 170.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.71 грн
10+ 386.74 грн
25+ 317.65 грн
100+ 272.37 грн
250+ 257.05 грн
500+ 243.07 грн
1000+ 205.77 грн
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.05 грн
10+ 384.44 грн
25+ 303.67 грн
100+ 279.03 грн
250+ 262.38 грн
500+ 245.73 грн
1000+ 221.09 грн
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.52 грн
10+ 186.74 грн
100+ 151.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.38 грн
10+ 234.34 грн
100+ 166.48 грн
500+ 141.84 грн
800+ 113.21 грн
4800+ 109.88 грн
9600+ 107.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.86 грн
10+ 271.1 грн
25+ 223.09 грн
100+ 190.46 грн
250+ 180.47 грн
500+ 169.81 грн
800+ 145.17 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.11 грн
10+ 243.76 грн
100+ 197.23 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+379.92 грн
10+ 314.75 грн
25+ 258.38 грн
100+ 221.09 грн
250+ 208.44 грн
500+ 197.12 грн
1000+ 168.48 грн
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 166.18 грн
25+ 139.85 грн
100+ 117.2 грн
250+ 113.21 грн
500+ 103.89 грн
800+ 83.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.41 грн
10+ 149.28 грн
100+ 120.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товар відсутній
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF041N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.33 грн
500+ 74.92 грн
1000+ 68.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.81 грн
10+ 143.21 грн
100+ 99.22 грн
250+ 91.9 грн
500+ 83.24 грн
800+ 70.59 грн
2400+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.64 грн
10+ 128.68 грн
100+ 102.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.48 грн
10+ 142.69 грн
100+ 105.33 грн
500+ 74.92 грн
1000+ 68.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578921
товар відсутній
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF050N03LGInfineon0724+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.61 грн
10+ 127.13 грн
100+ 87.9 грн
250+ 81.24 грн
500+ 73.92 грн
800+ 62.53 грн
2400+ 59.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.63 грн
10+ 113.83 грн
100+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF05N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 24746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 593
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.97 грн
10+ 471.98 грн
100+ 393.3 грн
500+ 325.68 грн
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
товар відсутній
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.76 грн
10+ 523.82 грн
25+ 413.55 грн
100+ 379.58 грн
250+ 357.61 грн
500+ 334.97 грн
1000+ 301.67 грн
IPF06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF06N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF09N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF105N03infineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF105N03LGinfineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товар відсутній
IPF10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IPF10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товар відсутній
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 52-61 дні (днів)
1+456.05 грн
10+ 385.21 грн
25+ 304.33 грн
100+ 279.03 грн
250+ 262.38 грн
500+ 246.4 грн
1000+ 221.76 грн
IPF13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
11+ 26.85 грн
100+ 22.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товар відсутній
IPF13N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPF7473TRPBFIRSOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPFH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
товар відсутній