НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RML42-1223AmphenolRML42-1223
товар відсутній
RML42-1274AmphenolRML42-1274
товар відсутній
RML7S-183J
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLA3565C
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK063BJ103KP-F0201c
на замовлення 64925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK063BJ103KP-F
на замовлення 64925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK105B7474MV-FTaiyo YudenRMLMK105B7474MV-F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
RMLMK105BJ104KV
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK105BJ104KV-F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK105BJ105KVHFTaiyo YudenRMLMK105BJ105KVHF
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.28 грн
30000+ 1.17 грн
50000+ 1.07 грн
100000+ 0.61 грн
150000+ 0.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
RMLMK105BJ105MVHFTaiyo YudenRMLMK105BJ105MVHF
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20834+0.56 грн
22389+ 0.52 грн
40000+ 0.49 грн
Мінімальне замовлення: 20834
RMLMK105BJ473KV-F
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK105BJ473KV-F0402c
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLMK105F224ZV-F
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLS8273J
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMLS8G103Rohm Semiconductor10K0 2% SIL 8-Bussed Resistor Network
товар відсутній
RMLV0408EGSA-4S2#AA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RMLV0408EGSA-4S2#AA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.05 грн
10+ 301.54 грн
25+ 294.98 грн
40+ 275.32 грн
80+ 246.86 грн
234+ 245.96 грн
468+ 233.09 грн
1170+ 221.6 грн
RMLV0408EGSA-4S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X8 STSOP32 45NS -40TO85C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.78 грн
10+ 271.1 грн
100+ 205.77 грн
234+ 205.11 грн
468+ 197.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0408EGSA-4S2#KA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP
товар відсутній
RMLV0408EGSA-4S2#KA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.83 грн
10+ 263.53 грн
25+ 257.8 грн
50+ 240.62 грн
100+ 215.75 грн
250+ 214.96 грн
500+ 203.71 грн
RMLV0408EGSA-4S2#KA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X8 STSOP32 45NS -40TO85C
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.78 грн
10+ 271.1 грн
100+ 205.77 грн
250+ 205.11 грн
500+ 197.78 грн
1000+ 187.79 грн
2000+ 178.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0408EGSA-4S2#KA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.89 грн
10+ 336.17 грн
25+ 330.19 грн
50+ 304.53 грн
100+ 251.65 грн
250+ 250.37 грн
500+ 235.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0408EGSA-4S2#KA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
товар відсутній
RMLV0408EGSA-4S2#KA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: STSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+336.17 грн
25+ 330.19 грн
50+ 304.53 грн
100+ 251.65 грн
250+ 250.37 грн
500+ 235.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
RMLV0408EGSB-4S2#AA0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray
товар відсутній
RMLV0408EGSB-4S2#AA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+958.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
RMLV0408EGSB-4S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.78 грн
10+ 271.1 грн
117+ 205.77 грн
234+ 205.11 грн
585+ 197.78 грн
1053+ 187.79 грн
2574+ 178.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0408EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.27 грн
10+ 264.71 грн
25+ 258.94 грн
40+ 241.7 грн
117+ 216.71 грн
234+ 215.92 грн
468+ 204.62 грн
1053+ 194.54 грн
RMLV0408EGSB-4S2#HA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+958.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
RMLV0408EGSB-4S2#HA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+270.43 грн
25+ 264.45 грн
50+ 244.18 грн
100+ 202.34 грн
250+ 201.7 грн
500+ 194.02 грн
1000+ 184.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
RMLV0408EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.26 грн
10+ 736.9 грн
RMLV0408EGSB-4S2#HA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV0408EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
RMLV0408EGSB-4S2#HA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.43 грн
10+ 270.43 грн
25+ 264.45 грн
50+ 244.18 грн
100+ 202.34 грн
250+ 201.7 грн
500+ 194.02 грн
1000+ 184.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
RMLV0408EGSB-4S2#HA1Rochester Electronics, LLCDescription: RMLV0408EGS - 4Mb Advanced LPSRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
RMLV0408EGSP-4S2#CA0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin SOP Tube
товар відсутній
RMLV0408EGSP-4S2#CA0Renesas ElectronicsSRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x8, SOP, 45NS, Tube
товар відсутній
RMLV0408EGSP-4S2#CA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 32SOP
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RMLV0408EGSP-4S2#CA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0408EGSP-4S2#CA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.75 грн
10+ 555.8 грн
25+ 544.59 грн
50+ 494.6 грн
100+ 446.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0408EGSP-4S2#CA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB X8 3V SOP 45NS -40TO85C
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.75 грн
10+ 491.66 грн
100+ 393.57 грн
250+ 380.92 грн
500+ 378.25 грн
1000+ 370.93 грн
2500+ 273.03 грн
RMLV0408EGSP-4S2#CA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.92 грн
10+ 716.71 грн
25+ 700.43 грн
50+ 653.81 грн
100+ 575.55 грн
250+ 546.99 грн
500+ 532.63 грн
1000+ 514.93 грн
RMLV0408EGSP-4S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x8, SOP, 45NS, T+R
товар відсутній
RMLV0408EGSP-4S2#HA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 32SOP
товар відсутній
RMLV0408EGSP-4S2#HA0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin SOP T/R
товар відсутній
RMLV0414EGSB-4S2#AA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1535.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
RMLV0414EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.34 грн
10+ 241.96 грн
25+ 236.66 грн
40+ 220.92 грн
135+ 198.08 грн
270+ 197.35 грн
540+ 187.03 грн
945+ 177.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0414EGSB-4S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.55 грн
10+ 264.21 грн
100+ 187.13 грн
270+ 183.13 грн
540+ 177.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0414EGSB-4S2#HA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
товар відсутній
RMLV0414EGSB-4S2#HA1Rochester Electronics, LLCDescription: RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
товар відсутній
RMLV0414EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.26 грн
10+ 736.9 грн
RMLV0414EGSB-4S2#HA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM SRAM LP(4M) 4M
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.78 грн
10+ 271.1 грн
100+ 205.77 грн
250+ 205.11 грн
500+ 197.78 грн
1000+ 187.79 грн
2000+ 178.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0414EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
товар відсутній
RMLV0416EGBG-4S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.55 грн
10+ 237.41 грн
253+ 205.77 грн
506+ 197.78 грн
1012+ 187.79 грн
2530+ 182.47 грн
5060+ 173.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0416EGBG-4S2#AC0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RMLV0416EGBG-4S2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: STANDARD SRAM, 256KX16, 45NS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+748.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
RMLV0416EGBG-4S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R
товар відсутній
RMLV0416EGSB-4S2#AA0Rochester Electronics, LLCDescription: STANDARD SRAM, 256KX16, 45NS
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RMLV0416EGSB-4S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.78 грн
10+ 271.1 грн
100+ 205.77 грн
270+ 205.11 грн
540+ 197.78 грн
1080+ 187.79 грн
2565+ 178.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0416EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.15 грн
10+ 251.74 грн
25+ 246.29 грн
40+ 229.88 грн
135+ 206.11 грн
270+ 205.36 грн
540+ 194.62 грн
945+ 185.02 грн
RMLV0416EGSB-4S2#AA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#AA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.71 грн
10+ 264.45 грн
25+ 253.25 грн
50+ 224.75 грн
100+ 197.86 грн
250+ 197.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
RMLV0416EGSB-4S2#HA0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II
товар відсутній
RMLV0416EGSB-4S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, TSOP, 45NS, T+R
товар відсутній
RMLV0416EGSB-4S2#HA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.51 грн
10+ 307.78 грн
25+ 301.06 грн
50+ 278.17 грн
100+ 229.88 грн
250+ 229.24 грн
500+ 220.91 грн
1000+ 210.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0416EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
товар відсутній
RMLV0416EGSB-4S2#HA1RENESASDescription: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.51 грн
10+ 307.78 грн
25+ 301.06 грн
50+ 278.17 грн
100+ 229.88 грн
250+ 229.24 грн
500+ 220.91 грн
1000+ 210.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0416EGSB-4S2#HA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.75 грн
10+ 286.42 грн
100+ 219.76 грн
250+ 219.09 грн
500+ 211.1 грн
1000+ 199.78 грн
2000+ 190.46 грн
RMLV0416EGSB-4S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
товар відсутній
RMLV0808BGSB-4S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 384.44 грн
100+ 294.34 грн
270+ 292.35 грн
540+ 268.37 грн
2565+ 259.71 грн
5130+ 241.73 грн
RMLV0808BGSB-4S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.66 грн
10+ 375.02 грн
25+ 362.32 грн
50+ 324.64 грн
100+ 288.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0808BGSB-4S2#AA0Rochester Electronics, LLCDescription: R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
RMLV0808BGSB-4S2#HA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.74 грн
10+ 1248.35 грн
25+ 1234.98 грн
50+ 1130.4 грн
100+ 992.32 грн
250+ 958.85 грн
500+ 917.75 грн
RMLV0808BGSB-4S2#HA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
RMLV0808BGSB-4S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR
товар відсутній
RMLV0816BGBG-4S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 345.39 грн
100+ 299.67 грн
253+ 254.39 грн
5060+ 253.72 грн
10120+ 250.39 грн
RMLV0816BGBG-4S2#AC0California Eastern Laboratories8MB 3V ADV.SRAM X16 FBGA48, 45NS, WTR
товар відсутній
RMLV0816BGBG-4S2#AC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
40+ 334.32 грн
80+ 299.99 грн
253+ 298.86 грн
RMLV0816BGBG-4S2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+1332.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
RMLV0816BGBG-4S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR
товар відсутній
RMLV0816BGSA-4S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48, 45ns, WTR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 394.4 грн
96+ 299.67 грн
288+ 298.34 грн
576+ 279.69 грн
1056+ 268.37 грн
2592+ 259.71 грн
RMLV0816BGSA-4S2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
40+ 334.32 грн
96+ 299.98 грн
288+ 298.86 грн
RMLV0816BGSA-4S2#KA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
50+ 334.31 грн
100+ 299.98 грн
250+ 298.86 грн
500+ 275.5 грн
RMLV0816BGSA-4S2#KA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48 45ns WTR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 428-437 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 394.4 грн
100+ 299.67 грн
250+ 298.34 грн
500+ 279.69 грн
1000+ 268.37 грн
RMLV0816BGSA-4S2#KA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+296.86 грн
2000+ 276.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RMLV0816BGSB-4S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.37 грн
10+ 385.47 грн
25+ 371.28 грн
50+ 332.27 грн
100+ 294.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0816BGSB-4S2#AA0RENESASCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 45s
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
RMLV0816BGSB-4S2#AA0RENESASCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 45s
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RMLV0816BGSB-4S2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
40+ 334.32 грн
135+ 299.98 грн
270+ 298.86 грн
540+ 275.5 грн
945+ 263.88 грн
RMLV0816BGSB-4S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.96 грн
10+ 384.44 грн
100+ 299.67 грн
270+ 298.34 грн
540+ 268.37 грн
2565+ 265.04 грн
5130+ 255.05 грн
RMLV0816BGSB-4S2#AA00RENESASSRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 45ns, 2.4?3.6V, -40?85°C RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RMLV0816BGSB-4S2 Renesas PS0816bgsb-4s2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+210.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
RMLV0816BGSB-4S2#HA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+296.86 грн
2000+ 276.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RMLV0816BGSB-4S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.18 грн
10+ 395.17 грн
100+ 304.33 грн
250+ 303 грн
500+ 284.35 грн
1000+ 271.04 грн
2000+ 262.38 грн
RMLV0816BGSB-4S2#HA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.7 грн
10+ 378 грн
25+ 370.53 грн
50+ 341.29 грн
100+ 283.02 грн
250+ 281.74 грн
500+ 263.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0816BGSB-4S2#HA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
50+ 334.31 грн
100+ 299.98 грн
250+ 298.86 грн
500+ 275.5 грн
RMLV0816BGSB-4S2#HA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.7 грн
10+ 378 грн
25+ 370.53 грн
50+ 341.29 грн
100+ 283.02 грн
250+ 281.74 грн
500+ 263.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
RMLV0816BGSD-4S2#AA1Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
10+ 365.85 грн
25+ 358.83 грн
40+ 334.32 грн
80+ 299.99 грн
RMLV0816BGSD-4S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 (uTSOP-52, Renesas)
Код товару: 195306
Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#AC0Renesas Electronics AmericaDescription: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RMLV0816BGSD-4S2#AC0RenesasSRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 1M/512K x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#HA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C T&R
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#HC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#HC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV0816BGSD-4S2#HC0Renesas ElectronicsSRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52 45ns WTR
товар відсутній
RMLV1616AGBG-4U2#AC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-4U2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: IC 48TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#AC0California Eastern LaboratoriesSRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#AC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 406-415 дні (днів)
1+676.7 грн
10+ 618.79 грн
25+ 524.76 грн
100+ 460.16 грн
250+ 437.52 грн
500+ 432.86 грн
1000+ 418.87 грн
RMLV1616AGBG-5U2#AC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGBG-5U2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSA-4U2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSA-4U2#KA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV1616AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5S2#AA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.93 грн
10+ 581.58 грн
25+ 568.4 грн
40+ 530.58 грн
96+ 467.06 грн
288+ 443.89 грн
480+ 432.24 грн
960+ 417.87 грн
RMLV1616AGSA-5S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.92 грн
10+ 624.15 грн
25+ 468.82 грн
96+ 463.49 грн
288+ 438.19 грн
576+ 426.2 грн
1056+ 421.54 грн
RMLV1616AGSA-5S2#AA0California Eastern LaboratoriesSRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5S2#AA0RENESASRMLV1616AGSA5S2AA0 Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5S2#KA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5S2#KA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2058.08 грн
10+ 1863.58 грн
25+ 1798.91 грн
50+ 1634.83 грн
100+ 1439.11 грн
250+ 1400.39 грн
RMLV1616AGSA-5S2#KA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1481.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RMLV1616AGSA-5U2#AA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSA-5U2#KA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tube
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AA1RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3422.76 грн
5+ 2609.23 грн
50+ 2152.86 грн
100+ 2028.14 грн
230+ 1807.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
RMLV1616AGSD-5S2#AA1NXP SemiconductorsDescription: RMLV161616ADVANCLPSR(WO16W8BIT)
Packaging: Tray
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB X16 3V uTSOP 55NS -40TO85C
на замовлення 230 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+676.7 грн
10+ 618.79 грн
25+ 526.09 грн
100+ 446.18 грн
230+ 438.19 грн
RMLV1616AGSD-5S2#AA1Rochester Electronics, LLCDescription: RMLV1616AGS - 16Mb Advanced LPSR
Packaging: Bulk
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AC0California Eastern LaboratoriesSRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AC0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#AC0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HA1Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HA1Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB X16 3V uTSOP 55NS -40TO85C T+R
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HC0California Eastern LaboratoriesSRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HC0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II
товар відсутній
RMLV1616AGSD-5S2#HC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV3216AGBG-5S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2364.96 грн
10+ 2192.56 грн
25+ 1811.34 грн
50+ 1594.92 грн
100+ 1568.94 грн
253+ 1549.63 грн
1012+ 1540.97 грн
RMLV3216AGBG-5S2#AC0Renesas Electronics CorporationDescription: SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2213.68 грн
10+ 2004.26 грн
25+ 1934.71 грн
40+ 1758.24 грн
80+ 1547.75 грн
253+ 1506.1 грн
RMLV3216AGBG-5S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV3216AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics America IncDescription: SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
товар відсутній
RMLV3216AGSA-5S2#AA0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TSOP-I
товар відсутній
RMLV3216AGSA-5S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2333.1 грн
10+ 2162.69 грн
25+ 1816.01 грн
50+ 1758.07 грн
96+ 1547.63 грн
288+ 1506.35 грн
576+ 1459.73 грн
RMLV3216AGSA-5S2#AA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV3216AGSA-5S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV3216AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.51 грн
10+ 1317.04 грн
25+ 1290.89 грн
50+ 1173.71 грн
RMLV3216AGSA-5S2#KA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV3216AGSA-5S2#KA0RenesasSRAM Chip Async Single 3V/3.3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TSOP-I
товар відсутній
RMLV3216AGSA-5S2#KA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
товар відсутній
RMLV3216AGSD-5S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMLV3216AGSD-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit, UTSOP-II, 52 Pin(s)
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UTSOP-II
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2252.33 грн
10+ 2123.1 грн
25+ 2053.62 грн
50+ 1847.28 грн
100+ 1502.84 грн
RMLV3216AGSD-5S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2336.99 грн
10+ 2169.58 грн
25+ 1822 грн
50+ 1764.73 грн
100+ 1553.63 грн
230+ 1509.01 грн
460+ 1463.06 грн
RMLV3216AGSD-5S2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2967.17 грн
RMLV3216AGSD-5S2#HA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
RMLV3216AGSD-5S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
товар відсутній