Продукція > SQV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| SQV120N06-4M7L_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товар відсутній | |
| SQV120N06-4m7L_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |
| SQV120N06-4m7L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |
| SQV120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |
| SQV120N10-3M8_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |
| SQV120N10-3M8_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товар відсутній | |
| SQV322520T-1R2M-S | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV322520T-2R2K-S | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV322520T-561J-N | Yageo | Inductor RF Wirewound 560uH 5% 1KHz 50Q-Factor Ferrite 0.04A 28Ohm DCR 1210 T/R | товар відсутній | |
| SQV453226T-102J-N | Yageo | Inductor RF Wirewound 1000uH 5% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 0.05A 25Ohm DCR 1812 T/R | товар відсутній | |
| SQV453226T-220J-N | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV453226T-220k-N | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV453226T-221J | YAGEO | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| SQV453226T-221J-S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV453226T-222J-N | Yageo | Inductor RF Wirewound 2200uH 5% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 0.03A 50Ohm DCR 1812 T/R | товар відсутній | |
| SQV453226T-222J-N | Pulse Electronics | RF Inductors - SMD | товар відсутній | |
| SQV453226T-271J | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
| SQV453226T-681J | CHILISIN | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| SQV90N06-05-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товар відсутній |