Продукція > STY

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STYEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE TRON BOX COVER UNIT
товар відсутній
STYBussmann / EatonControl Switches STY
товар відсутній
STY100NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY100NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 50 V
товар відсутній
STY100NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET
на замовлення 557 шт:
термін постачання 952-961 дні (днів)
1+2061.18 грн
10+ 1873.98 грн
25+ 1605.57 грн
100+ 1370.5 грн
STY100NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY100NS20FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY105NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+1790.81 грн
25+ 1462.73 грн
100+ 1192.02 грн
250+ 1057.51 грн
STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1707.36 грн
STY105NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V
товар відсутній
STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY112N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STY112N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY112N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2779.75 грн
10+ 2543.68 грн
30+ 2208.26 грн
STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY112N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2411.78 грн
30+ 1946.15 грн
120+ 1816.41 грн
STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1898.03 грн
STY112N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2619.01 грн
10+ 2528.76 грн
25+ 1798.69 грн
50+ 1788.7 грн
100+ 1696.8 грн
250+ 1695.47 грн
600+ 1694.14 грн
STY112N65M5 (транзистор)
Код товару: 52936		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STY130NF20DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товар відсутній
STY130NF20DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STY130NF20DSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin Max247 Tube
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2546.76 грн
25+ 2080.75 грн
100+ 1696.14 грн
600+ 1528.32 грн
1200+ 1511.01 грн
STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1640.87 грн
STY139N65M5
Код товару: 60140		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 78A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 78A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V
товар відсутній
STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY140NS10module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY140NS10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.62 грн
STY140NS10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY140NS10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 140 A
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: MAX247
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3209.48 грн
25+ 2819 грн
100+ 2152.3 грн
250+ 2151.64 грн
1200+ 2109.02 грн
3000+ 2106.35 грн
STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: MAX247
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY145N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
товар відсутній
STY145N65M5-ESSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY15NA100
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY16NA90
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY16V
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY16VD
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY16VTA
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY25NA60STTO-247
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY26600
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY30N50EonsemiDescription: NFET T0264 SPCL 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+346.56 грн
Мінімальне замовлення: 58
STY30N50E
на замовлення 35150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY30NA50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 500V 30A 3-Pin(3+Tab) Max247
товар відсутній
STY30NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товар відсутній
STY30NK90Z
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY30NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY34NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товар відсутній
STY34NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp
товар відсутній
STY34NB50
Код товару: 160783		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STY34NB50FSTMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STY34NB50F
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STY50N105DK5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 657-666 дні (днів)
1+1994.37 грн
25+ 1629.68 грн
100+ 1328.54 грн
250+ 1163.39 грн
600+ 1140.08 грн
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY50N105DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
товар відсутній
STY50N105DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: MAX247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY50N105DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: MAX247
товар відсутній
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.68 грн
10+ 1236.27 грн
25+ 1198.69 грн
100+ 1069.49 грн
250+ 985.75 грн
STY60NA20
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY60NA30
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STY60NK30ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY60NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 60 A, 0.033 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.84 грн
5+ 859.85 грн
10+ 794.11 грн
50+ 687.44 грн
100+ 588.46 грн
250+ 576.93 грн
STY60NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY60NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STY60NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STY60NK30Z
Код товару: 11235		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STY60NK30ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 576-585 дні (днів)
1+919.88 грн
10+ 833.22 грн
25+ 707.89 грн
100+ 611.99 грн
600+ 544.07 грн
STY60NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
STY60NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1135.51 грн
2+ 799.12 грн
3+ 755.42 грн
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1358.6 грн
10+ 1297.9 грн
25+ 1264.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1679.71 грн
10+ 1633.51 грн
25+ 1196.69 грн
50+ 1178.71 грн
100+ 1090.8 грн
300+ 972.93 грн
STY60NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1362.61 грн
2+ 995.83 грн
3+ 906.5 грн
30+ 901.51 грн
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.79 грн
30+ 1250.62 грн
120+ 1172.46 грн
510+ 938.93 грн
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.63 грн
STY60NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.77 грн
5+ 1246.07 грн
10+ 982.36 грн
50+ 894.16 грн
100+ 808.09 грн
250+ 791.44 грн
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1261.55 грн
10+ 1205.2 грн
25+ 1174.13 грн
STY60NM50
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STY60NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1483.95 грн
30+ 1184.86 грн
120+ 1110.81 грн
510+ 889.56 грн
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 37.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: MAX247
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
товар відсутній
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.19 грн
10+ 906.86 грн
25+ 883.96 грн
100+ 786.89 грн
250+ 712.21 грн
500+ 632.26 грн
STY60NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp
товар відсутній
STY60NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 37.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: MAX247
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STY80NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY80NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh
товар відсутній
STY80NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 447W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
товар відсутній
STY80NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STYLUS 720InterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
STYLUS 720SWInterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
STYLUS 730InterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
STYLUS-1Banner Engineering CorporationDescription: STYLUS FOR IVU TOUCH SCREEN (1 O
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Ivu Touch Screen
Accessory Type: Stylus
товар відсутній
STYLUS-1Banner EngineeringBanner Engineering Stylus for iVu touch screen (1 only)
товар відсутній
STYLUS-10Banner EngineeringTest Accessories - Other Stylus for iVu touch screen (pack of 10)
товар відсутній
STYLUS-CAPBrady CorporationDescription: STYLUS FOR CAPACITIVE DISPLAYS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Capacitive Touchscreens
Accessory Type: Stylus
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.26 грн
10+ 1005.35 грн
STYN1640
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STYN616SIRECTIFIERIt=16A; Vdrm=600V; Igt=25mA; Replacement for: TYN616RG; STYN616 SIRECTIFIER TY016tyn616 SIR
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 25