Продукція > SQS

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 386684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.32 грн
16+	19.99 грн
100+	13.52 грн
500+	11.59 грн
1000+	9.66 грн
2500+	8.86 грн
6500+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товар відсутній

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V

на замовлення 4740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.69 грн
10+	63.33 грн
100+	42.89 грн
500+	36.29 грн
1000+	29.57 грн
3000+	27.84 грн
6000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товар відсутній

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.45 грн
10+	74.82 грн
100+	50.28 грн
500+	42.62 грн
1000+	34.7 грн
3000+	31.96 грн
6000+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.49 грн
10+	78.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 10305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.55 грн
10+	57.74 грн
100+	39.09 грн
500+	37.63 грн
3000+	31.96 грн
6000+	31.3 грн
9000+	30.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS141ELNW-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -79A
Pulsed drain current: -227A
Power dissipation: 119W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 141nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.03 грн
50+	52.44 грн
100+	43.85 грн
500+	39.19 грн
1500+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS141ELNW-T1_GE3

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.85 грн
500+	39.19 грн
1500+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

на замовлення 3044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	59.45 грн
100+	45.6 грн
500+	33.83 грн
1000+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.89 грн
500+	35.24 грн
1000+	23.5 грн
5000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

товар відсутній

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.89 грн
12+	62.53 грн
100+	47.89 грн
500+	35.24 грн
1000+	23.5 грн
5000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.2 грн
10+	58.2 грн
100+	34.5 грн
500+	28.84 грн
1000+	25.24 грн
3000+	21.38 грн
6000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ENW-T1/GE3

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн
10+	57.51 грн
100+	44.1 грн
500+	32.71 грн
1000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 29189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	56.82 грн
100+	33.7 грн
500+	28.17 грн
1000+	24.64 грн
3000+	20.84 грн
6000+	20.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 74261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.78 грн
10+	57.67 грн
100+	39.02 грн
500+	33.1 грн
1000+	26.97 грн
3000+	25.31 грн
6000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товар відсутній

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 11823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.85 грн
10+	50.7 грн
100+	34.3 грн
500+	33.03 грн
3000+	28.04 грн
6000+	27.5 грн
9000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS180ELNW

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товар відсутній

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товар відсутній

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.42 грн
12+	65.22 грн
100+	47.06 грн
500+	41.97 грн
1000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.96 грн
6000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 7144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	61.96 грн
100+	41.95 грн
500+	40.29 грн
3000+	34.23 грн
6000+	33.56 грн
9000+	32.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товар відсутній

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.06 грн
500+	41.97 грн
1000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.15 грн
100+	42.9 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

на замовлення 5305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.95 грн
10+	58.82 грн
100+	39.82 грн
500+	33.76 грн
1000+	28.84 грн
3000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	52.44 грн
100+	40.76 грн
500+	32.42 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V

на замовлення 12980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	61.96 грн
100+	41.95 грн
500+	35.56 грн
1000+	28.97 грн
3000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 5381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	49.32 грн
100+	33.36 грн
500+	32.1 грн
3000+	27.24 грн
6000+	26.7 грн
9000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товар відсутній

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.48 грн
25+	56.78 грн
50+	50.8 грн
100+	40.93 грн
250+	35.22 грн
500+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.82 грн
6000+	22.76 грн
9000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS401EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 987823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.03 грн
10+	51.16 грн
100+	35.09 грн
500+	30.17 грн
1000+	24.57 грн
3000+	23.11 грн
6000+	21.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 108247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	47.24 грн
100+	36.76 грн
500+	29.24 грн
1000+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.95 грн
13+	60.36 грн
100+	45.2 грн
500+	38.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

товар відсутній

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.14 грн
10+	67.24 грн
100+	45.62 грн
500+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405CENW

SQS405CENW

товар відсутній

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.26 грн
500+	25.25 грн
1000+	19.79 грн
5000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 28893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	45.41 грн
100+	26.97 грн
500+	24.24 грн
3000+	20.58 грн
6000+	20.11 грн
9000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.05 грн
16+	48.63 грн
100+	30.26 грн
500+	25.25 грн
1000+	19.79 грн
5000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.54 грн
10+	39.82 грн
100+	27.58 грн
500+	21.62 грн
1000+	18.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.22 грн
100+	42.95 грн
500+	34.17 грн
1000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.99 грн
6000+	26.59 грн
9000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.22 грн
100+	42.95 грн
500+	34.17 грн
1000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.85 грн
10+	51.62 грн
100+	36.16 грн
500+	31.37 грн
1000+	26.17 грн
3000+	25.37 грн
6000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.83 грн
10+	51.33 грн
100+	39.93 грн
500+	31.76 грн
1000+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.95 грн
6000+	24.72 грн
9000+	23.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.36 грн
100+	34.88 грн
500+	27.35 грн
1000+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	56.9 грн
100+	33.76 грн
500+	28.17 грн
1000+	24.04 грн
3000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 8402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.45 грн
12+	62.3 грн
100+	44.3 грн
500+	34.75 грн
1000+	27.53 грн
3000+	23.37 грн
6000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.77 грн
10+	47.48 грн
100+	31.7 грн
500+	29.43 грн
3000+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 24038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	59.89 грн
100+	40.56 грн
500+	34.36 грн
1000+	27.97 грн
3000+	26.3 грн
6000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.34 грн
6000+	25.99 грн
9000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 13083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.42 грн
11+	71.19 грн
100+	51.7 грн
500+	39.68 грн
1000+	30.61 грн
3000+	30.03 грн
6000+	29.33 грн
12000+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.43 грн
10+	53.97 грн
100+	41.98 грн
500+	33.39 грн
1000+	27.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.08 грн
10+	56.44 грн
100+	38.16 грн
500+	32.36 грн
1000+	26.37 грн
3000+	24.31 грн
6000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товар відсутній

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	53.91 грн
100+	39.42 грн
500+	30.7 грн
1000+	26.1 грн
3000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товар відсутній

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.43 грн
10+	42.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товар відсутній

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	64.24 грн
100+	49.93 грн
500+	39.72 грн
1000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.7 грн
6000+	30.91 грн
9000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 34072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.85 грн
10+	50.7 грн
100+	34.3 грн
500+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 90456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	72.68 грн
100+	48.81 грн
500+	41.35 грн
1000+	33.7 грн
3000+	31.63 грн
6000+	30.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	64.24 грн
100+	49.93 грн
500+	39.72 грн
1000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 37852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	49.93 грн
100+	33.76 грн
500+	28.64 грн
1000+	23.31 грн
3000+	21.91 грн
6000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн
10+	53.27 грн
100+	41.45 грн
500+	32.97 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.98 грн
6000+	25.66 грн
9000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	51.89 грн
100+	40.34 грн
500+	32.1 грн
1000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 191-200 дні (днів)

5+	76.68 грн
10+	67.55 грн
100+	45.75 грн
500+	37.83 грн
1000+	29.83 грн
3000+	27.77 грн
6000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.5 грн
15+	50.28 грн
100+	36.01 грн
500+	28.93 грн
1000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFET -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 172233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	47.79 грн
100+	32.3 грн
500+	28.04 грн
1000+	23.11 грн
3000+	21.18 грн
6000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	44.4 грн
100+	34.52 грн
500+	27.46 грн
1000+	22.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS481ENW-T1_GE3

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.01 грн
500+	28.93 грн
1000+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.3 грн
6000+	21.37 грн
9000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 7987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.35 грн
10+	45.71 грн
100+	35.53 грн
500+	28.26 грн
1000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.43 грн
10+	58.89 грн
100+	39.96 грн
500+	32.96 грн
1000+	26.04 грн
3000+	24.31 грн
6000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 378-387 дні (днів)

5+	62.78 грн
10+	54.37 грн
100+	36.43 грн
500+	30.77 грн
1000+	26.37 грн
3000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 4517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 266620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.93 грн
10+	44.57 грн
100+	31.1 грн
500+	26.84 грн
1000+	22.31 грн
3000+	21.58 грн
6000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	56.19 грн
100+	43.79 грн
500+	33.95 грн
1000+	26.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	62.43 грн
100+	48.65 грн
500+	37.71 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.51 грн
10+	66.01 грн
100+	44.75 грн
500+	37.03 грн
1000+	29.23 грн
3000+	27.17 грн
6000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 34750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	49.95 грн
100+	34.58 грн
500+	27.12 грн
1000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.75 грн
6000+	20.75 грн
9000+	19.21 грн
30000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 14980 шт:

термін постачання 1195-1204 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	60.42 грн
100+	40.29 грн
500+	31.83 грн
1000+	25.51 грн
3000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товар відсутній

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26800 шт:

термін постачання 702-711 дні (днів)

5+	72.33 грн
10+	62.95 грн
100+	41.95 грн
500+	33.16 грн
1000+	26.57 грн
3000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.67 грн
10+	52.03 грн
100+	36 грн
500+	28.23 грн
1000+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.68 грн
6000+	21.6 грн
9000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 71344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.03 грн
10+	57.13 грн
100+	38.09 грн
500+	30.17 грн
1000+	24.11 грн
3000+	21.84 грн
9000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.3 грн
5000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.78 грн
16+	47.74 грн
100+	29.66 грн
500+	23.03 грн
1000+	15.3 грн
5000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 5386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.58 грн
10+	42.58 грн
100+	25.9 грн
500+	21.64 грн
1000+	18.38 грн
3000+	16.38 грн
6000+	15.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.82 грн
10+	38.64 грн
100+	26.74 грн
500+	20.97 грн
1000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 5953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	51.89 грн
100+	35.93 грн
500+	28.17 грн
1000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.2 грн
10+	58.59 грн
100+	35.83 грн
500+	29.83 грн
1000+	24.71 грн
3000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	51.89 грн
100+	35.93 грн
500+	28.17 грн
1000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	52.03 грн
100+	40.44 грн
500+	32.17 грн
1000+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

товар відсутній

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	52.03 грн
100+	40.44 грн
500+	32.17 грн
1000+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.33 грн
10+	47.4 грн
100+	33.76 грн
500+	29.77 грн
1000+	25.84 грн
2500+	24.57 грн
5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS940ELNW-T1/GE3

товар відсутній

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	53.61 грн
100+	36.29 грн
500+	30.77 грн
1000+	25.11 грн
3000+	23.31 грн
6000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.06 грн
6000+	23.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 42073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.08 грн
10+	55.68 грн
100+	38.09 грн
500+	32.3 грн
1000+	26.3 грн
3000+	24.97 грн
6000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.67 грн
100+	38.61 грн
500+	30.71 грн
1000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	49.81 грн
100+	34.51 грн
500+	27.06 грн
1000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 33380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	56.67 грн
100+	34.1 грн
500+	28.57 грн
1000+	24.51 грн
6000+	24.04 грн
9000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.88 грн
100+	38.8 грн
500+	30.86 грн
1000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.19 грн
6000+	24.02 грн
9000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.77 грн
100+	43.39 грн
500+	34.52 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.29 грн
6000+	26.86 грн
9000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	62.03 грн
100+	42.02 грн
500+	35.63 грн
1000+	28.97 грн
3000+	27.24 грн
6000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA82CENW-T1/GE3

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.37 грн
6000+	13.13 грн
9000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 90M SG

на замовлення 30187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.23 грн
10+	39.13 грн
100+	25.37 грн
500+	19.98 грн
1000+	15.92 грн
3000+	13.52 грн
9000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.5 грн
10+	35.1 грн
100+	24.39 грн
500+	17.87 грн
1000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA82CENW-T1_GE3

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA84CENW-T1_GE3

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

на замовлення 22788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.05 грн
10+	37.91 грн
100+	22.51 грн
500+	18.78 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.92 грн
6000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQSA84CENW-T1_GE3