Продукція > XP8

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

XP8081

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP824OLZU200E

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP8260ZU200HAV

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP82C684CJ

PLCC

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP83T03GJB

YAGEO XSemi

MOSFET N-CH 30V 75A TO-251S

на замовлення 7982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.54 грн
10+	95.73 грн
100+	66.26 грн
250+	60.67 грн
500+	55.07 грн
1000+	47.21 грн
2500+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

XP83T03GJB

XSEMI

Description: XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.23 грн
10+	112.8 грн
100+	91.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

XP850CZT50B

на замовлення 321 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP850DEZT80BU

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP860ENCZP50C

MOT

BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP860SRZP50C1

MOTOROLA

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP8M000000S412

TGS

Description: CRYSTAL 8MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8M192000S410

TGS

Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 10pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8M192000S412

TGS

Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 12pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8M192000S416

TGS

Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 16pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8M192000S418

TGS

Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 18pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8M192000S420

TGS

Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 20pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP8NA1R2TL

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 0.0012 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1382.78 грн
5+	1116.08 грн
10+	950.99 грн
50+	814.38 грн
100+	692.83 грн

XP8NA1R2TL

YAGEO XSEMI

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	950.99 грн
50+	814.38 грн
100+	692.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

XP8NA1R2TL

YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	996.26 грн
10+	845.39 грн
100+	731.15 грн
500+	621.83 грн

XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

MOSFET N-CH 80V 300A TOLL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1081.48 грн
10+	939.67 грн
25+	795.13 грн
50+	750.51 грн
100+	706.56 грн
250+	684.58 грн
500+	640.63 грн

XP8NA1R2TL

YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V

товар відсутній

XP8NA2R2CXT

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 0.0022 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	599.88 грн
5+	515.46 грн
10+	430.3 грн
50+	382.91 грн
100+	338.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

XP8NA2R2CXT

YAGEO XSemi

MOSFET N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574.92 грн
10+	485.53 грн
25+	383.58 грн
100+	351.61 грн
250+	331.64 грн
500+	310.33 грн
1000+	279.03 грн

XP8NA2R2CXT

YAGEO XSEMI

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	430.3 грн
50+	382.91 грн
100+	338.09 грн

Мінімальне замовлення: 10