Продукція > XPN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XPN06103J345HT
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.52 грн
10+ 62.02 грн
100+ 48.23 грн
500+ 38.37 грн
1000+ 31.25 грн
2000+ 29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN12006NC,L1XHQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 57479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.46 грн
10+ 68.92 грн
100+ 46.62 грн
500+ 39.56 грн
1000+ 30.37 грн
5000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.61 грн
10+ 76.95 грн
100+ 57.67 грн
500+ 46.75 грн
1000+ 37.07 грн
5000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.61 грн
10+ 76.95 грн
100+ 57.67 грн
500+ 46.75 грн
1000+ 37.07 грн
5000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN316161.132812IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 161.132812 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+497.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN316161.13281 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN326156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товар відсутній
XPN326156.250000KRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товар відсутній
XPN336025.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336025.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336078.125000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336078.12500 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336100.000000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336100.000000IRenesas Electronics America IncDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
товар відсутній
XPN336100.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336156.250000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336156.25000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
товар відсутній
XPN336161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336161.13281 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN336312.500000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336312.50000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 12570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.84 грн
10+ 65.21 грн
100+ 50.73 грн
500+ 40.36 грн
1000+ 32.88 грн
2000+ 30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN3R804NC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.68 грн
10+ 69.23 грн
100+ 47.41 грн
500+ 40.62 грн
1000+ 33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN3R804NC,L1XHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS - Automotive Version
товар відсутній
XPN536156.250000IRenesas Electronics America IncDescription: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 1.27MM P
товар відсутній
XPN536156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN536156.25000 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN6R706NC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 78.88 грн
100+ 53.81 грн
500+ 45.62 грн
1000+ 37.16 грн
2500+ 34.96 грн
5000+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 29385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.65 грн
10+ 73.39 грн
100+ 57.1 грн
500+ 45.42 грн
1000+ 37 грн
2000+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.7 грн
10000+ 33.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN6R706NC,L1XHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin TSOP Advance(WF) EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
XPN716156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN716156.25390 PROGRAMMABLE XO
товар відсутній
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN7R104NC,L1XHQToshibaMOSFET 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.24 грн
10+ 69.77 грн
100+ 47.28 грн
500+ 40.09 грн
1000+ 32.63 грн
2500+ 30.7 грн
5000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+ 64.44 грн
100+ 50.13 грн
500+ 39.88 грн
1000+ 32.49 грн
2000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN7R104NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.1 грн
10+ 77.69 грн
100+ 58.49 грн
500+ 47.45 грн
1000+ 37.59 грн
5000+ 36.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN7R104NC,L1XHQ(OToshibaPOWER MOSFETs Silicon N-channel MOS - AUTOMOTIVE
товар відсутній
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN9R614MC,L1XHQToshibaMOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 78.11 грн
100+ 52.74 грн
500+ 44.68 грн
1000+ 34.5 грн
2500+ 34.3 грн
5000+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+ 66.32 грн
100+ 51.6 грн
500+ 41.04 грн
1000+ 33.43 грн
2000+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPND600Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Precision Nutdriver 6 Piece Set
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XPND600Apex Tool GroupDescription: NUT DRIVER SET W/CASE 6PC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPNX392PB5S5100Belden Inc.Description: FLEXPON HOUSE BOX W/100F OF QP
Packaging: Bulk
товар відсутній