Продукція > NSF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSF03A20
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A20-TE16L
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A20G-TE16L
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON09+
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIECDO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40-TE16LNIHON06+
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A40G-TE16L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60SHINDENGEN
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16LNIHON08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16L-R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60-TE16L3
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF03A60G-TE16L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF040120D7A0NEXPERIASiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
товар відсутній
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.79 грн
2+ 1100.18 грн
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1503.35 грн
2+ 1370.99 грн
NSF040120L3A0QNexperiaMOSFET BIPOLAR
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1525.88 грн
10+ 1461.2 грн
30+ 1080.15 грн
510+ 1038.86 грн
1020+ 1028.87 грн
NSF040120L4A0QNexperiaMOSFET NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1444.3 грн
10+ 1265.91 грн
30+ 1026.87 грн
60+ 994.91 грн
120+ 962.28 грн
270+ 898.35 грн
510+ 825.76 грн
NSF040120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
товар відсутній
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+933.8 грн
2+ 751.95 грн
3+ 711.02 грн
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1120.56 грн
2+ 937.05 грн
3+ 853.23 грн
NSF080120L3A0QNexperiaMOSFET BIPOLAR
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.7 грн
10+ 957.28 грн
30+ 707.22 грн
510+ 673.26 грн
1020+ 659.94 грн
NSF080120L4A0QNexperiaMOSFET NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.06 грн
10+ 916.69 грн
30+ 775.15 грн
60+ 731.86 грн
120+ 689.24 грн
270+ 667.93 грн
510+ 623.98 грн
NSF080120L4A0QNEXPERIAN-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3210
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Packaging: Retail Package
Type: Starter
Part Status: Active
товар відсутній
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товар відсутній
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC124J16TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J16TRD2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J16TRD3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSFC224J50TRE4F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)