Продукція > NJD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NJD-4144A | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD-7334 | на замовлення 514 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD-7734 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD1009 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD1718T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD1718T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD1718T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W | на замовлення 15431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD1718T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD1718T4G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V | на замовлення 4873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD1718T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD1718T4G | ON Semiconductor | на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NJD2152PT1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD24N06L | ON | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD2873 | onsemi | Description: TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK | на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD2873 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873RL | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873T4 | onsemi | Description: TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD2873T4 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873T4 | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD2873T4G | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W | на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD2873T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.68 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 15800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD2873T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873T4G | ON Semiconductor | на замовлення 16034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD2873T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD2873T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD2873T4G | ON | 0649+ | на замовлення 968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD2873T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN | на замовлення 56981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD2873T4G******** | на замовлення 57500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD31C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD31CT4 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD32CT4 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD340 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD350 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD35N04 | onsemi | onsemi NPN DARLINGTON POWER TRAN | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD35N04G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJD35N04G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q100, NPN, 350 V, 4 A, 45 W, TO-252 (DPAK) Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 90 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04G | onsemi | Darlington Transistors POWER DARL TRANSIST | на замовлення 1275 шт: термін постачання 563-572 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD35N04G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04T4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD35N04T4G | onsemi | Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN | на замовлення 10837 шт: термін постачання 790-799 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NJD4001NT1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD47T4G | ON | 2006 TO-252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD50T4 | на замовлення 881 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD6503A | на замовлення 4446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD6506S | JRC | 1999 | на замовлення 346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD6511D | JRC | 1995 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NJD6512 | JRC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NJD6512D | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJD6513 | N/A | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NJD6514D | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NJDDGN0001 | Amphenol Commercial Products | Ethernet Cables / Networking Cables SFP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJDDGN0002 | Amphenol Commercial Products | Ethernet Cables / Networking Cables SFP Cable Assembly, Passive, 25AWG, 2M, 112G / Lane, Flex Sleeve | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJDDGN0003 | Amphenol Commercial Products | Ethernet Cables / Networking Cables SFP | на замовлення 70 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
|