Продукція > PJX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJX-2 (25 Ft)Global IndustrialDescription: 25' INSTALLATION KIT FOR SPLIT S
Packaging: Box
Type: Installation Kit
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7925.43 грн
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
40+ 6.98 грн
100+ 6.07 грн
195+ 5.04 грн
535+ 4.76 грн
4000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
65+ 5.6 грн
100+ 5.06 грн
195+ 4.2 грн
535+ 3.97 грн
4000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX138K_R1_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 43614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.55 грн
13+ 23.89 грн
100+ 11.79 грн
1000+ 5.99 грн
4000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX138K_S1_00001PanjitMOSFET /8KB/TRR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-50TEMN/NF50TE-QI01/PJ///
товар відсутній
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.62 грн
10+ 28.86 грн
100+ 17.95 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX138L_R1_00002PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJX138L_R1_00002PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
15+ 19.08 грн
100+ 11.47 грн
500+ 9.96 грн
1000+ 6.77 грн
2000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJX8601_R1_00001PanjitMOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.03 грн
15+ 20.52 грн
100+ 12.12 грн
1000+ 7.06 грн
4000+ 5.93 грн
8000+ 5.46 грн
24000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.55 грн
35+ 7.95 грн
100+ 6.91 грн
170+ 5.74 грн
470+ 5.41 грн
4000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJX8603_R1_00001PanjitMOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6945 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
12+28.2 грн
14+ 22.67 грн
100+ 13.45 грн
1000+ 7.79 грн
4000+ 6.59 грн
8000+ 5.99 грн
24000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.46 грн
55+ 6.38 грн
100+ 5.76 грн
170+ 4.79 грн
470+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
15+ 19.49 грн
100+ 11.68 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 6.9 грн
2000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJX8803_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
14+ 23.13 грн
100+ 13.72 грн
1000+ 7.99 грн
4000+ 6.73 грн
8000+ 6.19 грн
24000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJX8805_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJX8805_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.37 грн
14+ 20.46 грн
100+ 12.27 грн
500+ 10.66 грн
1000+ 7.25 грн
2000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.39 грн
8000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
13+ 22.68 грн
100+ 11.45 грн
500+ 9.52 грн
1000+ 7.41 грн
2000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.34 грн
8000+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
12+ 23.45 грн
100+ 15.94 грн
500+ 11.22 грн
1000+ 8.42 грн
2000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX8812_R1_00001PanjitMOSFET /X12/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товар відсутній
PJX8812_R2_00001PanjitMOSFET /X12/TR/13"/HF/10K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товар відсутній
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
16+ 17.41 грн
100+ 8.78 грн
500+ 7.3 грн
1000+ 5.68 грн
2000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJX8838-R1-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJX8838-R1-00002PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-50TEMN
товар відсутній
PJX8838-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 19.91 грн
100+ 10.04 грн
500+ 8.35 грн
1000+ 6.5 грн
2000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.43 грн
8000+ 6.06 грн
12000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PJX8838_R1_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
14+ 22.97 грн
100+ 12.45 грн
1000+ 6.73 грн
4000+ 5.79 грн
8000+ 4.99 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX8838_R1_00002PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
14+ 22.97 грн
100+ 12.45 грн
1000+ 6.59 грн
2500+ 5.86 грн
8000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX8838_R2_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJX8839_R1_00001PanjitMOSFET /X39/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-60TEMP/NF60TE-QI03/PJ///
товар відсутній
PJX8839_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.98 грн
14+ 21.02 грн
100+ 10.61 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.86 грн
2000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
PJX8872B_R1_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJX8872B_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 40X32X12
товар відсутній