Продукція > UMB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UMB-1Essentra ComponentsDescription: UNIVERSAL MNTING BLOCK SCREW MNT
товар відсутній
UMB-1A-RTEssentra ComponentsDescription: UNIVERSAL MNTING BLOCK ADH MOUNT
товар відсутній
UMB-LHMQBel Power SolutionsUniversal Mounting Bracket for 50W AC-DC Converters
товар відсутній
UMB-THP30Omron Automation and SafetyDescription: UNIVERSAL MOUNTING BRACKET
товар відсутній
UMB.ALL.ATaoglasAntennas ANTENNA BRACKET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1661.84 грн
10+ 1625.85 грн
100+ 1248.63 грн
UMB002UNIVERSAL MICROELECTRONICSO3-1
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB007UNIVERSAL MICROELECTRONICSO3-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB02070E1002AB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 10K Ohm 0.05% 0.4W ±15ppm/C Conformal Coated Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070E1002AB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 10K Ohm 0.05% 0.4W ±15ppm/C Conformal Coated Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070E1004AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E1004AB200Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E1004ABU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E3903AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 390Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E5003AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 500Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E5003AB200Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 500Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070E5003ABU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 500Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070F1000AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100ohm .05%
товар відсутній
UMB02070F2053BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 205K Ohm 0.1% 0.4W ±10ppm/C Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070F2053BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 205K Ohm 0.1% 0.4W ±10ppm/C Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070F2293BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 229K Ohm 0.1% 0.4W ±10ppm/C Conformal Coated Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070F2293BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 229K Ohm 0.1% 0.4W ±10ppm/C Conformal Coated Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070F3003AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 300Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070F3903AB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 390Kohm .05%
товар відсутній
UMB02070G1001BBU00Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: UMB 0207-05 0.1% BU 1K0
Packaging: Box
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.1%
Package / Case: MELF, 0207
Temperature Coefficient: ±5ppm/°C
Size / Dimension: 0.087" Dia x 0.228" L (2.20mm x 5.80mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0207
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
товар відсутній
UMB02070G1001BBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 1Kohm .1%
товар відсутній
UMB02070G1001HBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 1Kohm .02%
товар відсутній
UMB02070G1002BBU00Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: UMB 0207-05 0.1% BU 10K
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.1%
Packaging: Box
Package / Case: MELF, 0207
Temperature Coefficient: ±5ppm/°C
Size / Dimension: 0.087" Dia x 0.228" L (2.20mm x 5.80mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0207
Part Status: Active
Resistance: 10 kOhms
товар відсутній
UMB02070G1002BBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 10Kohm .1%
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.62 грн
10+ 409.72 грн
20+ 332.3 грн
50+ 293.01 грн
100+ 227.75 грн
200+ 203.78 грн
UMB02070G1002HBU00VishayRes Thin Film 0207(2309) 10K Ohm 0.02% 0.4W ±5ppm/C Melf Pad SMD Ammo
товар відсутній
UMB02070G1002HBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 10Kohm .02%
товар відсутній
UMB02070G1002HBU00VishayRes Thin Film 0207(2309) 10K Ohm 0.02% 0.4W ±5ppm/C Melf Pad SMD Ammo
товар відсутній
UMB02070G1003BBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100Kohm .1%
товар відсутній
UMB02070G1003BBU00Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: UMB 0207-05 0.1% BU 100K
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.1%
Packaging: Box
Package / Case: MELF, 0207
Temperature Coefficient: ±5ppm/°C
Size / Dimension: 0.087" Dia x 0.228" L (2.20mm x 5.80mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0207
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
товар відсутній
UMB02070G1003HBU00Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 100Kohm .02%
товар відсутній
UMB02070G1503HBU00Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: UMB 0207-05 0.02% BU 150K
Packaging: Box
товар відсутній
UMB02070G1603BB100VishayRes Thin Film 0207(2309) 160K Ohm 0.1% 0.4W ±5ppm/C Conformal Coated Melf Pad SMD T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UMB02070G1603BB100VishayRes Thin Film 0207(2309) 160K Ohm 0.1% 0.4W ±5ppm/C Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070G2700HB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 270ohm .02%
товар відсутній
UMB02070G3003HB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 300Kohm .02%
товар відсутній
UMB02070G3903HB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors .4watt 390Kohm .02%
товар відсутній
UMB02070G4700BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 470 Ohm 0.1% 0.4W ±5ppm/C Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB02070G4700BB200VishayRes Thin Film 0207(2309) 470 Ohm 0.1% 0.4W ±5ppm/C Melf Pad SMD T/R
товар відсутній
UMB05FRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 50V .5A SOF2-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SOF2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UMB1ROHMSOT363
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1ROHM09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10-N-TN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10FRectron USADescription: BRDGE RCT GLASS 1000V .5A SOF2-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SOF2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UMB10NROHM00+ SC-88
на замовлення 39840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10N/B10ROHM01+ SOT363
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10NFHATNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
товар відсутній
UMB10NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-363 -50V VCC -0.1A IC
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
17+ 18.84 грн
100+ 6.66 грн
1000+ 4.66 грн
3000+ 3.73 грн
9000+ 3.06 грн
24000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB10NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 16.93 грн
100+ 8.25 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB10NFHATNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
UMB10NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
6000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMB10NTNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 150mW
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Current gain: 80
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
UMB10NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
товар відсутній
UMB10NTNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 150mW
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Current gain: 80
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
товар відсутній
UMB10NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA SOT-363
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
13+ 24.58 грн
100+ 9.19 грн
1000+ 7.06 грн
3000+ 5.93 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB10NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.7 грн
13+ 21.37 грн
100+ 10.79 грн
500+ 8.98 грн
1000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB10NTN(B10)
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10NTV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB10TN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11ROHMSOT26/
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11ROHM
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11 N TNROHMSOT363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11/B11ROHM
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11NROHM06+ SOT-363
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11N TNROHMSOT-363 02+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11N/B11
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.7 грн
13+ 21.71 грн
100+ 10.97 грн
500+ 9.12 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB11NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101)
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.04 грн
12+ 25.81 грн
100+ 14.05 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 7.39 грн
3000+ 6.19 грн
9000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
UMB11NFHATNROHMDescription: ROHM - UMB11NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMB11N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.43 грн
29+ 25.85 грн
100+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
UMB11NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
UMB11NFHATNROHMDescription: ROHM - UMB11NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMB11N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
UMB11NFSTNROHMSOT23-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11NTNROHMSOT363
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB11NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UMB11NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
товар відсутній
UMB11NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT363
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
13+ 25.04 грн
100+ 10.99 грн
1000+ 7.26 грн
3000+ 5.53 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB11NTNROHM SEMICONDUCTORUMB11NTN PNP SMD transistors
товар відсутній
UMB11NTR
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB14N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1NROHM
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1N-T
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товар відсутній
UMB1NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
товар відсутній
UMB1TN
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB1TN(B1)
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2 N TNROHMSOT363
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2 N TNROHM09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2 N TNROHM
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2-N-TN
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2/B2ROHM
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB20KPanduitUPS - Uninterruptible Power Supplies MAINTENANCE BYPASS SWITCH FOR 3 PHASE UP
товар відсутній
UMB2HRTNROHM91+
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2HRTNROHM09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2N
на замовлення 92410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.61 грн
20+ 14.5 грн
100+ 7.3 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
UMB2NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMB2NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-363 -50V VCC -0.1A IC
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.85 грн
19+ 16.24 грн
100+ 5.79 грн
1000+ 4.33 грн
3000+ 3.46 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
UMB2NFHATNROHM SEMICONDUCTORUMB2NFHATN PNP SMD transistors
товар відсутній
UMB2NTNROHMDescription: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMB2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.34 грн
38+ 20.02 грн
100+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 28
UMB2NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.86 грн
13+ 24.2 грн
100+ 13.12 грн
500+ 8.99 грн
1000+ 6.93 грн
3000+ 5.79 грн
9000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB2NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.09 грн
15+ 19.15 грн
100+ 9.66 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMB2NTNROHM SEMICONDUCTORUMB2NTN PNP SMD transistors
товар відсутній
UMB2NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMB2NTNROHMDescription: ROHM - UMB2NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: UMB2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.37 грн
132+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
UMB2NTR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2TN
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB2TN(B2)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB3NROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB3NROHM
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB3NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
16+ 17.9 грн
100+ 10.14 грн
500+ 6.3 грн
1000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB3NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.86 грн
17+ 18.3 грн
100+ 8.99 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.66 грн
3000+ 3.6 грн
9000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMB3NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
товар відсутній
UMB3NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
16+ 18.38 грн
100+ 10.41 грн
500+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB3NTNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
UMB3NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.77 грн
14+ 22.36 грн
100+ 10.99 грн
1000+ 5.59 грн
3000+ 4.26 грн
9000+ 3.6 грн
24000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMB3NTNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
UMB3NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
товар відсутній
UMB3NTN
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB3TN(B3)
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4 N TNROHMSOT363-B4
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4 N TN SOT363-B4ROHM
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4 N TN SOT363-B4ROHM
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NROHM
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NFHATNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
UMB4NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
UMB4NFHATNROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
товар відсутній
UMB4NFHATNRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.33 грн
19+ 14.98 грн
100+ 7.55 грн
500+ 5.79 грн
1000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
UMB4NFHATNROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+PNP SOT-363 10kO Input Resist
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.85 грн
19+ 16.24 грн
100+ 5.79 грн
1000+ 4.33 грн
3000+ 3.73 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
UMB4NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товар відсутній
UMB4NTNROHM09+
на замовлення 277118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товар відсутній
UMB4NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.78 грн
14+ 23.05 грн
100+ 11.32 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.59 грн
9000+ 3.93 грн
24000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
UMB4NTNROHM
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NTNROHM SEMICONDUCTORUMB4NTN PNP SMD transistors
товар відсутній
UMB4NTN(B4)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NTNSOT363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4NTRSOT353-B4ROHM
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4TN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB4TN(B4)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB5ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB5N
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB5TR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB5TR(B5)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6ROHM09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6ROHMSOT363
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6 N TRROHMSOT363
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6/B6
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6FRectron USADescription: BRIDGE RCT GLASS 600V .5A SOF2-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SOF2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UMB6N
на замовлення 28360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/PNP
товар відсутній
UMB6NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
товар відсутній
UMB6NTR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB6NTR(B6)
на замовлення 350780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB7N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB8ROHM
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB8/B8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB8N
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB8NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товар відсутній
UMB8NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
товар відсутній
UMB9 N TNROHMSOT363
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9 N TNROHM09+
на замовлення 297018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9/B9
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9NROHM03/04+ SOT363
на замовлення 30100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9NROHM
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9N-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMB9N-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
15+ 19.77 грн
25+ 18.09 грн
100+ 12.63 грн
250+ 11.44 грн
500+ 9.47 грн
1000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB9NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
UMB9NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
UMB9NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.51 грн
15+ 21.37 грн
100+ 11.65 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.13 грн
3000+ 5.46 грн
9000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
UMB9NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UMB9NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 16.93 грн
100+ 8.55 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
UMB9NTN
на замовлення 1818000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMB9NTR
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMBA-05-NNOyen DigitalDescription: CBL USB3.0 A PLG-MCR B PLG 1.64'
Packaging: Bag
Features: Data Transfer and Charge
Color: Black
Length: 1.64' (500.0mm)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Male to Micro B Male
Specifications: USB 3.0 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed)
Part Status: Active
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.53 грн
5+ 193.54 грн
10+ 131.11 грн
25+ 97 грн
50+ 64.45 грн
100+ 48.82 грн
250+ 40.98 грн
500+ 33.94 грн
UMBC-04-NNOyen DigitalDescription: CABLE MCR B PLUG TO C PLUG 1.33'
Features: Data Transfer and Charge
Packaging: Bag
Color: Black
Length: 1.33' (406.4mm)
Wire Gauge: 24 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: Micro B Male to C Male
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Part Status: Active
Transfer Rate: 10Gbps
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.54 грн
2+ 766.52 грн
5+ 721.43 грн
10+ 592.41 грн
50+ 507.78 грн
UMBF170GSOT-23T/
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMBF170GSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UMBF170L-AE3-R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)