Продукція > NVC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVC0-SM447 | на замовлення 875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC020N120SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 1200 V, 20 m, Bare Die | товар відсутній | |||
| NVC100 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC1000 | NEXTCHIP | QFP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVC1001 | на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC1100M | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC1300 | NEXTCHIP | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVC1301 | NEXTCHIP | 05NOPB | на замовлення 912 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVC1400 | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC1600D | NEXTCHIP | 0946+ BGA | на замовлення 156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVC1600F | на замовлення 5837 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC1600S | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC2MCIA-T | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH | на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||
| NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
| NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||
| NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||
| NVC4276A-5.0 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC6S5A354PLZT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NVC6S5A354PLZT1G | ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 15088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||
| NVC6S5A354PLZT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||
| NVC6S5A354PLZT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
| NVC6S5A354PLZT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||
| NVC6S5A444NLZT1G | ON Semiconductor | MOSFET NCH4.5A60V4.5V DRIV E CPH6 | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||
| NVC6S5A444NLZT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
| NVC6S5A444NLZT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 | товар відсутній | |||
| NVC7356G | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVC7517 | на замовлення 2223 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVCAA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVCAA93C46 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
| NVCAA9527 | ST | SOP-8 | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVCAA9535 | ST | SOP-8 | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVCAA9548 | ST | SOP-8 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVCAA9601 | ST | SOP-8 | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| NVCR5C426N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V RINGPAK | товар відсутній | |||
| NVCR5C426N | ON Semiconductor | ON Semiconductor T6-D3F 40V NFET | товар відсутній |