Продукція > NP6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP6-11D/1F whiteChint Group CorporationКнопка белая без фиксации SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NP6-11D/5F yellowChint Group CorporationКнопка желтая без фиксации SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NP6-11DS/6F blueChint Group CorporationКнопка синяя с фиксацией SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NP6-22DS/4FChint Group CorporationКнопка красная с фиксацией DPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NP60N03KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER E AUTO MOS MP-25LZA/LZK UMOS4
товар відсутній
NP60N03KUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N03KUG-E1/-AY/JM
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03KUG00377Renesas ElectronicsMOSFET TO-220
товар відсутній
NP60N03SUG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N03SUG(1)-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NP60N03SUG(1)-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP60N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP60N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N03SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP60N04HLF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04ILF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04ILF-E1-AZRenesasDescription: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+128.38 грн
Мінімальне замовлення: 156
NP60N04KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04KUG-E1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04KUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NP60N04KUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N04KUG-E2-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NP60N04MUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04MUG-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N04MUK
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N04NUK
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP60N04NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRS2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 83.73 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2
товар відсутній
NP60N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.33 грн
10+ 85.6 грн
100+ 68.12 грн
500+ 54.1 грн
1000+ 45.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NP60N04VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
товар відсутній
NP60N04VUK
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N04VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE E AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP
товар відсутній
NP60N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 83.73 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N055KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N055KUG-E1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP60N055KUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
товар відсутній
NP60N055KUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N055MUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP60N055MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N055NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товар відсутній
NP60N055NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP60N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 82.76 грн
100+ 65.85 грн
500+ 52.29 грн
1000+ 44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+112.65 грн
10+ 92.66 грн
100+ 63.8 грн
500+ 53.87 грн
1000+ 45.75 грн
2500+ 43.42 грн
5000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.64 грн
5000+ 43.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06MLK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP60N06PDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
товар відсутній
NP60N06PDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NP60N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 83.38 грн
100+ 66.36 грн
500+ 52.69 грн
1000+ 44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.65 грн
10+ 92.66 грн
100+ 63.8 грн
250+ 59.2 грн
500+ 53.67 грн
1000+ 46.02 грн
2500+ 43.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47 грн
5000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.33 грн
10+ 85.6 грн
100+ 68.12 грн
500+ 54.1 грн
1000+ 45.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
товар відсутній
NP6120-30
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP65-12YUASADescription: YUASA - NP65-12 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 65 Ah, Schraube
NEDA-Code: -
Batterie-/Akkuspannung: 12
Batteriekapazität: 65
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
Außenbreite: 166
Außentiefe: 350
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 174
Batterie-/Akkuanschlüsse: Schraube
Produktpalette: NP Series
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 23
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NP65-12FRYuasa BatteryDescription: 12V, 65 AH SLA
Packaging: Case
Capacity: 65Ah
Size / Dimension: 13.78" L x 6.54" W x 6.85" H (350.0mm x 166.1mm x 174.0mm)
Termination Style: Nut and Bolt, M6
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23240.35 грн
10+ 18228.6 грн
20+ 17376.75 грн
NP65-12IYUASACategory: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 12V; 65Ah; AGM; maintenance-free; 22.82kg
Conform to the norm: VdS
Body dimensions: 350x166x174mm
Rechargeable batteries application: power backup systems
Rechargeable batteries features: maintenance-free
Rated voltage: 12V
Storage time: 3-5 years
Technology: AGM
Capacity: 65Ah
Type of rechargeable battery: acid-lead
Net weight: 22.82kg
Leads: screw M6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13638.02 грн
NP6501
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)