Продукція > IPG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPG-22211Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.07 грн
10+ 43.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-22211BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22211 - CABLE GLAND, NYLON, 9.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 0
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.15 грн
13+ 58.72 грн
25+ 56.78 грн
50+ 51.4 грн
100+ 46.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPG-22211Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
6+ 51.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-22211-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CBL GLAND/BEND PROOF WIRE DIA 0.2- 0.39"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22211-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.06 грн
10+ 139.29 грн
100+ 132.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22211-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.2- 0.39"
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22211-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.07 грн
10+ 43.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-222114-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.02 грн
10+ 64.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-222114-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.710" (18.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.96 грн
10+ 57.65 грн
100+ 56.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-222135Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-13.5) .24 to .47"
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.25 грн
10+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-222135BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-222135 - CABLE GLAND, NYLON, 11.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG13.5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 6.1mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 11.9mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
IPG-222135Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 18778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 52.86 грн
100+ 52.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-222135-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6-12MM PG13.5 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.92 грн
10+ 176.89 грн
100+ 169.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-222135-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-13.5) .24 to .47"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.51 грн
10+ 181.5 грн
100+ 156.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-222135-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.24- 0.47"
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-222135-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 6686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 52.86 грн
100+ 52.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-2221354-GBUD IndustriesCable Accessories Gland Nylon Light Gray
товар відсутній
IPG-2221354-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CABLE GLAND/LNG THRD WIRE DIA 0.24- 0.47
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-2221354-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.790" (20.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 72.07 грн
100+ 68.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22216BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216 - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 0
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.59 грн
10+ 82.92 грн
25+ 79.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG-22216Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.01 грн
10+ 69.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-22216Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.44 грн
10+ 62.43 грн
100+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-22216-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+310.77 грн
10+ 228.98 грн
100+ 193.12 грн
IPG-22216-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.76 грн
10+ 223.71 грн
100+ 208.8 грн
250+ 195.3 грн
IPG-22216-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.72 грн
10+ 61.67 грн
100+ 59.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-22216-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216-G - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, GREY
Gewindemaß - Imperial: PG16
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
Kabeldurchmesser, min.: 9.9
Gewindemaß - Metrisch: -
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
Kabeldurchmesser, max.: 14
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
IPG-22216-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.01 грн
10+ 69.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG-222164-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.75 грн
10+ 96.49 грн
100+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-222164-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.870" (22.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.14 грн
10+ 85.39 грн
100+ 79.68 грн
250+ 74.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22219Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-19) 0.47 to 0.59
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 79.65 грн
100+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22219Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 11671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 72.07 грн
100+ 68.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22219-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22219-G - CABLE GLAND, NYLON, 15MM, GREY
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 0
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.78 грн
10+ 92.63 грн
25+ 88.9 грн
50+ 81.16 грн
100+ 73 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG-22219-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-19) 0.47 to 0.59
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 79.65 грн
100+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22219-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 12-15MM PG19 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 72.07 грн
100+ 68.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22221Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-21) .51 to .7"
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.51 грн
10+ 107.22 грн
100+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22221Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 13-18MM PG21 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 96.08 грн
100+ 92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22221BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22221 - CABLE GLAND, NYLON, 18MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG21
productTraceability: No
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 12.9mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 18mm
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-22221-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-21) .51 to .7"
товар відсутній
IPG-22221-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 13-17.8MM PG21 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.700" (17.78mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.67 грн
10+ 326.03 грн
100+ 308.22 грн
IPG-22221-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-21) .51 to .7"
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.51 грн
10+ 107.22 грн
100+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-22221-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 13-18MM PG21 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.07 грн
10+ 104.05 грн
100+ 97.12 грн
250+ 89.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22225Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-25) 0.59 to 0.75
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.26 грн
5+ 114.11 грн
100+ 97.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22225Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
товар відсутній
IPG-22225BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22225 - CABLE GLAND, NYLON, 19MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG25
productTraceability: No
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 0
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.3 грн
10+ 137.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-22225-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-25) 0.59 to 0.75
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.27 грн
10+ 117.17 грн
100+ 100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22225-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
товар відсутній
IPG-22229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.71- 0.98"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG29
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.460" (37.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.980" (24.89mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.710" (18.03mm)
Thread Length: 0.470" (11.94mm)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.55 грн
10+ 157.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.71- 0.98"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.19 грн
10+ 163.15 грн
100+ 153.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-22236Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.87-1.26"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22236Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22-32MM PG36 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG36
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.850" (47.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.260" (32.00mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.870" (22.10mm)
Thread Length: 0.530" (13.46mm)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.43 грн
10+ 269.01 грн
100+ 252.22 грн
IPG-22236-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-36) 0.87 to 1.26
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.78 грн
10+ 299.44 грн
100+ 253.72 грн
IPG-22236-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22-32MM PG36 NYLON
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPG-22242Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-42) 1.18 to 1.50
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.51 грн
5+ 480.17 грн
100+ 389.57 грн
250+ 361.6 грн
IPG-22242Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 30-38MM PG42 NYLON
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.52 грн
10+ 398.94 грн
100+ 375.04 грн
IPG-22242-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-42) 1.18 to 1.50
товар відсутній
IPG-22242-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 30-38MM PG42 NYLON
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.52 грн
10+ 398.94 грн
100+ 375.04 грн
IPG-22248Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-48) 1.34 to 1.73
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.52 грн
10+ 470.22 грн
100+ 402.89 грн
IPG-22248Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.66 грн
10+ 422.73 грн
100+ 400.35 грн
IPG-22248-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-48) 1.34 to 1.73
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.52 грн
10+ 470.22 грн
100+ 402.89 грн
IPG-22248-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.66 грн
10+ 422.73 грн
100+ 400.35 грн
IPG-22263Bud IndustriesCable Mounting & Accessories NYLON CABLE GLAND WIRE DIA 1.65-1.97"
товар відсутній
IPG-22263-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 1.65-1.97"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-2227BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227 - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPG-2227Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 15036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
12+ 24 грн
100+ 22.42 грн
250+ 18.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPG-2227Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.13 грн
12+ 26.73 грн
100+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPG-2227-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
10+ 98.85 грн
100+ 92.26 грн
250+ 85.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-2227-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.52 грн
10+ 101.09 грн
250+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG-2227-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
12+ 23.79 грн
100+ 22.21 грн
250+ 18.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPG-2227-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.95 грн
13+ 25.35 грн
100+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG-2227-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227-G - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, GREY
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.36 грн
26+ 28.76 грн
27+ 27.86 грн
50+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPG-22274-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.470" (11.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.82 грн
10+ 33.64 грн
100+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG-22274-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.58 грн
10+ 37.37 грн
100+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG-2229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.1-7.9MM PG9 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.82 грн
10+ 33.64 грн
100+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG-2229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.16- 0.31"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-2229-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.1-7.9MM PG9 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.89 грн
10+ 124.86 грн
100+ 117.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG-2229-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CBL GLAND/BEND PROOF WIRE DIA 0.16- 0.31
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-2229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.1-7.9MM PG9 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 9187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.82 грн
10+ 33.64 грн
100+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG-2229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.16- 0.31"
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG-22294-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.630" (16.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 32930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.79 грн
10+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG-22294-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-9) .16 to .31"
на замовлення 10564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.03 грн
10+ 51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG1-25828-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPG1-25828-3Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPG1-25828-6Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPG1-30037-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 1
товар відсутній
IPG15N06S3L-45Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
товар відсутній
IPG16N10S4-61
Код товару: 177704		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG16N10S4-61Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.25 грн
10+ 58.28 грн
100+ 39.42 грн
500+ 33.43 грн
1000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.84 грн
10+ 65.62 грн
100+ 51.05 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 33.07 грн
2000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.35 грн
10+ 72.68 грн
100+ 49.28 грн
500+ 41.82 грн
1000+ 32.1 грн
2500+ 32.03 грн
5000+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.76 грн
10000+ 29.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.43 грн
10+ 58.89 грн
100+ 42.09 грн
500+ 35.96 грн
1000+ 30.23 грн
2500+ 29.97 грн
5000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 7; Rds = 61 @ 16 А; 10 В мОм; Ugs(th) = 3,5 В; Р, Вт = 29; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+156 грн
10+ 80.9 грн
100+ 75.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.19 грн
13+ 61.56 грн
100+ 44.22 грн
500+ 34.82 грн
1000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+83.92 грн
10+ 75.22 грн
25+ 72.17 грн
100+ 55.7 грн
250+ 46.73 грн
500+ 41.05 грн
1000+ 31.57 грн
3000+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.68 грн
10+ 63.54 грн
100+ 49.4 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 32.01 грн
2000+ 30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+ 34.82 грн
1000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+81.01 грн
151+ 77.73 грн
188+ 62.21 грн
250+ 54.35 грн
500+ 46.05 грн
1000+ 34 грн
3000+ 32.58 грн
Мінімальне замовлення: 145
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG16N10S461ATMA1
Код товару: 155670		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+ 73.37 грн
100+ 49.28 грн
500+ 41.82 грн
1000+ 32.1 грн
5000+ 30.5 грн
10000+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.84 грн
10+ 65.62 грн
100+ 51.05 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 33.07 грн
2000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG2-2020A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
товар відсутній
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 9871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.26 грн
250+ 61.47 грн
500+ 55.74 грн
1000+ 45.48 грн
2500+ 45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesDescription: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товар відсутній
IPG20N04S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 103.39 грн
100+ 69.92 грн
500+ 57.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4-12Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 27816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+ 63.56 грн
100+ 40.76 грн
500+ 35.29 грн
1000+ 31.77 грн
2500+ 31.23 грн
5000+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.82 грн
10+ 146.27 грн
100+ 104.55 грн
250+ 102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 95.31 грн
100+ 75.88 грн
500+ 60.25 грн
1000+ 51.12 грн
2000+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 65W
Gate charge: 28nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 20A
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Bauform - Transistor: TDSON
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
Dauer-Drainstrom Id: 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 65W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 14164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.57 грн
100+ 68.88 грн
500+ 54.7 грн
1000+ 46.41 грн
2000+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 65W
Gate charge: 28nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 7.6mΩ
Drain current: 20A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S408BATMA1
товар відсутній
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 87.47 грн
100+ 69.64 грн
500+ 55.3 грн
1000+ 46.92 грн
2000+ 44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.85 грн
10+ 79.7 грн
100+ 61.95 грн
500+ 49.28 грн
1000+ 40.14 грн
2000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesSP001200172
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+117.32 грн
5000+ 57.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.56 грн
10+ 66.04 грн
100+ 51.35 грн
500+ 40.85 грн
1000+ 33.28 грн
2000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 28955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+ 68.69 грн
100+ 48.61 грн
500+ 42.02 грн
1000+ 32.3 грн
5000+ 30.7 грн
10000+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.61 грн
11+ 71.79 грн
100+ 54.53 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 36.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.01 грн
10000+ 30.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S412AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S412ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesSP003127446
товар відсутній
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S418AATMA1
товар відсутній
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.25 грн
10+ 58.28 грн
100+ 39.42 грн
500+ 33.43 грн
1000+ 27.24 грн
2500+ 26.84 грн
5000+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG20N04S4L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+ 79.65 грн
100+ 59.73 грн
250+ 58.67 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 45.48 грн
2500+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 16701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 89.6 грн
100+ 60.67 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 44.48 грн
5000+ 37.56 грн
10000+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L-11Infineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S4L-11Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 23360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+ 71.07 грн
100+ 48.15 грн
500+ 40.76 грн
1000+ 31.3 грн
5000+ 29.7 грн
10000+ 29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L-11AInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+ 72.68 грн
100+ 49.61 грн
500+ 42.02 грн
1000+ 34.23 грн
2500+ 32.3 грн
5000+ 30.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
на замовлення 14651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.65 грн
10+ 98.79 грн
100+ 67.93 грн
250+ 63.2 грн
500+ 57.07 грн
1000+ 47.08 грн
2500+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.57 грн
100+ 68.88 грн
500+ 54.7 грн
1000+ 46.41 грн
2000+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.17 грн
10+ 82.83 грн
100+ 64.4 грн
500+ 51.23 грн
1000+ 41.73 грн
2000+ 39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
10+ 80.68 грн
100+ 62.76 грн
500+ 49.93 грн
1000+ 40.67 грн
2000+ 38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.35 грн
10000+ 37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 13647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.32 грн
10+ 88.84 грн
100+ 60.6 грн
500+ 51.41 грн
1000+ 41.89 грн
2500+ 39.36 грн
5000+ 37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.9 грн
10+ 64.64 грн
100+ 47.48 грн
500+ 42.09 грн
1000+ 32.83 грн
2500+ 32.3 грн
5000+ 30.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1
Код товару: 158575		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8-4
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8-4
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
товар відсутній
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.4 грн
10+ 63.96 грн
100+ 49.72 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.22 грн
2000+ 30.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesSP003127442
товар відсутній
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.27 грн
10+ 52.37 грн
100+ 40.76 грн
500+ 32.42 грн
1000+ 26.41 грн
2000+ 24.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG20N06S2L-35Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.78 грн
10+ 78.11 грн
100+ 55.21 грн
500+ 47.35 грн
1000+ 36.43 грн
2500+ 36.36 грн
5000+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L-35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
товар відсутній
IPG20N06S2L-50Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.46 грн
10+ 64.64 грн
100+ 46.08 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 30.83 грн
2500+ 30.77 грн
5000+ 29.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L-65Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.6 грн
10+ 58.13 грн
100+ 41.15 грн
500+ 35.56 грн
1000+ 27.3 грн
2500+ 27.24 грн
5000+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.44 грн
10+ 86.54 грн
100+ 58.47 грн
500+ 49.55 грн
1000+ 38.09 грн
2500+ 38.02 грн
5000+ 36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.69 грн
10+ 77.83 грн
100+ 60.51 грн
500+ 48.13 грн
1000+ 39.21 грн
2000+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.9 грн
10000+ 35.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
10+ 87.4 грн
100+ 64.47 грн
500+ 49.46 грн
1000+ 33.62 грн
2500+ 32.78 грн
5000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.21 грн
10000+ 34.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.47 грн
500+ 49.46 грн
1000+ 33.62 грн
2500+ 32.78 грн
5000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.37 грн
10+ 74.43 грн
100+ 57.87 грн
500+ 46.04 грн
1000+ 37.5 грн
2000+ 35.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.4 грн
10+ 63.89 грн
100+ 49.67 грн
500+ 39.51 грн
1000+ 32.19 грн
2000+ 30.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+ 70.92 грн
100+ 48.01 грн
500+ 40.69 грн
1000+ 31.23 грн
5000+ 29.63 грн
10000+ 29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.96 грн
10+ 63.06 грн
100+ 49.04 грн
500+ 39.01 грн
1000+ 31.78 грн
2000+ 29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.53 грн
10000+ 28.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 57.85 грн
100+ 44.99 грн
500+ 35.78 грн
1000+ 29.15 грн
2000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
товар відсутній
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.92 грн
10000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L-65A
товар відсутній
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
товар відсутній
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.77 грн
100+ 43.39 грн
500+ 34.52 грн
1000+ 28.12 грн
2000+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.43 грн
13+ 61.41 грн
100+ 45.87 грн
500+ 36.97 грн
1000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.9 грн
10000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2845.37 грн
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.87 грн
500+ 36.97 грн
1000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N06S2L65AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IPG20N06S3L-23Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товар відсутній
IPG20N06S3L-35Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товар відсутній
IPG20N06S3L23XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4-15Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 491
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.75 грн
10+ 107.98 грн
100+ 73.25 грн
500+ 60.53 грн
1000+ 46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S415ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.95 грн
500+ 52.86 грн
1000+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 5858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.21 грн
10+ 92.66 грн
100+ 62.53 грн
500+ 53.34 грн
1000+ 40.96 грн
2500+ 40.89 грн
5000+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
10+ 83.73 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 42.2 грн
2000+ 39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.8 грн
10+ 92.63 грн
100+ 68.95 грн
500+ 52.86 грн
1000+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L-11Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 7055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.2 грн
10+ 99.56 грн
100+ 68.59 грн
250+ 63.2 грн
500+ 57.87 грн
1000+ 49.55 грн
2500+ 47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L-14Infineon
на замовлення 95092 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S4L-26Infineon
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S4L-26Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 24070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.47 грн
10+ 63.56 грн
100+ 42.95 грн
500+ 36.49 грн
1000+ 29.7 грн
5000+ 26.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S4L-26AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 14984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.69 грн
10+ 63.03 грн
100+ 42.69 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 29.5 грн
5000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.54 грн
10+ 91.57 грн
100+ 72.92 грн
500+ 57.9 грн
1000+ 49.13 грн
2000+ 46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.31 грн
10+ 101.85 грн
100+ 70.59 грн
250+ 69.92 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 48.15 грн
2500+ 48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5875.34 грн
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.38 грн
10+ 89.83 грн
100+ 71.46 грн
500+ 56.74 грн
1000+ 48.14 грн
2000+ 45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.38 грн
10+ 89.83 грн
100+ 71.46 грн
500+ 56.74 грн
1000+ 48.14 грн
2000+ 45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.2 грн
10+ 99.56 грн
100+ 68.59 грн
250+ 63.2 грн
500+ 57.87 грн
1000+ 49.55 грн
2500+ 47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.71 грн
10000+ 45.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesSP001404020
товар відсутній
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 79.91 грн
100+ 63.6 грн
500+ 50.51 грн
1000+ 42.86 грн
2000+ 40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.36 грн
10000+ 40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.69 грн
10+ 67.24 грн
100+ 50.21 грн
250+ 50.01 грн
500+ 45.95 грн
1000+ 41.55 грн
2500+ 41.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.19 грн
10+ 82.25 грн
25+ 81.47 грн
50+ 77.8 грн
100+ 55.69 грн
250+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
товар відсутній
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 85.95 грн
100+ 66.87 грн
500+ 53.19 грн
1000+ 43.33 грн
2000+ 40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.8 грн
10+ 65.78 грн
100+ 44.55 грн
500+ 37.69 грн
1000+ 30.7 грн
2500+ 28.9 грн
5000+ 27.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 613
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 17336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.76 грн
10+ 57.16 грн
100+ 44.45 грн
500+ 35.36 грн
1000+ 28.8 грн
2000+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 85438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.33 грн
10+ 50.85 грн
100+ 36.49 грн
500+ 32.63 грн
1000+ 27.97 грн
2500+ 26.97 грн
5000+ 26.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: TDSON
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
Dauer-Drainstrom Id: 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 33W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.9 грн
10+ 74.7 грн
100+ 54.53 грн
500+ 41.83 грн
1000+ 30.54 грн
5000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.58 грн
10000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.97 грн
10000+ 39.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 91.9 грн
100+ 63.8 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 42.02 грн
5000+ 39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.1 грн
10+ 80.68 грн
100+ 61.26 грн
500+ 47.03 грн
1000+ 33.74 грн
2500+ 32.85 грн
5000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 85.95 грн
100+ 66.84 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 43.31 грн
2000+ 40.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.26 грн
500+ 47.03 грн
1000+ 33.74 грн
2500+ 32.85 грн
5000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L-22Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.75 грн
10+ 107.22 грн
100+ 74.58 грн
250+ 67.93 грн
500+ 61.8 грн
1000+ 55.14 грн
5000+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L-22AInfineon
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N10S4L-22AInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.08 грн
10+ 107.98 грн
100+ 75.25 грн
250+ 69.26 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 54.01 грн
2500+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L-35Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.43 грн
10+ 91.9 грн
100+ 61.93 грн
500+ 52.88 грн
1000+ 43.02 грн
2500+ 40.49 грн
5000+ 38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.69 грн
500+ 65.14 грн
1000+ 49.3 грн
5000+ 47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 21797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.46 грн
10+ 97.81 грн
100+ 77.82 грн
500+ 61.8 грн
1000+ 52.44 грн
2000+ 49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.18 грн
10+ 108.32 грн
100+ 77.69 грн
500+ 65.14 грн
1000+ 49.3 грн
5000+ 47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 88.07 грн
100+ 67.26 грн
250+ 66.26 грн
500+ 59 грн
1000+ 51.34 грн
2500+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.05 грн
10000+ 49.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+83.13 грн
142+ 82.44 грн
182+ 64.48 грн
200+ 59.79 грн
1000+ 51.38 грн
2000+ 47.28 грн
5000+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.08 грн
10+ 98.03 грн
100+ 71.92 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 50.34 грн
2500+ 50.28 грн
5000+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.19 грн
500+ 66.94 грн
1000+ 50.33 грн
5000+ 48.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.58 грн
10+ 95.8 грн
100+ 76.29 грн
500+ 60.58 грн
1000+ 51.4 грн
2000+ 48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+116.2 грн
117+ 100.39 грн
118+ 99.33 грн
150+ 75.08 грн
Мінімальне замовлення: 101
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 54518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.32 грн
50+ 85.91 грн
250+ 72.01 грн
1000+ 54.45 грн
3000+ 48.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+75.9 грн
162+ 72.42 грн
181+ 64.58 грн
200+ 59.89 грн
1000+ 51.55 грн
2000+ 47.37 грн
5000+ 46.6 грн
10000+ 45.41 грн
Мінімальне замовлення: 154
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.9 грн
10+ 93.22 грн
25+ 92.24 грн
100+ 69.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+92.27 грн
139+ 84.03 грн
171+ 68.36 грн
200+ 61.71 грн
1000+ 50.58 грн
2000+ 45.33 грн
5000+ 44.13 грн
Мінімальне замовлення: 127
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.95 грн
500+ 49.11 грн
1000+ 35.73 грн
2500+ 34.58 грн
5000+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.05 грн
10+ 85.11 грн
100+ 66.19 грн
500+ 52.65 грн
1000+ 42.89 грн
2000+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 94.2 грн
100+ 63.8 грн
500+ 54.21 грн
1000+ 41.62 грн
2500+ 41.55 грн
5000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.59 грн
10+ 86.66 грн
100+ 63.95 грн
500+ 49.11 грн
1000+ 35.73 грн
2500+ 34.58 грн
5000+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.92 грн
50+ 64.92 грн
250+ 58.12 грн
1000+ 42.18 грн
3000+ 37.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.49 грн
10000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 31260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 81.94 грн
100+ 58.87 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 40.56 грн
2500+ 40.49 грн
5000+ 38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.2 грн
500+ 48.56 грн
1000+ 34.39 грн
2500+ 33.42 грн
5000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.17 грн
10+ 83.03 грн
100+ 64.55 грн
500+ 51.35 грн
1000+ 41.83 грн
2000+ 39.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPG6-27390-1Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH11-20845-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товар відсутній
IPGH11-28676-25-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товар відсутній
IPGH11-30036-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 2
товар відсутній
IPGH11-30036-7Sensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товар відсутній
IPGH111-25450-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH1111-23259-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товар відсутній
IPGH1111-28676-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товар відсутній
IPGH266-20628-2Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH66-20788-1-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH66-20788-2-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH66-20788-3-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGH666-1REC4-23578-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 3
товар відсутній
IPGHB111-22761-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 3
товар відсутній
IPGHF666-32689-30Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товар відсутній
IPGSK-1316Sure-SealDescription: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK
Packaging: Box
Accessory Type: Gasket
Part Status: Active
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.76 грн
10+ 608.22 грн
25+ 486.58 грн