Продукція > IXT

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-1-1N100S1 T/R

- 8-Pin SOIC

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-705AT

Planet

Description: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	22907.54 грн

IXTA02N250

Description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

товар відсутній

IXTA02N250HV

MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	865.49 грн
10+	753.57 грн
25+	642.63 грн
50+	621.98 грн
100+	576.7 грн
250+	567.38 грн
500+	524.09 грн

IXTA02N250HV

Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	859.85 грн
10+	789.62 грн
50+	727.62 грн
100+	618.77 грн
250+	559.64 грн

IXTA02N250HV

Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA02N250HV

IXTA02N250HV SMD N channel transistors

на замовлення 16 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1030.92 грн
2+	650.12 грн
5+	615.16 грн

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

товар відсутній

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1035.49 грн
10+	929.39 грн
25+	920.25 грн
50+	837.87 грн
100+	669.41 грн

IXTA02N450HV

Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA02N450HV

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA05N100

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns

товар відсутній

IXTA05N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	293.27 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds

товар відсутній

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

MOSFET IXTA05N100 TRL

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

товар відсутній

IXTA05N100HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	309.28 грн
3+	268.84 грн
5+	205.61 грн
14+	194.79 грн

IXTA05N100HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA05N100HV

MOSFET High Voltage Power MOSFET

на замовлення 1699 шт:

термін постачання 612-621 дні (днів)

1+	344.95 грн
10+	285.65 грн
50+	234.41 грн
100+	200.45 грн
250+	189.79 грн
500+	178.47 грн
1000+	153.83 грн

IXTA05N100HV

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	174.03 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA05N100HV

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.73 грн
3+	215.74 грн
5+	171.34 грн
14+	162.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA05N100HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

MOSFET IXTA05N100HV TRL

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA06N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA06N120P

товар відсутній

IXTA06N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	296.79 грн
50+	226.56 грн
100+	194.2 грн

IXTA06N120P

Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

товар відсутній

IXTA06N120P

MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	323.2 грн
10+	317.82 грн
50+	219.09 грн

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

MOSFET IXTA06N120P TRL

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 548 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	171.54 грн
50+	140.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.25 грн
4+	106.83 грн
10+	85.32 грн
27+	80.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA08N100D2

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.88 грн
10+	203.94 грн
25+	189 грн
50+	161.63 грн
100+	128.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.9 грн
50+	145.65 грн
100+	124.84 грн
500+	104.14 грн
1000+	89.17 грн
2000+	83.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

на замовлення 184 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	151.5 грн
3+	133.12 грн
10+	102.39 грн
27+	96.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2-TRL

Description: IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2-TRL

MOSFET IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	311.55 грн
10+	258.08 грн
50+	197.12 грн
100+	176.47 грн
250+	170.48 грн

IXTA08N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	226.89 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.6 грн
10+	199.46 грн
100+	165.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2HV TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA08N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA08N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IXTA08N100P

MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

товар відсутній

IXTA08N100P

товар відсутній

IXTA08N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

товар відсутній

IXTA08N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA08N120P

MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.24 грн
10+	260.38 грн
50+	221.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

товар відсутній

IXTA08N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.09 грн
50+	202.28 грн
100+	173.39 грн
500+	144.64 грн
1000+	123.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	123.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.9 грн
50+	145.65 грн
100+	124.84 грн
500+	104.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2
Код товару: 118357

товар відсутній

IXTA08N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA08N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns

товар відсутній

IXTA08N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	171.54 грн
50+	124.53 грн
100+	111.21 грн
250+	106.55 грн
500+	104.55 грн
1000+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2

товар відсутній

IXTA100N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns

товар відсутній

IXTA100N04T2

MOSFET 100 Amps 40V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.32 грн
10+	173.84 грн
100+	127.86 грн
250+	118.54 грн
500+	110.55 грн
1000+	98.56 грн
2500+	93.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA100N04T2

товар відсутній

IXTA100N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

товар відсутній

IXTA100N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA100N04T2-TRL

MOSFET IXTA100N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA100N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	668.5 грн
50+	513.71 грн
100+	459.64 грн
500+	380.6 грн
1000+	342.54 грн

IXTA100N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	748.18 грн
10+	631.81 грн
50+	510.11 грн
100+	448.17 грн
250+	428.2 грн

IXTA102N15T

MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	339.52 грн
10+	290.25 грн
50+	243.73 грн
100+	205.11 грн
250+	199.11 грн
500+	190.46 грн

IXTA102N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.28 грн
10+	277.89 грн
100+	227.67 грн
500+	181.88 грн

IXTA102N15T-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10N60P

MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA10N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA10P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T

MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

MOSFET IXTA10P15T TRL

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	624.87 грн
25+	596.02 грн
50+	572.03 грн
100+	532.16 грн
250+	477.45 грн

Мінімальне замовлення: 19

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	481.79 грн
10+	414.02 грн
25+	409.9 грн
50+	391.84 грн
100+	359.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 287 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	501.12 грн
3+	434.81 грн
4+	318.82 грн
9+	301.34 грн

IXTA10P50P

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P

MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.69 грн
10+	412.01 грн
50+	351.61 грн

IXTA10P50P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	459.43 грн
10+	394.44 грн
50+	361.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	518.85 грн
27+	441.43 грн
50+	421.99 грн
100+	386.77 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	489.14 грн
10+	420.33 грн
25+	420.19 грн
50+	397.54 грн
100+	368.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.6 грн
3+	348.92 грн
4+	265.68 грн
9+	251.11 грн

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	481.41 грн
29+	413.55 грн
50+	391.25 грн
100+	362.2 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	298.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

MOSFET MSFT P-CH POLAR

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.59 грн
10+	403.59 грн
25+	328.31 грн
100+	293.01 грн
250+	283.69 грн
500+	262.38 грн
800+	238.4 грн

IXTA10P50P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	499.77 грн
10+	428.06 грн
25+	404.9 грн
50+	353.08 грн
100+	305.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	252.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 54523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.1 грн
10+	358.91 грн
100+	299.11 грн

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	508.97 грн
27+	433.02 грн
30+	401.2 грн
100+	342.08 грн
250+	308.61 грн
500+	235.57 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 53600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	274.07 грн
1600+	237.53 грн
2400+	222.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.61 грн
10+	402.09 грн
25+	372.54 грн
100+	317.64 грн
250+	286.56 грн
500+	218.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055P

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.9 грн
50+	145.65 грн
100+	124.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns

товар відсутній

IXTA110N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA110N055T2

MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.34 грн
10+	175.37 грн
100+	119.87 грн
250+	113.87 грн
500+	106.55 грн
1000+	92.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

MOSFET IXTA110N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA110N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T7

MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

товар відсутній

IXTA110N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 110A
Power dissipation: 517W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 64ns

товар відсутній

IXTA110N12T2

товар відсутній

IXTA110N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120N04T2

MOSFET 120 Amps 40V

товар відсутній

IXTA120N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	121.19 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 35ns

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA120N04T2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	193.63 грн
3+	170.29 грн
8+	124.03 грн
22+	116.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N075T2

MOSFET 120 Amps 75V

товар відсутній

IXTA120N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	256.62 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA120N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 50ns

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.81 грн
3+	197.7 грн
6+	149.84 грн
15+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N075T2

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	284.18 грн
3+	246.36 грн
6+	179.8 грн
15+	169.81 грн

IXTA120P065T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 297 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	474.22 грн
3+	411.47 грн
4+	299.67 грн
9+	283.86 грн

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	231.52 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120P065T

MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

на замовлення 7797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.49 грн
10+	412.01 грн
100+	296.34 грн
250+	287.68 грн
500+	261.05 грн

IXTA120P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065T

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.19 грн
3+	330.19 грн
4+	249.73 грн
9+	236.55 грн

IXTA120P065T-TRL

MOSFET IXTA120P065T TRL

товар відсутній

IXTA120P065T-TRL

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065TTRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA12N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns

товар відсутній

IXTA12N50P

товар відсутній

IXTA12N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA12N50P

MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.8 грн
10+	233.58 грн
50+	195.79 грн
100+	163.82 грн
250+	161.16 грн
500+	145.84 грн
1000+	126.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.17 грн
50+	196.23 грн
100+	168.2 грн
500+	140.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA12N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA12N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA12N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IXTA12N65X2

товар відсутній

IXTA12N70X2

MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2

товар відсутній

IXTA130N065T2

Trans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA130N065T2

Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N065T2

MOSFET 130 Amps 65V

товар відсутній

IXTA130N10T

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

MOSFET IXTA130N10T TRL

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.71 грн
10+	304.03 грн
25+	249.73 грн
100+	214.43 грн
250+	201.78 грн
500+	199.11 грн
800+	165.82 грн

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T7

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	280.84 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA130N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	754.22 грн
50+	580.2 грн
100+	519.12 грн
500+	429.87 грн
1000+	386.88 грн

IXTA130N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	968.83 грн
10+	862.32 грн
50+	715.21 грн
100+	620.65 грн

IXTA130N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	860.83 грн
10+	765.83 грн
50+	635.3 грн
100+	550.73 грн

IXTA130N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	754.22 грн
50+	580.2 грн
100+	519.12 грн
500+	429.87 грн
1000+	386.88 грн

IXTA140N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	132.65 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA140N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO263
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.51 грн
3+	314.93 грн
4+	237.93 грн

IXTA140N12T2

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA140N12T2

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	451.81 грн
3+	392.45 грн
4+	285.52 грн
10+	269.7 грн

IXTA140N12T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	346.38 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA140P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA140P05T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA140P05T

MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	538.41 грн
10+	459.5 грн
50+	376.25 грн
100+	350.28 грн
250+	342.96 грн
500+	328.31 грн

IXTA140P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.02 грн
10+	421 грн
100+	350.84 грн
500+	290.52 грн

IXTA140P05T

товар відсутній

IXTA140P05T-TRL

Description: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA140P05T-TRL

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA14N60P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs

товар відсутній

IXTA14N60P

MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA14N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.52 грн
50+	240.72 грн
100+	206.33 грн

IXTA14N60P

товар відсутній

IXTA14N60PTRL

IXTA14N60PTRL

товар відсутній

IXTA150N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	957.95 грн
10+	843.17 грн
50+	662.61 грн

IXTA150N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	881.72 грн
50+	687.76 грн
100+	647.3 грн

IXTA150N15X4

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA152N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263

товар відсутній

IXTA152N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns

товар відсутній

IXTA15N50L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	976.59 грн
10+	848.53 грн
25+	717.88 грн
50+	676.59 грн
100+	651.95 грн

IXTA15N50L2

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	899.01 грн
50+	700.86 грн
100+	659.64 грн

IXTA15N50L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

MOSFET IXTA15N50L2 TRL

товар відсутній

IXTA15P15T

IXTA15P15T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA15P15T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA15P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA15P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263

товар відсутній

IXTA15P15T-A2

MOSFET -150V -15A

товар відсутній

IXTA160N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.06 грн
10+	225.03 грн
100+	182.06 грн
500+	151.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	269.83 грн
3+	234.26 грн
6+	179.8 грн
15+	169.81 грн

IXTA160N04T2

MOSFET 160Amps 40V

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303 грн
10+	261.91 грн
50+	193.12 грн
100+	175.81 грн
250+	155.16 грн
500+	149.84 грн
1000+	144.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.86 грн
3+	187.99 грн
6+	149.84 грн
15+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N075T

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T7

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA160N10T

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T7

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA160N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA16N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA16N50P

товар відсутній

IXTA16N50P

MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.62 грн
10+	292.55 грн
50+	215.76 грн
100+	194.45 грн
250+	181.13 грн
500+	174.48 грн
1000+	165.82 грн

IXTA16N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	200.47 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA16N50P-TRL

MOSFET IXTA16N50P TRL

товар відсутній

IXTA16N50P-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA16N50PTRL

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA170N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO263

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA170N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA170N075T2

MOSFET 170 Amps 75V

товар відсутній

IXTA170N075T2

товар відсутній

IXTA180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263

товар відсутній

IXTA180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA180N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	380.99 грн
3+	331.08 грн
4+	253.89 грн
11+	239.74 грн

IXTA180N10T

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	426.53 грн
10+	379.85 грн
50+	251.72 грн
100+	227.75 грн
250+	224.42 грн
500+	207.77 грн
1000+	206.44 грн

IXTA180N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 6426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.6 грн
50+	299.38 грн
100+	256.61 грн
500+	214.06 грн
1000+	183.29 грн
2000+	172.59 грн

IXTA180N10T

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.49 грн
3+	265.68 грн
4+	211.57 грн
11+	199.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA180N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA180N10T-TRL

MOSFET IXTA180N10T TRL

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	426.53 грн
10+	353.05 грн
25+	297.01 грн
100+	248.39 грн
250+	241.07 грн
500+	221.09 грн
800+	190.46 грн

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	236.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA180N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.6 грн
10+	317.22 грн
100+	256.61 грн

IXTA180N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T7

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

товар відсутній

IXTA180N10T7

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

MOSFET IXTA180N10T7 TRL

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA182N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA182N055T

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA182N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA182N055T7

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA18P10T

MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds

товар відсутній

IXTA18P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA18P10T

товар відсутній

IXTA18P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

товар відсутній

IXTA18P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Littelfuse IXTA1970 TRL

товар відсутній

IXTA1970TRL

TRENCHT2 POWER MOSFET

товар відсутній

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	297.51 грн
10+	257.01 грн
100+	210.56 грн
500+	168.22 грн

IXTA1N100P

MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds

на замовлення 300 шт:

термін постачання 491-500 дні (днів)

2+	202 грн
10+	166.18 грн
100+	114.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.38 грн
10+	170.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N100P

товар відсутній

IXTA1N100P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.97 грн
10+	270.88 грн
100+	219.12 грн

IXTA1N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N120P

товар відсутній

IXTA1N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N120P

MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.26 грн
10+	305.56 грн
50+	215.76 грн
100+	195.12 грн

IXTA1N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1434.24 грн
50+	1144.81 грн
100+	1073.25 грн

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-STD

на замовлення 2457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1557.73 грн
10+	1364.7 грн
50+	1007.56 грн
250+	988.25 грн
500+	956.95 грн

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA1N170DHV

товар відсутній

IXTA1N170DHV-TRL

Littelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHVTRL

IXTA1N170DHVTRL

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

на замовлення 3722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	679.81 грн
10+	621.08 грн
50+	460.16 грн
100+	402.23 грн
250+	396.23 грн
500+	364.93 грн
1000+	328.31 грн

IXTA1N200P3HV

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	626 грн
50+	481.35 грн
100+	430.68 грн
500+	356.62 грн
1000+	320.96 грн

IXTA1N200P3HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA1N200P3HV.

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 27301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	709.69 грн
25+	610.33 грн
100+	507.99 грн
250+	443.26 грн
500+	383.55 грн
1000+	345.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N80

Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

товар відсутній

IXTA1R4N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1R4N100P

товар відсутній

IXTA1R4N100P

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	196.82 грн
50+	165.15 грн
100+	138.51 грн
250+	134.52 грн
500+	120.53 грн
1000+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.51 грн
50+	161.82 грн
100+	138.7 грн
500+	115.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N120P

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA1R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.75 грн
10+	304.73 грн

IXTA1R4N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1R4N120P

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	203.23 грн
100+	166.53 грн

Мінімальне замовлення: 58

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.8 грн
50+	189.35 грн
100+	162.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	268.7 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.59 грн
10+	228.98 грн
50+	168.48 грн
500+	151.83 грн
1000+	124.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.79 грн
10+	339.26 грн
50+	269.7 грн
100+	231.08 грн
250+	223.09 грн
500+	219.09 грн

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	365.94 грн
50+	279.17 грн
100+	239.29 грн

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV-TRL

IXTA1R6N100D2HV-TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.8 грн
50+	189.35 грн
100+	162.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.6 грн
10+	232.81 грн
50+	191.12 грн
100+	165.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA200N055T2

MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

товар відсутній

IXTA200N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ

товар відсутній

IXTA200N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.14 грн
50+	206.33 грн
100+	176.85 грн
500+	147.53 грн
1000+	126.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA200N055T2

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

MOSFET IXTA200N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA200N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

товар відсутній

IXTA200N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

товар відсутній

IXTA200N085T

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA200N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263

товар відсутній

IXTA200N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7

товар відсутній

IXTA200N085T7

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA20N65X

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

товар відсутній

IXTA20N65X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs

товар відсутній

IXTA20N65X

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

MOSFET IXTA20N65X TRL

товар відсутній

IXTA20N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.92 грн
3+	281.64 грн
4+	224.06 грн
10+	212.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA20N65X2

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	404.3 грн
3+	350.96 грн
4+	268.87 грн
10+	254.72 грн

IXTA20N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA220N04T2

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns

товар відсутній

IXTA220N04T2

товар відсутній

IXTA220N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2 TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2-7TRL

IXTA220N04T2-7TRL

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

MOSFET IXTA220N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263

товар відсутній

IXTA220N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7

товар відсутній

IXTA230N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA230N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns

товар відсутній

IXTA230N04T4

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA230N04T4

товар відсутній

IXTA230N075T2

Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA230N075T2

MOSFET 230 Amps 75V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA230N075T2

IXTA230N075T2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.96 грн
10+	408.02 грн
100+	337.83 грн

IXTA230N075T2-7

MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA230N075T2-7

IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2-7

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263

товар відсутній

IXTA240N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA240N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns

товар відсутній

IXTA24N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA24N65X2

товар відсутній

IXTA24N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA24N65X2TRL

IXTA24N65X2TRL

товар відсутній

IXTA24P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.64 грн
9+	97.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA24P085T

MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA24P085T

на замовлення 22 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	184.67 грн
3+	159.06 грн
9+	116.54 грн
23+	109.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA24P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.09 грн
50+	137.56 грн
100+	117.89 грн
500+	98.35 грн
1000+	84.21 грн
2000+	79.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA260N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA260N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ

товар відсутній

IXTA260N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA260N055T2

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

MOSFET 260 Amps 55V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P10T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA26P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA26P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263

товар відсутній

IXTA26P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA26P10T

товар відсутній

IXTA26P20P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.32 грн
5+	463.17 грн
10+	439.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	434.78 грн
3+	289.27 грн
8+	274 грн

IXTA26P20P

MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.69 грн
10+	432.69 грн
50+	334.3 грн
100+	299.01 грн
250+	298.34 грн

IXTA26P20P
Код товару: 162385

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA26P20P

на замовлення 290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	521.73 грн
3+	360.47 грн
8+	328.81 грн

IXTA26P20P

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P20P TRL

IXTA26P20P TRL

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

на замовлення 2034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
10+	363.49 грн
100+	302.95 грн

IXTA26P20P-TRL

MOSFET IXTA26P20P TRL

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.59 грн
10+	404.36 грн
25+	318.98 грн
100+	293.01 грн
250+	276.36 грн
500+	259.05 грн
800+	238.4 грн

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	277.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA26P20P-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA270N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA270N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 270A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA270N04T4

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

товар відсутній

IXTA27N20T

Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263

товар відсутній

IXTA27N20T

MOSFET 27 Amps 200V 100 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

IXTA28P065T SMD P channel transistors

на замовлення 54 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	166.74 грн
9+	119.04 грн
23+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA28P065T

MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA2N100

MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds

товар відсутній

IXTA2N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	207.98 грн
3+	176.34 грн
7+	154 грн
18+	145.67 грн
50+	143.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA2N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.51 грн
7+	128.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA2N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N100P

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

товар відсутній

IXTA2N100P-TRL

MOSFET IXTA2N100P TRL

товар відсутній

IXTA2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	460.31 грн
10+	400.32 грн

IXTA2R4N120P

MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA2R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

товар відсутній

IXTA300N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2

MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds

товар відсутній

IXTA300N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA300N04T2

товар відсутній

IXTA300N04T2-7

MOSFET 300 Amps 40V

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.86 грн
10+	355.34 грн
50+	291.01 грн
100+	250.39 грн

IXTA300N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	253.38 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA30N25L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	803.34 грн
10+	697.67 грн
25+	590.02 грн
50+	568.71 грн
250+	541.41 грн

IXTA30N65X2

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA32N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA32N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32N20T

товар відсутній

IXTA32N20T

MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds

товар відсутній

IXTA32P05T

MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.79 грн
10+	170.01 грн
50+	125.2 грн
100+	113.87 грн
250+	107.22 грн
500+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

IXTA32P05T SMD P channel transistors

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	166.74 грн
9+	116.54 грн
23+	109.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.09 грн
50+	137.56 грн
100+	117.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

MOSFET IXTA32P05T TRL

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA32P05TTRL

IXYS/Littelfuse

P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220

на замовлення 794 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

33+	19.41 грн
35+	18.11 грн
100+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 33

IXTA32P20T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA32P20T

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P20T

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T

Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	735.09 грн
5+	699.23 грн
10+	663.37 грн
50+	563.27 грн
100+	470.64 грн
250+	461.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P20T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	639.41 грн
10+	539.91 грн
50+	378.92 грн
100+	356.28 грн
250+	353.61 грн

IXTA32P20T

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

MOSFET IXTA32P20T TRL

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	358.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA340N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns

товар відсутній

IXTA340N04T4

товар відсутній

IXTA340N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.79 грн
10+	308.62 грн
100+	249.68 грн

IXTA340N04T4

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4-7TRL

IXTA340N04T4-7TRL

товар відсутній

IXTA340N04T4-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA34N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA34N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns

товар відсутній

IXTA34N65X2

товар відсутній

IXTA34N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

MOSFET IXTA34N65X2 TRL

товар відсутній

IXTA34N65X2TRL

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

товар відсутній

IXTA36N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263

товар відсутній

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	180.25 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	223.87 грн
500+	210.93 грн
1000+	175.05 грн
2000+	166.4 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.49 грн
50+	250.84 грн
100+	215.01 грн
500+	179.35 грн
1000+	153.57 грн
2000+	144.6 грн

IXTA36N30P
Код товару: 52904

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IXTA36N30P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.01 грн
3+	206.02 грн
5+	176.2 грн
13+	167.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36N30P

на замовлення 254 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	301.21 грн
3+	256.74 грн
5+	211.43 грн
13+	200.61 грн

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	231.47 грн
2250+	212.53 грн
4500+	198.79 грн
6750+	181.76 грн

Мінімальне замовлення: 51

IXTA36N30P

MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.61 грн
10+	295.61 грн
50+	223.09 грн
100+	195.12 грн
250+	190.46 грн
500+	179.8 грн
1000+	159.16 грн

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36N30P-PDP

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	196.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA36N30P-TRL

MOSFET IXTA36N30P TRL

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30PTRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263

товар відсутній

IXTA36N30T

MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds

товар відсутній

IXTA36P15P

IXTA36P15P SMD P channel transistors

на замовлення 76 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	450.92 грн
3+	327.97 грн
9+	310.49 грн

IXTA36P15P

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
50+	338.59 грн
100+	302.95 грн
500+	250.85 грн
1000+	225.77 грн
2000+	211.55 грн

IXTA36P15P

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA36P15P

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36P15P TRL

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	560.16 грн
10+	498.55 грн
25+	413.55 грн
100+	358.94 грн
500+	312.99 грн
800+	265.71 грн
2400+	256.39 грн

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	277.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA36P15P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	499.77 грн
10+	428.06 грн
25+	404.9 грн
50+	353.08 грн
100+	305.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36P15P-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
10+	363.49 грн
100+	302.95 грн

IXTA380N036T4-7

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

MOSFET IXTA380N036T4-7 TRL

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA38N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.55 грн
10+	364.53 грн
50+	197.12 грн

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns

товар відсутній

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2

товар відсутній

IXTA3N100D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

MOSFET IXTA3N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 200 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

1+	459.16 грн
10+	380.62 грн
50+	312.32 грн
100+	273.7 грн

IXTA3N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	388.46 грн
10+	349.62 грн
100+	286.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA3N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	358.37 грн
10+	319.9 грн
25+	316.75 грн
50+	285.81 грн
100+	227.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N100P

MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA3N100P

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P-TRL

Description: IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N100P-TRL

MOSFET IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N110

MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

товар відсутній

IXTA3N110

Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

товар відсутній

IXTA3N110-TRL

Description: IXTA3N110 TRL

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds

на замовлення 4656 шт:

термін постачання 570-579 дні (днів)

1+	587.36 грн
10+	496.26 грн
50+	391.57 грн

IXTA3N120

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns

товар відсутній

IXTA3N120

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	563.27 грн
5+	523.68 грн
10+	483.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120
Код товару: 190833

товар відсутній

IXTA3N120

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	630.5 грн
10+	569.99 грн
25+	536.38 грн
50+	468.24 грн
100+	404.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

MOSFET IXTA3N120 TRL

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 306-315 дні (днів)

1+	599.01 грн
10+	503.15 грн
25+	431.53 грн
100+	363.6 грн
250+	359.61 грн
500+	317.65 грн

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRR

MOSFET IXTA3N120 TRR

товар відсутній

IXTA3N120-TRR

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HV

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.94 грн
50+	398.53 грн
100+	356.59 грн

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N120HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.23 грн
5+	545.34 грн
10+	516.95 грн
50+	439.1 грн
100+	366.26 грн
250+	359.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 629-638 дні (днів)

1+	568.71 грн
10+	480.17 грн
25+	378.92 грн
100+	348.28 грн
250+	327.64 грн
500+	307 грн
800+	283.02 грн

IXTA3N120HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 336 шт:

термін постачання 473-482 дні (днів)

1+	776.92 грн
10+	765.06 грн

IXTA3N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 78 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	876.73 грн
2+	604.24 грн
5+	550.23 грн

IXTA3N150HV

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	730.61 грн
2+	484.88 грн
5+	458.52 грн

IXTA3N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

MOSFET IXTA3N150HV TRL

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns

товар відсутній

IXTA3N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

на замовлення 495 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

1+	358.94 грн
10+	297.14 грн
50+	243.73 грн
100+	208.44 грн
250+	197.78 грн
500+	185.8 грн

IXTA3N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.77 грн
10+	264.99 грн
100+	214.38 грн

IXTA3N50D2

товар відсутній

IXTA3N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N50D2-TRL

MOSFET IXTA3N50D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	108.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA3N50P
Код товару: 131345

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA3N50P

MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA3N50P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

IXTA3N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

товар відсутній

IXTA3N60P

MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA3N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO263

товар відсутній

IXTA42N15T

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	199.88 грн
50+	147.17 грн
100+	133.85 грн
250+	126.53 грн
500+	119.2 грн
1000+	108.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA42N25P

Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

товар відсутній

IXTA42N25P

MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds

товар відсутній

IXTA42N25P

IXTA42N25P SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA42N28P

09+

на замовлення 322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTA44N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263

товар відсутній

IXTA44N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA44N25T

MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds

товар відсутній

IXTA44N30T

MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds

товар відсутній

IXTA44N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO263

товар відсутній

IXTA44P15T

MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds

товар відсутній

IXTA44P15T

IXTA44P15T SMD P channel transistors

на замовлення 84 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	426.71 грн
4+	302.17 грн
9+	285.52 грн

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
50+	320.3 грн
100+	286.58 грн
500+	237.3 грн
1000+	213.57 грн
2000+	200.13 грн

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 23118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
10+	343.93 грн
100+	286.58 грн

IXTA44P15T-TRL

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.03 грн
5+	403.4 грн
10+	372.03 грн
50+	317.01 грн
100+	265.73 грн
250+	260.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	262.59 грн
1600+	227.58 грн
2400+	213.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA44P15T-TRL

MOSFET MOSFET 150 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.17 грн
10+	400.53 грн
25+	326.97 грн
100+	288.35 грн
250+	282.36 грн
500+	248.39 грн
800+	225.75 грн

IXTA44P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	372.03 грн
50+	317.01 грн
100+	265.73 грн
250+	260.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA44P15T-TRL.

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.32 грн
10+	438.51 грн
25+	413.11 грн
50+	360.02 грн
100+	311.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15TTRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA460P2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IXTA460P2

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.79 грн
10+	329.31 грн
50+	277.03 грн
100+	228.42 грн
250+	223.09 грн
500+	203.78 грн
1000+	175.81 грн

IXTA460P2

товар відсутній

IXTA460P2

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	412.05 грн
10+	356.21 грн
100+	291.83 грн
500+	233.14 грн

IXTA48N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 250W
Reverse recovery time: 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA48N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.26 грн
10+	231.14 грн
100+	187.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA48N20T

товар відсутній

IXTA48N20T

MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

товар відсутній

IXTA48P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V

на замовлення 3439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	291.03 грн
50+	222.52 грн
100+	190.72 грн
500+	159.1 грн
1000+	136.23 грн
2000+	128.27 грн

IXTA48P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA48P05T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.21 грн
10+	262.68 грн
50+	215.1 грн
100+	181.13 грн
250+	175.14 грн

IXTA48P05T

IXTA48P05T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA48P05T-TRL

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263

товар відсутній

IXTA4N150HV

MOSFET DiscMosfet N-CH Std-HiVoltage TO-263D2

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2010.68 грн
50+	1643.46 грн
100+	1339.86 грн
250+	1290.58 грн
500+	1127.43 грн

IXTA4N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 44.5nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA4N150HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

MOSFET IXTA4N150HV TRL

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N60P

MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA4N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263

товар відсутній

IXTA4N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.74 грн
4+	105.44 грн
9+	94.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N65X2

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	153.29 грн
3+	131.39 грн
9+	113.21 грн
24+	106.55 грн
50+	105.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA4N65X2TRL

IXTA4N65X2TRL

товар відсутній

IXTA4N70X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA4N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.84 грн
7+	120.01 грн
19+	113.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N70X2

на замовлення 46 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	214.25 грн
3+	186.72 грн
7+	144.01 грн
19+	135.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N70X2

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P

MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds

товар відсутній

IXTA4N80P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns

товар відсутній

IXTA4N80P

товар відсутній

IXTA4N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

MOSFET IXTA4N80P TRL

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA50N20P

MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.61 грн
10+	295.61 грн
50+	248.39 грн
100+	207.77 грн
250+	201.11 грн
500+	199.11 грн

IXTA50N20P

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.49 грн
10+	265.75 грн
100+	215.01 грн
500+	179.35 грн
1000+	153.57 грн

IXTA50N20P

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N20P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns

товар відсутній

IXTA50N20P

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

MOSFET IXTA50N20P TRL

товар відсутній

IXTA50N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N25T

MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.68 грн
10+	327.01 грн
50+	267.71 грн
100+	233.74 грн

IXTA50N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns

товар відсутній

IXTA50N25T

товар відсутній

IXTA50N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

MOSFET IXTA50N25T TRL

товар відсутній

IXTA52P10P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.6 грн
3+	348.92 грн
4+	268.46 грн
9+	253.89 грн

IXTA52P10P

на замовлення 308 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	501.12 грн
3+	434.81 грн
4+	322.15 грн
9+	304.67 грн

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA52P10P

MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.59 грн
10+	421.97 грн
50+	352.28 грн
100+	303.67 грн
250+	289.02 грн
500+	267.04 грн
1000+	262.38 грн

IXTA52P10P

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
50+	338.59 грн
100+	302.95 грн
500+	250.85 грн
1000+	225.77 грн

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA52P10P

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	499.77 грн
25+	428.06 грн
100+	356.34 грн
250+	312.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	277.58 грн
1600+	240.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA52P10P-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA52P10P-TRL

MOSFET IXTA52P10P TRL

на замовлення 800 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

1+	478.59 грн
10+	403.59 грн
25+	318.32 грн
100+	292.35 грн
250+	275.7 грн
500+	258.38 грн
800+	238.4 грн

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
10+	363.49 грн
100+	302.95 грн

IXTA54N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263

товар відсутній

IXTA54N30T

MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds

товар відсутній

IXTA56N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO263

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	191.08 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA56N15T

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA5N50P

MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds

товар відсутній

IXTA5N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

товар відсутній

IXTA5N60P

MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA5N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA5N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO263

товар відсутній

IXTA60N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T
Код товару: 148376

товар відсутній

IXTA60N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V

товар відсутній

IXTA60N10T

товар відсутній

IXTA60N10T

MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.89 грн
10+	163.12 грн
100+	110.55 грн
250+	98.56 грн
500+	90.57 грн
1000+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 6399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.97 грн
10+	146.3 грн
100+	116.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T-TRL

MOSFET IXTA60N10T TRL

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.89 грн
10+	163.12 грн
100+	112.54 грн
250+	108.55 грн
500+	94.56 грн
800+	81.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.33 грн
1600+	83.61 грн
2400+	79.43 грн
5600+	71.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA60N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.02 грн
3+	258.74 грн
4+	206.72 грн
10+	206.02 грн
11+	194.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N20T

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	372.03 грн
3+	322.43 грн
4+	248.06 грн
10+	247.23 грн
11+	233.91 грн

IXTA60N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N20T
Код товару: 108659

товар відсутній

IXTA60N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20T

MOSFET 60 Amps 200V

товар відсутній

IXTA60N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20T-TRL

MOSFET IXTA60N20T TRL

товар відсутній

IXTA60N20X4

MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	801.01 грн
10+	696.14 грн
50+	514.1 грн
100+	490.13 грн
250+	461.49 грн
500+	432.19 грн
1000+	388.91 грн

IXTA60N20X4

Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 1667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	737.65 грн
50+	567 грн
100+	507.31 грн
500+	420.08 грн
1000+	378.07 грн

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.14 грн
10+	292.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.85 грн
10+	291.97 грн
100+	239.25 грн
500+	191.14 грн

IXTA62N15P

Description: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.61 грн
10+	304.8 грн
50+	252.39 грн
100+	223.09 грн
500+	217.09 грн

IXTA62N15P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns

товар відсутній

IXTA62N15P

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

MOSFET IXTA62N15P TRL

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA62N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA62N25T

MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA

товар відсутній

IXTA64N10L2

Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263

товар відсутній

IXTA64N10L2

IXTA64N10L2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA64N10L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	982.81 грн
10+	889.89 грн
50+	741.19 грн
100+	665.27 грн

IXTA64N10L2-TRL

MOSFET IXTA64N10L2 TRL

товар відсутній

IXTA64N10L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263

товар відсутній

IXTA6N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA6N100D2

товар відсутній

IXTA6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	614.47 грн
10+	507.5 грн
100+	422.95 грн

IXTA6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 462-471 дні (днів)

1+	597.46 грн
10+	533.01 грн
50+	441.52 грн
100+	382.91 грн

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

MOSFET IXTA6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

High Voltage MOSFET

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 295 шт:

термін постачання 573-582 дні (днів)

1+	1083.81 грн
10+	823.26 грн
500+	701.9 грн
1000+	685.91 грн

IXTA6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	622.39 грн
50+	478.78 грн
100+	428.38 грн
500+	354.72 грн
1000+	319.25 грн

IXTA6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	689.91 грн
10+	666.27 грн
50+	463.49 грн

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	736.88 грн
2+	507.42 грн
6+	461.99 грн

IXTA6N50D2

Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	714.17 грн
25+	611.83 грн
100+	509.48 грн
250+	446.73 грн
500+	386.11 грн
1000+	347.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	614.07 грн
2+	407.19 грн
6+	384.99 грн

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	212.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 800 шт:

термін постачання 460-469 дні (днів)

1+	675.92 грн
10+	572.07 грн
25+	471.48 грн
100+	414.21 грн
250+	400.89 грн
500+	366.26 грн
800+	350.28 грн

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	392.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	622.39 грн
10+	514.02 грн
100+	428.38 грн

IXTA6N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

товар відсутній

IXTA6N50P

MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA70N075T2

MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds

товар відсутній

IXTA70N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA70N075T2

товар відсутній

IXTA70N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

MOSFET IXTA70N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA70N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA70N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA72N20T

MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds

товар відсутній

IXTA72N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263

товар відсутній

IXTA74N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263

товар відсутній

IXTA75N10P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns

товар відсутній

IXTA75N10P

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA75N10P

товар відсутній

IXTA75N10P

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA75N10P

MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.35 грн
10+	347.68 грн
50+	285.69 грн
100+	247.06 грн
500+	211.1 грн

IXTA75N10P-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

товар відсутній

IXTA75N10P-TRL

MOSFET IXTA75N10P TRL

товар відсутній

IXTA76N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA76N25T

MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

товар відсутній

IXTA76N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA76N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.49 грн
10+	334.29 грн
100+	270.47 грн
500+	225.62 грн
1000+	193.19 грн
2000+	181.91 грн

IXTA76N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA76N25T

товар відсутній

IXTA76N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	249.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76N25T-TRL

MOSFET IXTA76N25T TRL

товар відсутній

IXTA76P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 24 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	450.92 грн
3+	390.72 грн
4+	299.67 грн
9+	283.86 грн

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.34 грн
5+	388.46 грн
10+	358.58 грн
50+	305.22 грн
100+	256.13 грн
250+	251.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.76 грн
3+	313.54 грн
4+	249.73 грн
9+	236.55 грн

IXTA76P10T

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

на замовлення 2264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.17 грн
10+	393.63 грн
50+	301.67 грн
100+	277.7 грн
250+	265.04 грн
500+	259.71 грн

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.39 грн
10+	393.28 грн
25+	389.02 грн
50+	345.58 грн
100+	255.73 грн
1000+	211.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
50+	320.3 грн
100+	286.58 грн
500+	237.3 грн
1000+	213.57 грн
2000+	200.13 грн

IXTA76P10T
Код товару: 198462

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	480.72 грн
28+	418.94 грн
50+	372.16 грн
100+	275.4 грн
1000+	227.5 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	398.86 грн
33+	357.08 грн
35+	335.53 грн
100+	298.11 грн
250+	268.03 грн
500+	233.24 грн

Мінімальне замовлення: 30

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	262.59 грн
1600+	227.58 грн
2400+	213.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	239.96 грн
4000+	237.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	258.41 грн
4000+	255.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
10+	343.93 грн
100+	286.58 грн

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	370.37 грн
10+	331.57 грн
25+	311.56 грн
100+	276.81 грн
250+	248.89 грн
500+	216.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T-TRL

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

товар відсутній

IXTA7N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA80N075L2

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	881.72 грн
50+	687.25 грн
100+	646.82 грн
500+	550.11 грн

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

MOSFET MOSFET N CHANNEL

на замовлення 3777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	966.49 грн
10+	840.11 грн
25+	722.54 грн
50+	695.24 грн
100+	631.97 грн
500+	629.97 грн

IXTA80N075L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 357W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1156.42 грн
2+	774.53 грн
4+	705.06 грн

IXTA80N075L2

Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1010.75 грн
5+	950.99 грн
10+	889.73 грн
25+	771.38 грн
100+	660.81 грн

IXTA80N075L2

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	963.69 грн
2+	621.54 грн
4+	587.55 грн

IXTA80N075L2-TRL

MOSFET IXTA80N075L2 TRL

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA80N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA80N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

на замовлення 4030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.08 грн
50+	188.14 грн
100+	161.27 грн
500+	134.52 грн
1000+	115.19 грн
2000+	108.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

MOSFET IXTA80N10T TRL

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

товар відсутній

IXTA80N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Power dissipation: 325W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263

товар відсутній

IXTA80N12T2

товар відсутній

IXTA80N12T2

MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs

товар відсутній

IXTA80N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263

товар відсутній

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

IXTA86N20T SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds

товар відсутній

IXTA86N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	465.35 грн
10+	402.61 грн
100+	329.88 грн
500+	263.54 грн
1000+	222.26 грн

IXTA86N20T-TRL

MOSFET IXTA86N20T TRL

товар відсутній

IXTA86N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4

MOSFET MSFT 86A 200V X4

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.21 грн
10+	713.75 грн
25+	604 грн
50+	570.04 грн
100+	559.39 грн

IXTA86N20X4

Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 4649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	756.38 грн
50+	589.51 грн
100+	554.84 грн
500+	471.88 грн
1000+	432.83 грн

IXTA86N20X4-TRL

IXTA86N20X4-TRL

товар відсутній

IXTA86N20X4-TRL

Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA88N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

товар відсутній

IXTA88N085T

Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA88N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

товар відсутній

IXTA8N50P
Код товару: 99415

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA8N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA8N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns

товар відсутній

IXTA8N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA8N50P

MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA8N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.51 грн
50+	161.82 грн
100+	138.7 грн
500+	115.71 грн
1000+	99.07 грн
2000+	93.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.94 грн
8+	114.46 грн
10+	113.76 грн
20+	108.21 грн
50+	106.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA8N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA8N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	207.54 грн
50+	155.83 грн
100+	137.18 грн
250+	125.2 грн
500+	114.54 грн
1000+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

на замовлення 56 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	184.67 грн
3+	158.19 грн
8+	137.35 грн
10+	136.52 грн
20+	129.86 грн
50+	127.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2TRL

IXTA8N65X2TRL

товар відсутній

IXTA8N70X2

MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

товар відсутній

IXTA8N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA8N70X2

товар відсутній

IXTA8N70X2TRL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

товар відсутній

IXTA8PN50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

товар відсутній

IXTA90N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA90N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA90N055T2

товар відсутній

IXTA90N055T2

MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.32 грн
10+	173.84 грн
100+	119.2 грн
250+	115.21 грн
500+	107.88 грн
1000+	105.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N075T2

MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.29 грн
10+	216.73 грн
50+	139.18 грн
100+	134.52 грн
500+	122.53 грн
1000+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 4106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.27 грн
10+	176.2 грн
100+	142.59 грн
500+	118.94 грн
1000+	101.84 грн
2000+	95.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N075T2-TRL

MOSFET IXTA90N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA90N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA90N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N20X3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube

товар відсутній

IXTA90N20X3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 124ns

товар відсутній

IXTA90N20X3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N20X3

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA90N20X3

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA90N20X3

товар відсутній

IXTA94N20X4

MOSFET MSFT 94A 200V X4

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	890.36 грн
10+	772.72 грн
100+	580.7 грн
500+	547.4 грн

IXTA94N20X4

Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA94N20X4

Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	576.29 грн
50+	464.93 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	460.26 грн
27+	440.48 грн
50+	423.7 грн
100+	394.7 грн
250+	354.38 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	456.34 грн
10+	392.64 грн
25+	389.76 грн
50+	351.8 грн
100+	281.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.39 грн
10+	384.1 грн
25+	381.36 грн
50+	344.26 грн
100+	275.53 грн
500+	205.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 289 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	474.22 грн
3+	394.18 грн
4+	303 грн
9+	286.35 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	480.72 грн
29+	410.69 грн
50+	370.74 грн
100+	296.73 грн
500+	221.5 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA96P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
50+	320.3 грн
100+	286.58 грн

IXTA96P085T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.34 грн
5+	388.46 грн
10+	358.58 грн
50+	305.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds

на замовлення 9254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.95 грн
10+	432.69 грн
50+	319.65 грн
100+	277.03 грн
500+	260.38 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	455.71 грн
30+	389.22 грн
50+	351.31 грн
100+	281.22 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.19 грн
3+	316.32 грн
4+	252.5 грн
9+	238.63 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	386.65 грн
35+	341.91 грн
45+	259.97 грн

Мінімальне замовлення: 31

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	359.03 грн
10+	317.48 грн
25+	241.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	262.59 грн
1600+	227.58 грн
2400+	213.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	358.58 грн
50+	305.22 грн
100+	256.13 грн
250+	251.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	349.61 грн
37+	317.32 грн
38+	314.2 грн
100+	271.24 грн
250+	248.58 грн
500+	222.83 грн

Мінімальне замовлення: 34

IXTA96P085T-TRL

MOSFET IXTA96P085T TRL

на замовлення 3483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.99 грн
10+	352.28 грн
25+	294.34 грн
100+	260.38 грн
250+	253.06 грн
500+	231.75 грн
800+	219.09 грн

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 5609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.37 грн
10+	343.93 грн
100+	286.58 грн

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.34 грн
5+	388.46 грн
10+	358.58 грн
50+	305.22 грн
100+	256.13 грн
250+	251.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.64 грн
10+	294.65 грн
25+	291.76 грн
100+	251.87 грн
250+	230.83 грн
500+	206.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA98N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

товар відсутній

IXTA98N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

товар відсутній

IXTB1909

Description: POWER MOSFET 500V 100AMP

на замовлення 19470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1678.45 грн
10+	1491 грн
100+	1273.19 грн
500+	1084.78 грн

IXTB30N100L

Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264

товар відсутній

IXTB30N100L

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

товар відсутній

IXTB30N100L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 1µs
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet

товар відсутній

IXTB30N100L

MOSFET 30 Amps 1000V

товар відсутній

IXTB30N100L

товар відсутній

IXTB62N50L

MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4533.36 грн
10+	4196.73 грн
25+	3531.46 грн

IXTB62N50L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 550nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	4003.55 грн
25+	3794.01 грн

IXTB62N50L

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3992.25 грн
10+	3611.66 грн

IXTB62N50L

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3336.29 грн

IXTC102N20T

Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC102N25T

Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC1088

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTC1088/6E/2C

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTC110N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC130N15T

Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IXTC160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V

товар відсутній

IXTC160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTC180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTC180N10T