Продукція > IRF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF 3710PBFIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF-3100 100 10%VishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF-46 22K 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF014NTR
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF01BH100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 50MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товар відсутній
IRF01BH100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01BH101JVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF01BH101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH102JVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 60mA 26Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01BH102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 60MA 26 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 26Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 60 mA
товар відсутній
IRF01BH120KVishay DaleDescription: FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 12 µH
Current Rating (Amps): 350 mA
товар відсутній
IRF01BH121KVishay DaleDescription: FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.8Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 5.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 120 µH
Current Rating (Amps): 160 mA
товар відсутній
IRF01BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 880mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 335 mA
товар відсутній
IRF01BH151JVishay DaleDescription: FIXED IND 150UH 150MA 4.4 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.4Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 150 µH
Current Rating (Amps): 150 mA
товар відсутній
IRF01BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01BH181JVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 140MA 5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 140 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0JVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 815MA 150 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 815 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 165MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 1.2 µH
Current Rating (Amps): 740 mA
товар відсутній
IRF01BH1R5JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 700MA 200MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 150MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 700 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8JVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 655MA 230MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 230mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 125MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 655 mA
товар відсутній
IRF01BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.2Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 25MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 285 mA
товар відсутній
IRF01BH221JVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 130MA 5.7 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.7Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 130 mA
товар відсутній
IRF01BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 270MA 1.35 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.35Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 270 mA
товар відсутній
IRF01BH271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 120MA 6.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 6.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.7MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 120 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 250mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 115MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 630 mA
товар відсутній
IRF01BH330JVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 255MA 1.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.5Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 24MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 255 mA
товар відсутній
IRF01BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 100MA 9.5 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 9.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 100 mA
товар відсутній
IRF01BH3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 575MA 300MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 300mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 90MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 575 mA
товар відсутній
IRF01BH3R9KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.9UH 555MA 320MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 3.9 µH
Current Rating (Amps): 555 mA
товар відсутній
IRF01BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 20MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 205 mA
товар відсутній
IRF01BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7JVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH4R7KVishay / DaleRF inductors - Leaded 4.7uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01BH4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 75MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF01BH560KVishay DaleDescription: FIXED IND 56UH 195MA 2.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 18MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 56 µH
Current Rating (Amps): 195 mA
товар відсутній
IRF01BH561KVishay DaleDescription: FIXED IND 560UH 85MA 13 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 13Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 560 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
товар відсутній
IRF01BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 65MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Inductance: 5.6 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товар відсутній
IRF01BH680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 15MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 68 µH
Current Rating (Amps): 185 mA
товар відсутній
IRF01BH681JVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 18 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 18Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 680 µH
Current Rating (Amps): 75 mA
товар відсутній
IRF01BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 450mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 60MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 470 mA
товар відсутній
IRF01BH820JVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 14MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 175 mA
товар відсутній
IRF01BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 425MA 550MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 550mOhm Max
Q @ Freq: 50 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 425 mA
товар відсутній
IRF01BHR39MVishay DaleDescription: FIXED IND 390NH 1A 90 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 90mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 25MHz
Frequency - Self Resonant: 320MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Inductance: 390 nH
Current Rating (Amps): 1 A
товар відсутній
IRF01EB100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EB101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 165mA 3.5Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01EB220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 285mA 1.2Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EB470KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 47 10% EB e2
товар відсутній
IRF01EB470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF01EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ER180KVishay / DaleRF inductors - Leaded 18uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF01ER180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 240mA 1.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 205mA 2.3Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 60Q-Factor Ferrite 90mA 11.6Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 11.6Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 2.55MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Inductance: 470 µH
Current Rating (Amps): 90 mA
товар відсутній
IRF01ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1A 100 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ES101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 165MA 3.5 OHM TH
товар відсутній
IRF01ES2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ESR10KVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.35A 60 MOHM TH
товар відсутній
IRF01EV6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100JVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU180KVishayRF Choke Wirewound 18uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 1Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF01RU180KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-1 18 10% R36
товар відсутній
IRF01RU220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 285MA 1.2 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680JVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
товар відсутній
IRF01RU6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 205MA 2.3 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01SH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF01SHR10KVishay DaleDescription: IRF-1 .1 10% RJ1
товар відсутній
IRF01ST100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 315MA 1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 315 mA
товар відсутній
IRF01ST2R2JVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 630MA 250MOHM TH
товар відсутній
IRF01ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 90MA 11.6 OHM TH
товар відсутній
IRF01ST6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 470MA 450MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH101KVishay / DaleFixed Inductors 10% 100uH Axial Leaded
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03BH180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03BH181KVishay DaleDescription: FIXED IND 180UH 165MA 4.6 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 4.6Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 180 µH
Current Rating (Amps): 165 mA
товар відсутній
IRF03BH220JVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 60 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 30MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товар відсутній
IRF03BH220KVishayRF Choke Wirewound 22uH 10% 2.5MHz 60Q-Factor Ferrite 410mA 840mOhm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH2R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 300MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH330KVishay / DaleFixed Inductors 33uH 10% Axial Leaded
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH331JVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH331KVishay DaleDescription: FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH390KVishay DaleDescription: FIXED IND 39UH 350MA 1.12 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH470JVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH470KVishay / DaleFixed Inductors 47uH 10% Axial Leaded
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF03BH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 13MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
товар відсутній
IRF03BH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03BH4R7KVishayRF Choke Wirewound 4.7uH 10% 7.9MHz 70Q-Factor Ferrite 620mA 390mOhm DCR AXL Bulk
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 590MA 430MOHM TH
товар відсутній
IRF03BH5R6KVishayFixed Inductors 5.6uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF03BH6R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 6.8UH 550MA 480MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Q @ Freq: 75 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 68MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 550 mA
товар відсутній
IRF03BH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.62Ohm Max
Q @ Freq: 35 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 10.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 82 µH
Current Rating (Amps): 290 mA
товар відсутній
IRF03BH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03BH8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Q @ Freq: 80 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 530 mA
товар відсутній
IRF03BHR47KVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR56KVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 1.1A 150 MOHM TH
товар відсутній
IRF03BHR82KVishay DaleDescription: FIXED IND 820NH 980MA 170MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EB220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
товар відсутній
IRF03EB3R3KVishay DaleDescription: FIXED IND 3.3UH 670MA 340MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 340mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 7.9MHz
Frequency - Self Resonant: 94MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.9 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 670 mA
товар відсутній
IRF03EB471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03EB821KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EBR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.6 грн
36+ 16.34 грн
50+ 15.5 грн
100+ 14.13 грн
250+ 13.34 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 12.91 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRF03ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER100KVishayRF Choke Wirewound 10uH 10% 7.9MHz 85Q-Factor Ferrite 500mA 580mOhm DCR AXL T/R
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+17.59 грн
675+ 17.31 грн
685+ 17.04 грн
697+ 16.16 грн
708+ 14.72 грн
1000+ 13.9 грн
Мінімальне замовлення: 664
IRF03ER150KVishay DaleDescription: FIXED IND 15UH 460MA 720 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 720mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 460 mA
товар відсутній
IRF03ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 790kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 790 kHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товар відсутній
IRF03ER330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER390KVishayRF Choke Wirewound 39uH 10% 2.5MHz 50Q-Factor Ferrite 350mA 1.12Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER391KVishayRF Choke Wirewound 390uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 133mA 7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03ER470KVishayRF Choke Wirewound 47uH 10% 2.5MHz 45Q-Factor Ferrite 340mA 1.22Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ER471KVishayRF Choke Wirewound 470uH 10% 790KHz 65Q-Factor Ferrite 126mA 7.7Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ERR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03ERR47MVishay DaleDescription: FIXED IND 470NH 1.15A 140MOHM TH
товар відсутній
IRF03EV100KVishayFixed Inductors
товар відсутній
IRF03EV471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU100KVishayRF inductors - Leaded IRF-3 10 10% R36
товар відсутній
IRF03RU1R5KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.5UH 830MA 230MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 280MOHM TH
товар відсутній
IRF03RU330KVishayRF Choke Wirewound 33uH 10% 2.5MHz 55Q-Factor Ferrite 370mA 1.03Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 305MA 1.47 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU680KVishayRF Choke Wirewound 68uH 10% 2.5MHz 40Q-Factor Ferrite 305mA 1.47Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03RU820KVishayRF Choke Wirewound 82uH 10% 2.5MHz 35Q-Factor Ferrite 290mA 1.62Ohm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03RU821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03RUR22MVishayRF Choke Wirewound 220nH 20% 25MHz 55Q-Factor Ferrite 1.4A 100mOhm DCR AXL T/R
товар відсутній
IRF03SH270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03SH470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03SH821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF03ST180KVishay DaleDescription: FIXED IND 18UH 430MA 770 MOHM TH
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.170" Dia x 0.385" L (4.32mm x 9.78mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 770mOhm Max
Q @ Freq: 65 @ 2.5MHz
Frequency - Self Resonant: 34MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.5 MHz
Part Status: Obsolete
Inductance: 18 µH
Current Rating (Amps): 430 mA
товар відсутній
IRF03ST270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
товар відсутній
IRF03ST471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 290MA 1.62 OHM TH
товар відсутній
IRF03ST821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 105MA 10.5OHM TH
товар відсутній
IRF044Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF044Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF044IRF045IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF044PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF054Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товар відсутній
IRF054PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF0612HI2L3 Narda-MITEQDescription: MIXER
товар відсутній
IRF06SDF2IOR2007
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1 1 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 100 5%Vishay / DaleRF inductors - Leaded 100uH 5%
товар відсутній
IRF1 1K 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 2.2 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 22 10%Vishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 4.7 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF1 47 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded
товар відсутній
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.48 грн
3+ 163.02 грн
7+ 124.17 грн
18+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+215.35 грн
58+ 203.22 грн
65+ 181.71 грн
100+ 152.86 грн
500+ 131.86 грн
1000+ 112.12 грн
2000+ 101.6 грн
Мінімальне замовлення: 55
IRF100B201
Код товару: 172773		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF100B201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.16 грн
50+ 182.16 грн
100+ 156.14 грн
500+ 130.25 грн
1000+ 111.53 грн
2000+ 105.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.39 грн
10+ 203.2 грн
100+ 164.35 грн
500+ 140.12 грн
1000+ 110.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+361.83 грн
51+ 230.52 грн
63+ 186.75 грн
100+ 168.82 грн
200+ 155.45 грн
500+ 132.56 грн
1000+ 123.39 грн
2000+ 120.05 грн
3000+ 115.88 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100B201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+199.49 грн
10+ 191.62 грн
25+ 168.32 грн
100+ 141.61 грн
500+ 122.37 грн
1000+ 103.85 грн
2000+ 94.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.49 грн
10+ 249.66 грн
25+ 176.47 грн
100+ 151.17 грн
500+ 134.52 грн
1000+ 114.54 грн
2000+ 108.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+232.18 грн
3+ 203.14 грн
7+ 149 грн
18+ 140.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.16 грн
10+ 71.24 грн
100+ 64.91 грн
250+ 62.13 грн
500+ 53.1 грн
1000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF100B202Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.61 грн
10+ 127.13 грн
100+ 87.9 грн
250+ 87.24 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 62.53 грн
2000+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.23 грн
5+ 81.26 грн
17+ 59.93 грн
45+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+82.23 грн
152+ 76.91 грн
167+ 70.08 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.12 грн
1000+ 50.7 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF100B202INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
6+ 65.21 грн
17+ 49.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF100B202
Код товару: 167969		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF100B202Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+118.66 грн
106+ 110.88 грн
125+ 93.48 грн
200+ 85.26 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 68.28 грн
2000+ 64.28 грн
3000+ 63.95 грн
Мінімальне замовлення: 99
IRF100B202Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.63 грн
10+ 113.76 грн
100+ 90.54 грн
500+ 71.9 грн
1000+ 61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202INFINEONDescription: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.08 грн
10+ 124.76 грн
100+ 94.13 грн
500+ 77 грн
1000+ 60.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesIRF100DM116XTMA1
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesSP001511076
товар відсутній
IRF100DM116XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218Infineon TechnologiesIRF100P218
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+689.03 грн
25+ 657.21 грн
50+ 630.77 грн
100+ 586.8 грн
250+ 526.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF100P218Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+563.95 грн
23+ 527.57 грн
27+ 443.42 грн
100+ 391.74 грн
250+ 354.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+596.68 грн
10+ 562.88 грн
25+ 408.88 грн
100+ 366.26 грн
250+ 360.27 грн
400+ 289.68 грн
1200+ 277.03 грн
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.64 грн
25+ 422.54 грн
100+ 378.06 грн
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.88 грн
10+ 490.13 грн
25+ 437.01 грн
50+ 395.47 грн
100+ 337.87 грн
250+ 282.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesSP005537804
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF100P218AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.19 грн
5+ 563.27 грн
10+ 480.35 грн
50+ 421.76 грн
100+ 366.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 55200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+430.63 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRF100P218AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+899.7 грн
18+ 667.24 грн
50+ 621.52 грн
100+ 532.73 грн
200+ 460.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 100V; 341A; Idm: 836A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 341A
Pulsed drain current: 836A
Power dissipation: 556W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 555 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P218XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 462A Tube
товар відсутній
IRF100P219Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P219AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.65 грн
5+ 519.94 грн
10+ 444.49 грн
50+ 394.01 грн
100+ 346.41 грн
250+ 278.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+340.61 грн
10+ 336.34 грн
25+ 310.04 грн
50+ 297.65 грн
100+ 263.02 грн
250+ 240.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.36 грн
25+ 371.81 грн
100+ 332.69 грн
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+691.55 грн
22+ 541.77 грн
50+ 510.64 грн
100+ 444.57 грн
200+ 388.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+366.81 грн
33+ 362.21 грн
35+ 333.89 грн
50+ 320.54 грн
100+ 283.25 грн
250+ 258.71 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRF100P219AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.44 грн
10+ 484.77 грн
25+ 348.28 грн
100+ 316.99 грн
250+ 311.66 грн
400+ 289.68 грн
1200+ 255.05 грн
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 316A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF100P219XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 304A Tube
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+ 199.88 грн
100+ 143.84 грн
500+ 137.85 грн
800+ 114.54 грн
4800+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.97 грн
10+ 202.42 грн
100+ 163.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.54 грн
76+ 153.97 грн
77+ 152.43 грн
100+ 127.11 грн
250+ 116.52 грн
500+ 98.5 грн
1000+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.16 грн
1600+ 124.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+146.8 грн
Мінімальне замовлення: 1600
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+119.8 грн
Мінімальне замовлення: 1600
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 1600
IRF100S201INFINEONDescription: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.6 грн
10+ 167.34 грн
100+ 133.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+167.64 грн
10+ 146.62 грн
25+ 145.16 грн
100+ 119.95 грн
250+ 109.96 грн
500+ 94.2 грн
1000+ 91.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF100S201INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF100S201Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+122.55 грн
97+ 120.61 грн
112+ 105.05 грн
Мінімальне замовлення: 96
IRF1010Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRF101018IORSO-223
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010EInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1010E
Код товару: 24949		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1010EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ELPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010EPBF
Код товару: 72223		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності 173 шт:
83 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 25 шт:
25 шт - очікується
1+54 грн
10+ 49 грн
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+40.07 грн
305+ 38.32 грн
307+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 292
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.63 грн
16+ 37.08 грн
100+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.4 грн
234+ 49.97 грн
500+ 49.54 грн
1000+ 39.9 грн
5000+ 36.72 грн
10000+ 34.91 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
50+ 79.41 грн
100+ 62.92 грн
500+ 50.06 грн
1000+ 40.78 грн
2000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
10+ 65.9 грн
21+ 40.23 грн
56+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.83 грн
124+ 94.41 грн
250+ 90.62 грн
500+ 84.23 грн
1000+ 75.45 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.95 грн
10+ 61.52 грн
100+ 48.88 грн
500+ 44.26 грн
1000+ 34.23 грн
5000+ 32.66 грн
10000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.45 грн
10+ 85.01 грн
100+ 56.67 грн
500+ 47.61 грн
1000+ 39.49 грн
5000+ 37.63 грн
10000+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+96.82 грн
10+ 79.08 грн
21+ 48.28 грн
56+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+54.78 грн
260+ 44.98 грн
500+ 44.8 грн
1000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 214
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.62 грн
12+ 50.87 грн
100+ 43.46 грн
500+ 40.12 грн
1000+ 32.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF1010EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.59 грн
10+ 82.17 грн
100+ 59.84 грн
500+ 48.42 грн
1000+ 37.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010ESIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1010ESTRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.23 грн
7+ 56.19 грн
19+ 43.7 грн
51+ 41.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.29 грн
2400+ 50.26 грн
4800+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.99 грн
10+ 88.84 грн
100+ 63.2 грн
250+ 62.53 грн
500+ 61.47 грн
800+ 47.02 грн
2400+ 44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.49 грн
2400+ 51.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.57 грн
100+ 68.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
10+ 93.38 грн
100+ 71.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.69 грн
2400+ 55.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.68 грн
5+ 70.02 грн
19+ 52.44 грн
51+ 49.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.59 грн
2400+ 46.73 грн
4800+ 45.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.78 грн
11+ 55.98 грн
25+ 55.43 грн
100+ 53.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.55 грн
1600+ 49.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRPBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ESTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+93.68 грн
164+ 71.49 грн
500+ 63.56 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 88.84 грн
100+ 59.47 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 43.42 грн
2000+ 41.42 грн
5000+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+89.09 грн
139+ 84.04 грн
160+ 72.95 грн
200+ 67.15 грн
500+ 62.01 грн
1000+ 54.69 грн
Мінімальне замовлення: 132
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.63 грн
10+ 87.63 грн
100+ 66.38 грн
500+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 9746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.05 грн
50+ 83.28 грн
100+ 66 грн
500+ 52.5 грн
1000+ 42.77 грн
2000+ 40.26 грн
5000+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.79 грн
10+ 62.12 грн
100+ 46.03 грн
500+ 25 грн
1000+ 22.53 грн
2000+ 21.42 грн
5000+ 21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.74 грн
7+ 55.29 грн
10+ 44.81 грн
20+ 40.65 грн
55+ 38.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+66.93 грн
234+ 49.99 грн
500+ 45.31 грн
1000+ 26.27 грн
2000+ 24.07 грн
5000+ 22.88 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRF1010EZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
10+ 91.89 грн
100+ 67.46 грн
500+ 53.97 грн
1000+ 39.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010EZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.9 грн
10+ 53.77 грн
20+ 48.78 грн
55+ 46.12 грн
250+ 45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010EZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010EZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.99 грн
10+ 97.86 грн
50+ 87.4 грн
100+ 70.76 грн
250+ 63.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
3+118.87 грн
10+ 97.26 грн
100+ 67.93 грн
250+ 65.66 грн
500+ 58.14 грн
800+ 47.88 грн
2400+ 46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 3200
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010EZSTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.76 грн
250+ 63.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010NInfineon / IRMOSFET MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1010NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1010NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NIRC07+;
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010N TO220
на замовлення 467 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1010NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NL
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NLPBFIR03+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.02 грн
10+ 61.1 грн
100+ 51.63 грн
500+ 47.11 грн
1000+ 36.33 грн
3000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
10+ 72.84 грн
18+ 46.48 грн
48+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 184
IRF1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.78 грн
10+ 91.14 грн
100+ 65.96 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
50+ 77.15 грн
100+ 63.48 грн
500+ 50.41 грн
1000+ 42.77 грн
2000+ 40.63 грн
5000+ 38.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBF
Код товару: 26804		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 97 шт:
75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 25 шт:
25 шт - очікується
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+65.93 грн
207+ 56.49 грн
250+ 54.68 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 39.06 грн
2000+ 35.46 грн
5000+ 34.32 грн
Мінімальне замовлення: 178
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+96.82 грн
10+ 87.4 грн
18+ 55.77 грн
48+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 84.24 грн
100+ 60.6 грн
250+ 58.8 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 44.02 грн
2000+ 41.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NSтранзистор HEXFET Power MOSFET. N-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. D2PAK
на замовлення 165 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010NS-TO263TI10+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSPBF
Код товару: 154257		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
товар відсутній
IRF1010NSPBFInfineon (IRF)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1010NSPBF//IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.03 грн
9600+ 49.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.57 грн
10+ 85.91 грн
100+ 62.3 грн
500+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.9 грн
10+ 62.83 грн
25+ 62.47 грн
100+ 55.7 грн
250+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.6 грн
1600+ 55.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+67.67 грн
174+ 67.28 грн
188+ 62.21 грн
250+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.18 грн
9600+ 45.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.3 грн
500+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.02 грн
10+ 96.63 грн
100+ 76.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 9694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+ 82.71 грн
100+ 61.13 грн
250+ 55.54 грн
800+ 49.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1010ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRF1010Z TIRF1010z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ZIRMOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+277.9 грн
IRF1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1010ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.6 грн
10+ 70.53 грн
100+ 56.94 грн
250+ 56.87 грн
500+ 56.2 грн
1000+ 56.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1010ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.64 грн
10+ 115.79 грн
100+ 82.92 грн
500+ 70.06 грн
1000+ 52.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 248
IRF1010ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.23 грн
1600+ 60.02 грн
2400+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.74 грн
1600+ 63.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.76 грн
1600+ 55.56 грн
2400+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.16 грн
250+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
товар відсутній
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+119.64 грн
106+ 110.88 грн
125+ 94.06 грн
200+ 85.73 грн
500+ 79.12 грн
1000+ 68.7 грн
2000+ 64.7 грн
3200+ 64.36 грн
Мінімальне замовлення: 98
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.16 грн
10+ 112.06 грн
50+ 100.1 грн
100+ 81.16 грн
250+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+ 111.13 грн
100+ 88.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1018EInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1018EInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Substitute: IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.13 грн
11+ 54.29 грн
100+ 41.92 грн
500+ 25.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.45 грн
13+ 60.66 грн
100+ 45.57 грн
500+ 37.46 грн
1000+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.4 грн
10+ 63.89 грн
100+ 49.67 грн
500+ 39.51 грн
1000+ 32.19 грн
2000+ 30.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+46.95 грн
300+ 38.95 грн
501+ 23.32 грн
1000+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.41 грн
5+ 54.98 грн
25+ 39.29 грн
68+ 37.13 грн
500+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+33.07 грн
375+ 31.12 грн
384+ 30.45 грн
500+ 27.85 грн
1000+ 25.01 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF1018EPBF
Код товару: 98648		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 46 шт:
8 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44 грн
10+ 39.6 грн
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.81 грн
14+ 43.76 грн
100+ 36.09 грн
500+ 20.83 грн
1000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+57.98 грн
259+ 45.14 грн
500+ 28.39 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.08 грн
10+ 58.82 грн
100+ 41.69 грн
500+ 34.76 грн
1000+ 30.37 грн
2000+ 30.3 грн
5000+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018EPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62 грн
8+ 44.12 грн
25+ 32.74 грн
68+ 30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018ES
Код товару: 99459		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
товар відсутній
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.37 грн
500+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+93.62 грн
129+ 90.75 грн
158+ 74.03 грн
250+ 68.6 грн
500+ 46.17 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
10+ 84 грн
100+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.2 грн
5+ 67.25 грн
20+ 49.2 грн
54+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.5 грн
7+ 53.97 грн
20+ 41 грн
54+ 38.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.04 грн
10+ 88.15 грн
100+ 65.37 грн
500+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.65 грн
10+ 88.07 грн
100+ 61.47 грн
500+ 57.07 грн
800+ 41.62 грн
2400+ 40.29 грн
4800+ 39.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+73.73 грн
160+ 72.95 грн
200+ 58.65 грн
207+ 54.4 грн
500+ 39 грн
1000+ 37.35 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.5 грн
1600+ 45.1 грн
2400+ 42.46 грн
5600+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.06 грн
10+ 84.23 грн
25+ 82.84 грн
100+ 64.68 грн
250+ 57.56 грн
500+ 39.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+101.14 грн
10+ 86.57 грн
13+ 74.92 грн
36+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.37 грн
5+ 81.16 грн
10+ 72.14 грн
13+ 62.43 грн
36+ 58.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.77 грн
50+ 70.12 грн
100+ 57.69 грн
500+ 48.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+110.07 грн
123+ 95.18 грн
139+ 84.42 грн
500+ 72.95 грн
1000+ 62.22 грн
2000+ 57.67 грн
Мінімальне замовлення: 107
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+ 82.71 грн
100+ 63.8 грн
500+ 57.2 грн
1000+ 52.68 грн
2000+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.92 грн
10+ 71.07 грн
100+ 64.17 грн
500+ 57.57 грн
1000+ 49.29 грн
2000+ 44.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+79.76 грн
154+ 76.06 грн
155+ 75.67 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1104PBF
Код товару: 28062		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+99.9 грн
123+ 95.42 грн
250+ 91.6 грн
500+ 85.14 грн
1000+ 76.26 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.88 грн
10+ 64.4 грн
100+ 59.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.87 грн
10+ 76.2 грн
100+ 64.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+75.25 грн
169+ 69.36 грн
181+ 64.79 грн
Мінімальне замовлення: 156
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1104STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товар відсутній
IRF120Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF122Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 442
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF130Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF130Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF130INTERNATIONAL RECTIFIERCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; 79W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power: 79W
Case: TO3
товар відсутній
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF130SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1302PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товар відсутній
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310N
Код товару: 26596		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.2 грн
10+ 103.84 грн
100+ 74.33 грн
500+ 62.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.64 грн
10+ 104.15 грн
100+ 71.92 грн
500+ 59.14 грн
1000+ 52.68 грн
2000+ 50.01 грн
5000+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.36 грн
10+ 103.29 грн
100+ 82.72 грн
500+ 65.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.23 грн
4+ 80.39 грн
10+ 69.09 грн
17+ 59.1 грн
45+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+120.61 грн
107+ 109.91 грн
131+ 89.48 грн
200+ 80.76 грн
500+ 74.51 грн
1000+ 63.53 грн
2000+ 59.27 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
6+ 64.51 грн
10+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.24 грн
132+ 89.09 грн
500+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 105
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.7 грн
10+ 93.3 грн
100+ 74.3 грн
500+ 59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 34256		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності 218 шт:
157 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 36.9 грн
IRF1310NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR03+
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.94 грн
25+ 67.92 грн
100+ 50.58 грн
500+ 39.02 грн
1000+ 34.84 грн
2500+ 32.2 грн
5000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSPBF
Код товару: 150473		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+168.46 грн
10+ 149.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1310NSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.9 грн
10+ 78.18 грн
25+ 77.43 грн
100+ 68.41 грн
250+ 58.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.71 грн
10+ 108.21 грн
100+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+92.51 грн
139+ 84.19 грн
140+ 83.39 грн
153+ 73.67 грн
250+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 127
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.69 грн
250+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.4 грн
10+ 113.34 грн
100+ 83.91 грн
250+ 81.24 грн
500+ 79.25 грн
800+ 59.73 грн
2400+ 55.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+87.06 грн
139+ 84.23 грн
151+ 77.62 грн
200+ 72.78 грн
500+ 67.22 грн
1600+ 60.53 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.65 грн
1600+ 61.81 грн
2400+ 58.72 грн
5600+ 53.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.31 грн
2400+ 59.44 грн
4800+ 58.85 грн
9600+ 56.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.19 грн
10+ 104.59 грн
50+ 94.13 грн
100+ 77.69 грн
250+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.33 грн
2400+ 64.02 грн
4800+ 63.38 грн
9600+ 60.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1310NSTRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1310NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310STRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1310ZPBF
Код товару: 117648		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1311International Rectifier CorporationСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1312International RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
44+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 44
IRF1312HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312L
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товар відсутній
IRF1312PBF
Код товару: 40543		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1312PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1312SIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1312SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1312SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312SHRInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF1312SPbFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1312STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1312STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF132IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1324Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRF1324International RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 353A 300W 0,0015Ω IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF1324LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1324PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.49 грн
50+ 136.16 грн
100+ 112.02 грн
500+ 88.96 грн
1000+ 75.48 грн
2000+ 71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.12 грн
10+ 107.22 грн
100+ 89.9 грн
500+ 84.57 грн
1000+ 75.25 грн
2000+ 73.92 грн
5000+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBF
Код товару: 94346		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+168 грн
102+ 115.31 грн
113+ 103.4 грн
500+ 92.57 грн
1000+ 78.96 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+174.81 грн
5+ 150.41 грн
9+ 119.87 грн
23+ 113.21 грн
100+ 109.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.72 грн
113+ 104.07 грн
117+ 100.18 грн
200+ 95.67 грн
500+ 83.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1324PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.67 грн
5+ 120.7 грн
9+ 99.89 грн
23+ 94.34 грн
100+ 90.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.87 грн
10+ 106.93 грн
100+ 95.89 грн
500+ 85.84 грн
1000+ 73.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+107.96 грн
114+ 103.1 грн
127+ 92.31 грн
200+ 85.64 грн
500+ 79.12 грн
Мінімальне замовлення: 109
IRF1324PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.93 грн
10+ 112.8 грн
100+ 96.37 грн
500+ 86.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1324PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1324S
Код товару: 99460		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 24 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 0,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7700/180
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1324S-7PInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1324S-7PPBF
Код товару: 98274		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1324S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1324SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 24V 429A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1324STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 19 V
товар відсутній
IRF1324STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
товар відсутній
IRF133Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IRF133IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.39 грн
3+ 155.6 грн
9+ 114.04 грн
24+ 108.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+118.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF135B203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.86 грн
9+ 95.03 грн
24+ 90.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+204.7 грн
10+ 190.92 грн
25+ 167.66 грн
100+ 136.5 грн
250+ 120.25 грн
500+ 103.87 грн
1000+ 87.52 грн
2000+ 80.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+220.44 грн
57+ 205.61 грн
65+ 181.21 грн
100+ 142.77 грн
250+ 129.5 грн
500+ 111.86 грн
1000+ 94.25 грн
2000+ 87.17 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRF135B203Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 198.35 грн
25+ 147.17 грн
100+ 122.53 грн
250+ 121.2 грн
500+ 107.88 грн
1000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.63 грн
10+ 165.1 грн
100+ 135.96 грн
500+ 109.6 грн
1000+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+165.35 грн
84+ 139.09 грн
100+ 131.31 грн
200+ 125.68 грн
500+ 105.95 грн
1000+ 95.88 грн
2000+ 93.37 грн
3000+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 71
IRF135B203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.7 грн
50+ 153.64 грн
100+ 131.7 грн
500+ 109.86 грн
1000+ 94.07 грн
2000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.22 грн
10+ 156.42 грн
25+ 141.67 грн
100+ 119.85 грн
250+ 106.47 грн
500+ 93.91 грн
1000+ 81.77 грн
2000+ 76.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF135B203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.39 грн
70+ 168.89 грн
77+ 153.38 грн
100+ 126.52 грн
250+ 114.96 грн
500+ 101.4 грн
1000+ 88.29 грн
2000+ 82.72 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRF135B203
Код товару: 142696		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203INFINEONDescription: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.5 грн
10+ 183.77 грн
100+ 148.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135S203INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF135S203Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.39 грн
10+ 174.32 грн
100+ 141.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135S203Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.97 грн
78+ 150.76 грн
100+ 142.01 грн
200+ 136 грн
500+ 114.63 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.85 грн
10+ 194.52 грн
25+ 165.82 грн
100+ 137.18 грн
250+ 134.52 грн
500+ 123.86 грн
800+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.04 грн
10+ 401.91 грн
100+ 360.82 грн
500+ 237.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF135SA204Infineon
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF135SA204Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+668.21 грн
24+ 487.3 грн
50+ 431.86 грн
100+ 391.11 грн
200+ 341.3 грн
500+ 305.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF135SA204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+272.46 грн
1600+ 236.13 грн
2400+ 221.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF135SA204Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.79 грн
10+ 533.78 грн
100+ 384.24 грн
500+ 334.97 грн
IRF135SA204INFINEONDescription: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+360.82 грн
500+ 237.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF140Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товар відсутній
IRF140SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF140IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF140Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1404Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404Infineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
товар відсутній
IRF1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+170.33 грн
3+ 147.82 грн
9+ 108.21 грн
25+ 102.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.62 грн
9+ 90.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 157.76 грн
100+ 113.21 грн
500+ 97.89 грн
1000+ 82.58 грн
2000+ 77.91 грн
5000+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.63 грн
10+ 156.88 грн
100+ 129.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 7652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
50+ 144.72 грн
100+ 119.06 грн
500+ 94.55 грн
1000+ 80.22 грн
2000+ 76.21 грн
5000+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.48 грн
10+ 124.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.81 грн
10+ 72.95 грн
100+ 65.61 грн
250+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+151.64 грн
109+ 108.02 грн
132+ 88.88 грн
250+ 82.53 грн
500+ 71.64 грн
Мінімальне замовлення: 77
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.24 грн
10+ 96.56 грн
12+ 83.24 грн
32+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.63 грн
50+ 110.21 грн
100+ 90.69 грн
500+ 72.01 грн
1000+ 61.1 грн
2000+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.08 грн
10+ 100.04 грн
100+ 82.22 грн
250+ 77.16 грн
500+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+92.33 грн
149+ 78.66 грн
165+ 70.81 грн
250+ 66.83 грн
Мінімальне замовлення: 127
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBF
Код товару: 31360		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 825 шт:
766 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 3 шт:
3 шт - очікується
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.13 грн
189+ 61.96 грн
198+ 59.14 грн
201+ 56.09 грн
500+ 51.85 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF1404PBFInternational Rectifier CorporationTO-220
на замовлення 269 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+129.61 грн
118+ 99.27 грн
139+ 84.5 грн
250+ 78.79 грн
500+ 69.02 грн
1000+ 56.82 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.48 грн
10+ 91.91 грн
100+ 78.13 грн
250+ 73.49 грн
500+ 63.45 грн
1000+ 52.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.87 грн
10+ 80.47 грн
12+ 69.37 грн
32+ 65.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.17 грн
10+ 102.62 грн
100+ 75.25 грн
250+ 74.58 грн
500+ 65.06 грн
1000+ 57.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.31 грн
10+ 115.04 грн
100+ 91.89 грн
500+ 74.92 грн
1000+ 65.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF-ELInternational RectifierDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+144.78 грн
92+ 127.39 грн
93+ 126.13 грн
102+ 110.72 грн
250+ 101.49 грн
500+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 81
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.85 грн
118+ 99.21 грн
122+ 95.81 грн
200+ 92.1 грн
500+ 79.47 грн
Мінімальне замовлення: 105
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.28 грн
10+ 123.3 грн
100+ 95.89 грн
500+ 81.91 грн
800+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.69 грн
10+ 109.07 грн
100+ 96.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.56 грн
10+ 134.64 грн
100+ 107.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+134.44 грн
10+ 116.75 грн
25+ 115.58 грн
100+ 102.81 грн
250+ 94.24 грн
500+ 63.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 95.31 грн
100+ 75.86 грн
500+ 60.24 грн
1000+ 51.11 грн
2000+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 10277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 76.58 грн
100+ 55.81 грн
250+ 55.54 грн
500+ 50.54 грн
1000+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.76 грн
11+ 57.36 грн
100+ 52.77 грн
250+ 50.32 грн
500+ 43.87 грн
1000+ 41.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+54.86 грн
217+ 51.96 грн
500+ 48.03 грн
1000+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 213
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.95 грн
10+ 82.41 грн
14+ 70.76 грн
38+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.22 грн
11+ 52.56 грн
100+ 48.5 грн
250+ 46.27 грн
500+ 40.42 грн
1000+ 38.09 грн
2000+ 37.89 грн
10000+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+61.47 грн
206+ 56.83 грн
250+ 56.19 грн
500+ 51.03 грн
1000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77 грн
10+ 68.67 грн
14+ 58.96 грн
38+ 56.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.33 грн
10+ 77.69 грн
100+ 62.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 187 шт:
148 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1404ZPBFInternational Rectifier CorporationTO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+62.85 грн
207+ 56.49 грн
223+ 52.36 грн
250+ 49.93 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 41.12 грн
2000+ 39.84 грн
10000+ 39.09 грн
Мінімальне замовлення: 186
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
IRF1404ZS
Код товару: 99461		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF1404ZSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
товар відсутній
IRF1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.05 грн
10+ 125.6 грн
100+ 86.57 грн
800+ 61.47 грн
2400+ 57.94 грн
4800+ 57.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.59 грн
10+ 123.26 грн
50+ 110.56 грн
100+ 90.18 грн
250+ 81.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.75 грн
1600+ 64.34 грн
2400+ 61.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+125.47 грн
112+ 105.05 грн
117+ 100.18 грн
200+ 95.67 грн
500+ 80.59 грн
1000+ 72.87 грн
2000+ 71.2 грн
3200+ 68.86 грн
Мінімальне замовлення: 94
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.18 грн
250+ 81.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.19 грн
10+ 112.58 грн
100+ 89.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1404ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товар відсутній
IRF1405IR2004 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1405LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+134.86 грн
90+ 129.73 грн
Мінімальне замовлення: 87
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.95 грн
77+ 151.76 грн
100+ 126.77 грн
500+ 85.98 грн
1000+ 78.81 грн
3000+ 71.98 грн
5000+ 71.27 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF1405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 13178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.53 грн
50+ 140.26 грн
100+ 115.41 грн
500+ 91.64 грн
1000+ 77.76 грн
2000+ 73.87 грн
5000+ 69.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+168.03 грн
10+ 140.92 грн
100+ 117.26 грн
500+ 79.84 грн
1000+ 73.18 грн
3000+ 66.84 грн
5000+ 66.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+108.05 грн
10+ 92.4 грн
13+ 79.91 грн
34+ 75.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1405PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.67 грн
10+ 152.4 грн
100+ 121.02 грн
500+ 97.12 грн
1000+ 75.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+125.47 грн
100+ 116.72 грн
119+ 98.24 грн
200+ 90.04 грн
500+ 83.11 грн
1000+ 72.12 грн
2000+ 67.94 грн
4000+ 66.36 грн
8000+ 66.2 грн
Мінімальне замовлення: 94
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+126.22 грн
10+ 110.84 грн
100+ 96.36 грн
500+ 70.64 грн
1000+ 65.39 грн
3000+ 59.5 грн
5000+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1405PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.05 грн
10+ 132.49 грн
100+ 98.56 грн
250+ 97.89 грн
500+ 86.57 грн
1000+ 75.25 грн
2000+ 73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405PBF
Код товару: 27155		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 13 шт:
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 100 шт:
100 шт - очікується 01.05.2024
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
100+ 48.7 грн
IRF1405PBF; 133A; 55V; 200W; 0.0053R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+121.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.1 грн
2400+ 58.18 грн
4800+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.15 грн
10+ 101.8 грн
25+ 100.78 грн
100+ 87.54 грн
250+ 60.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 150.1 грн
100+ 105.22 грн
250+ 85.91 грн
800+ 70.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.31 грн
1600+ 79.51 грн
2400+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.74 грн
10+ 147.17 грн
50+ 133.72 грн
100+ 110.99 грн
250+ 84.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.54 грн
107+ 109.63 грн
108+ 108.53 грн
120+ 94.28 грн
250+ 65.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+179.94 грн
100+ 148.82 грн
200+ 142.56 грн
500+ 104.21 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.66 грн
2400+ 53.89 грн
4800+ 53.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.33 грн
10+ 139.15 грн
100+ 110.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.99 грн
250+ 84.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
товар відсутній
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZIR09+ SOP20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZLIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(7+Tab) TO-263CA
товар відсутній
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO263CA-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.16 грн
50+ 110.46 грн
100+ 104.69 грн
500+ 86.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.57 грн
9+ 93.65 грн
24+ 88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
2+185.69 грн
10+ 177.67 грн
25+ 129.19 грн
100+ 110.55 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.42 грн
10+ 147.91 грн
100+ 125.5 грн
500+ 106.13 грн
1000+ 85.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+84 грн
141+ 83.31 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1405ZPBF
Код товару: 35347		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 952 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.94 грн
50+ 149.74 грн
100+ 128.34 грн
500+ 107.06 грн
1000+ 91.67 грн
2000+ 86.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+190.05 грн
3+ 167.7 грн
9+ 112.38 грн
24+ 105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.41 грн
10+ 78.07 грн
25+ 77.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1405ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesSP005729366
товар відсутній
IRF1405ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZSIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZS-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZS-7P
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZS-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1405ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZSPBFIR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1405ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1405ZSTRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZSTRLPB
Код товару: 196482		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1405ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+86.47 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 75 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 230; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+127.03 грн
10+ 118.56 грн
100+ 110.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1405ZSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
товар відсутній
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZSTRRPBFInternational Rectifier CorporationN-CH 55V 75A D2PAK
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1407International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1407LIR08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF1407LPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.35 грн
10+ 144.74 грн
100+ 102.55 грн
250+ 101.89 грн
500+ 87.9 грн
1000+ 74.58 грн
2000+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.01 грн
10+ 117.02 грн
100+ 98.63 грн
250+ 94.48 грн
500+ 61.13 грн
1000+ 57.11 грн
2000+ 54.09 грн
5000+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 91.57 грн
13+ 79.08 грн
34+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.86 грн
5+ 83.24 грн
10+ 76.31 грн
13+ 65.9 грн
34+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+149.66 грн
94+ 125 грн
110+ 106.25 грн
250+ 101.79 грн
500+ 65.9 грн
1000+ 61.57 грн
2000+ 58.31 грн
5000+ 57.73 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF1407PBF
Код товару: 24062		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 158 шт:
45 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.93 грн
10+ 152.4 грн
100+ 115.79 грн
500+ 95.03 грн
1000+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.05 грн
50+ 135.17 грн
100+ 111.22 грн
500+ 88.32 грн
1000+ 74.94 грн
2000+ 71.19 грн
5000+ 67.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407PBF; 130A; 75V; 330W; 0.0078R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
IRF1407SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407S
Код товару: 52433		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407SIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1407SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+184.8 грн
76+ 154.65 грн
100+ 146.87 грн
200+ 140.69 грн
500+ 118.11 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.13 грн
10+ 150.1 грн
100+ 104.55 грн
500+ 97.23 грн
800+ 74.58 грн
2400+ 70.59 грн
4800+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.73 грн
1600+ 75.97 грн
2400+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.69 грн
10+ 150.16 грн
100+ 119.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.85 грн
1600+ 82.01 грн
2400+ 79.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 135.55 грн
100+ 107.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+193.99 грн
73+ 160.64 грн
74+ 159.04 грн
100+ 121.67 грн
250+ 111.53 грн
500+ 73.06 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+180.14 грн
10+ 149.16 грн
25+ 147.68 грн
100+ 112.98 грн
250+ 103.56 грн
500+ 67.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1407STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1407STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1407STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF141International RectifierDescription: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товар відсутній
IRF142International RectifierDescription: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товар відсутній
IRF142IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF143International RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 203
IRF150Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF150Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF150Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товар відсутній
IRF150SemelabTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
IRF1503
Код товару: 124973		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1503HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1503LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1503PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товар відсутній
IRF1503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1503SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1503SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товар відсутній
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.15 грн
28+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1503SPBFInfineon
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRF1503STRLHRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товар відсутній
IRF1503STRLPBFInfineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1503STRRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1503STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1503STRRPBF
Код товару: 125066		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF1503STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesIRF150DM115XTMA1
товар відсутній
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesIRF150DM115XTMA1
товар відсутній
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesSP001511080
товар відсутній
IRF150NIRDC9837 SOP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF150NIRTO-3P 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF150P220Infineon TechnologiesIRF150P220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1122.75 грн
25+ 1070.91 грн
50+ 1027.82 грн
100+ 956.17 грн
250+ 857.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF150P220Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesSP005537809
товар відсутній
IRF150P220AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 0.0023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.89 грн
5+ 736.58 грн
10+ 624.53 грн
50+ 556.33 грн
100+ 491.77 грн
250+ 434.14 грн
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.31 грн
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.97 грн
25+ 657.84 грн
100+ 511.44 грн
250+ 502.78 грн
400+ 427.53 грн
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+676.96 грн
19+ 631.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.35 грн
25+ 591.54 грн
100+ 529.29 грн
500+ 438.28 грн
1000+ 394.45 грн
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товар відсутній
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
товар відсутній
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товар відсутній
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товар відсутній
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF150P221Infineon TechnologiesIRF150P221
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+760.89 грн
25+ 725.76 грн
50+ 696.56 грн
100+ 648 грн
250+ 581.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF150P221Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.69 грн
25+ 388.74 грн
100+ 347.82 грн
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.29 грн
10+ 532.25 грн
25+ 376.25 грн
100+ 336.3 грн
250+ 334.97 грн
400+ 267.04 грн
2800+ 254.39 грн
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A Tube
товар відсутній
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+662.37 грн
22+ 542.74 грн
50+ 516.48 грн
100+ 457.7 грн
200+ 402.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF150P221AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.48 грн
5+ 507.24 грн
10+ 440.01 грн
50+ 379.44 грн
100+ 323.36 грн
250+ 300.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 204400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+473.7 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A Tube
товар відсутній
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
товар відсутній
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A Tube
товар відсутній
IRF151Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRF160IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1607HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRF1607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 142 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 142
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF1607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1607PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 142A 7.5mOhm 210nC
товар відсутній
IRF1644GIR95+ N/A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1704Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1704PbFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRF1740
Код товару: 128896		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IRF1744GIR02+ TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1830G
Код товару: 116830		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IRF1902IOR2005
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902IOR
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902IOR09+ SO-8
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902IR09+
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902IOR09+
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
товар відсутній
IRF1902GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
товар відсутній
IRF1902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF1902TRREF04+/05+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902TRIORSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902TRIOR0251+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902TRPBFIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF1902TRPBFIOR
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1905IR09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1910NA03+ TSOP8
на замовлення 22050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF19520G
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1K49092HARRYS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF1S30P05SMRochester Electronics, LLCDescription: IRF1S30P05SM
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF2001IR09+
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF2001TRIR09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF2002IR09+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF200B211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 656
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+52.33 грн
242+ 48.34 грн
264+ 44.35 грн
272+ 41.46 грн
500+ 36.91 грн
1000+ 34.18 грн
2000+ 32.93 грн
Мінімальне замовлення: 224