Продукція > si4

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4004DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

товар відсутній

SI4008BDY

на замовлення 570 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-021

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-022

на замовлення 998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GS

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GS

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-B1-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-B1-GS

RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051

товар відсутній

SI4010-B1-GSR

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-B1-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4010-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-C2

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-C2-AS

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-ASR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-AT

RF Microcontrollers - MCU

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.88 грн
10+	260.32 грн
100+	206.35 грн
250+	198.07 грн
500+	181.5 грн
1000+	153.21 грн
2500+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2-ATR

RF Microcontrollers - MCU

товар відсутній

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

на замовлення 580000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	212.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GS

SI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	442.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	386.81 грн
38+	315.66 грн
100+	282.69 грн

Мінімальне замовлення: 31

SI4010-C2-GS

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 112 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	442.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GS

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.9 грн
10+	323.02 грн
100+	265.01 грн
250+	242.93 грн
500+	194.62 грн
1176+	184.26 грн
10584+	178.74 грн

SI4010-C2-GS

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.31 грн
10+	358.72 грн
56+	322.83 грн
112+	276.03 грн
280+	249.1 грн
504+	223.52 грн
1008+	185.42 грн

SI4010-C2-GSR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	188.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GSR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	230.86 грн

Мінімальне замовлення: 52

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	174.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	214.37 грн
10+	211.18 грн
25+	207.93 грн
100+	197.43 грн
250+	179.89 грн
500+	169.97 грн
1000+	167.17 грн
3000+	164.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4010-C2-GT

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.76 грн
10+	308.73 грн
100+	233.26 грн
250+	220.84 грн
500+	167.01 грн
1050+	162.18 грн
2100+	160.8 грн

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GT

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GT

Crystal-SOC RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GT

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.34 грн
10+	308.4 грн
50+	277.58 грн
100+	237.33 грн
250+	214.18 грн
500+	192.18 грн

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.15 грн
250+	171.21 грн
500+	161.92 грн
1000+	149.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	191.61 грн

Мінімальне замовлення: 63

SI4010-C2-GTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	170.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GTR

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.51 грн
10+	227.61 грн
25+	222.97 грн
50+	202.73 грн
100+	183.15 грн
250+	171.21 грн
500+	161.92 грн
1000+	149.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	177.93 грн
10+	169.78 грн
25+	168.07 грн
100+	160.21 грн
250+	148.08 грн
500+	141.84 грн
1000+	141.52 грн
3000+	141.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GTR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.12 грн
10+	229.36 грн
100+	189.1 грн
250+	178.05 грн
500+	168.39 грн
1000+	154.59 грн
2500+	153.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	186.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.34 грн
10+	308.4 грн
25+	277.58 грн
100+	237.33 грн
250+	214.18 грн
500+	192.18 грн
1000+	159.42 грн

SI4010-C2001AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2001ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2002GS

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156 грн
10+	150 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2003AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.31 грн
10+	237.3 грн
100+	174.6 грн
250+	167.7 грн
500+	153.21 грн
1000+	133.89 грн
2500+	129.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	168 грн
75+	161.54 грн

Мінімальне замовлення: 72

SI4010-C2003ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2003ATR

High Performance RF Transmitter

товар відсутній

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156 грн
10+	150.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2004AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	161.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товар відсутній

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	205.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	301.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C200FGT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4010-C200FGT

Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC

товар відсутній

SI4010-C200FGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C200RGT

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	97.73 грн
10+	96.24 грн
25+	94.74 грн
100+	89.91 грн
250+	81.92 грн
500+	77.37 грн
1000+	76.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	105.24 грн
116+	103.64 грн
118+	102.03 грн
120+	96.83 грн
250+	88.23 грн
500+	83.32 грн
1000+	81.94 грн

Мінімальне замовлення: 114

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2012GT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4010-C2020GTR

Silicon Laboratories

товар відсутній

SI4010-C2020GTR

SI4010-C2020GTR

товар відсутній

SI4010-C2024GTR

SI4010-C2024GTR

товар відсутній

SI4010-C2025GT

SI4010-C2025GT

товар відсутній

SI4010-C2M0RGS

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товар відсутній

SI4010-C2M0RGSR

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товар відсутній

SI4010-C2M0SGS

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товар відсутній

SI4010-C2M0SGSR

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товар відсутній

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.16 грн
10+	184.09 грн
25+	181.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

товар відсутній

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2X-GS

SI4010-C2X-GS

товар відсутній

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30V

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4011-C1001GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C1001GTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4011-C1002GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C100GGTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товар відсутній

SI4011-C100JGTR

SI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4011-C100MGTR

SI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4011-C100NGTR

SI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4011-C2-GT

Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP

товар відсутній

SI4011-CA-GT

SI4011-CA-GT

товар відсутній

SI4011-CC-GT

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товар відсутній

SI4011-CC-GTR

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товар відсутній

SI4012-A0-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP

товар відсутній

SI4012-A0-GT

SI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4012-A0-GTR

RF Transmitter

товар відсутній

SI4012-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4012-C1001GT

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

SI4012-C1001GT

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.69 грн
10+	189.68 грн
100+	146.31 грн
250+	135.96 грн
500+	102.83 грн
1050+	102.14 грн
2100+	94.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.23 грн
10+	189.35 грн
50+	170.46 грн
100+	145.76 грн
250+	131.53 грн
500+	118.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товар відсутній

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.96 грн
10+	192.01 грн
25+	172.85 грн
100+	147.79 грн
250+	133.37 грн
500+	119.67 грн
1000+	99.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4012-C1001GTR

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.96 грн
10+	195.87 грн
25+	195.09 грн
50+	180.44 грн
100+	152.62 грн
250+	140.68 грн
500+	124.75 грн
1000+	107.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 7848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.25 грн
10+	200 грн
100+	142.17 грн
250+	135.27 грн
500+	121.46 грн
1000+	102.14 грн
2500+	96.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товар відсутній

SI4018

ALUTRONIC

SI4018 Heatsinks - equipment

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	4300.38 грн

SI4018-S

ALUTRONIC

SI4018-S Heatsinks - equipment

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1779.67 грн
2+	1682.19 грн

SI4020

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4020-I1-FT

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт

товар відсутній

SI4020-I1-FT

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4020-I1-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4020-I1-FTR

Description: IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

товар відсутній

SI4021

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4021-A1-FT

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4021-A1-FT

SI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4021-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4021-A1-FTR

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4021-A1-FTR

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4021-A1-FTR

TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4021A1FTR

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4022-A0-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A0-FT

SI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

RF Transmitter TX SubG

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A0-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SI4022-A1-FT

RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4022-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товар відсутній

SI4022-A1-FT

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4023-S

ALUTRONIC

SI4023-S Heatsinks - equipment

товар відсутній

SI4030-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-A0-FMR

Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-A0-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-B1-FM

TX SubG +13dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4030-B1-FM

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4030-B1-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товар відсутній

SI4031

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4031-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4031-B1-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4031-B1-FM

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт

товар відсутній

SI4031-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4031-B1-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C

на замовлення 3510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.03 грн
10+	392.51 грн
25+	325.93 грн
50+	271.02 грн
100+	230.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4032-B1-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт

товар відсутній

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4032-V2-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4032-V2-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube

товар відсутній

SI4032-V2-FMR

товар відсутній

SI4032-V2-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4033-B2-FM

SI4033-B2-FM

товар відсутній

SI4033-B2-FMR

SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4033-B2-FMR

SI4033-B2-FMR

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4154DY-GE3

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4048DY-T1-E3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4048DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4055-B1A-FM

Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver

товар відсутній

SI4055-B1A-FM

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4055-B1A-FMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4055-B1A-ZMR

SI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4055-C2A-AM

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4055-C2A-AMR

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4055-C2A-GM

RF Transceiver Sub-GHz Transmitter

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.43 грн
10+	221.43 грн
100+	182.88 грн
250+	169.77 грн
500+	148.38 грн
1000+	147.69 грн
2450+	139.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4055-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.74 грн
10+	226.06 грн
25+	219.87 грн
50+	197.69 грн
100+	161.25 грн
250+	153.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4055-C2A-GMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm

на замовлення 7881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.44 грн
50+	46.99 грн
100+	36.54 грн
500+	28.32 грн
1000+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFET 100V N-CH D-S MOSFET

на замовлення 136059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	54.05 грн
100+	32.57 грн
500+	27.19 грн
1000+	24.57 грн
5000+	23.12 грн
10000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	49.24 грн
100+	34.11 грн
500+	26.75 грн
1000+	22.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.68 грн
12+	50.76 грн
25+	50.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056ADY-T1-GE3

на замовлення 7881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.54 грн
500+	28.32 грн
1000+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

товар відсутній

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.51 грн
11+	54.26 грн
25+	53.24 грн
100+	38.88 грн
250+	35.64 грн
500+	29.16 грн
1000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4056DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SI4058DY-T1-GE3

на замовлення 28033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	55.24 грн
100+	33.54 грн
500+	28.02 грн
1000+	27.05 грн
5000+	26.57 грн
10000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.27 грн
21+	37.32 грн
100+	28.64 грн
500+	22.21 грн
1000+	20.17 грн
2500+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 19

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Si4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id

товар відсутній

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.64 грн
500+	22.21 грн
1000+	20.17 грн
2500+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SI4060-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4060-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товар відсутній

SI4060-B0B-FMR

SI4060-B0B-FMR

товар відсутній

SI4060-B0B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-B1B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.18 грн
10+	336.87 грн
25+	303.2 грн
80+	259.27 грн
230+	233.97 грн
490+	209.94 грн
980+	174.15 грн

SI4060-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	184.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 237500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	202.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.45 грн

SI4060-B1B-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4060-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	121.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4060-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.19 грн
10+	240 грн
25+	232.26 грн
50+	208.48 грн
100+	185.8 грн
250+	165.9 грн
500+	140.68 грн
1000+	140.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.77 грн
10+	307.14 грн
100+	240.86 грн
250+	216.01 грн
500+	182.88 грн
1000+	182.19 грн
2450+	172.53 грн

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.18 грн
10+	336.87 грн
25+	303.2 грн
80+	259.27 грн
230+	233.97 грн
490+	209.94 грн
980+	174.15 грн

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 6807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.68 грн
10+	319.05 грн
100+	232.57 грн
250+	221.53 грн
500+	202.21 грн
1000+	187.03 грн
2500+	167.7 грн

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товар відсутній

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 32.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	100 грн
100+	67.43 грн
500+	57.56 грн
1000+	46.93 грн
2500+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

товар відсутній

SI4063-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4063-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4063-B0B-FMR

SI4063-B0B-FMR

товар відсутній

SI4063-B0B-FMR

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

товар відсутній

SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485

Модульні елементи > Радіомодулі

товар відсутній

SI4063-B1B-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	225.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	261.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	281.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 7347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	361.51 грн
10+	287.3 грн
100+	227.05 грн
250+	205.66 грн
500+	202.9 грн

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	473.3 грн
10+	407.32 грн
25+	366.57 грн
100+	313.43 грн
250+	282.86 грн
500+	253.81 грн
1000+	210.54 грн

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4063-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4063-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.64 грн
10+	436.72 грн
25+	393.06 грн
80+	336.08 грн

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товар відсутній

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.96 грн
10+	431.75 грн
100+	291.93 грн
250+	261.56 грн
500+	220.84 грн
1000+	217.39 грн
2450+	211.87 грн

SI4063-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.99 грн
10+	435.09 грн
25+	399.48 грн
50+	337.16 грн
100+	280.7 грн
250+	251.5 грн
500+	212.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 2259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.74 грн
10+	377.78 грн
100+	202.9 грн

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.15 грн
10+	443.48 грн
25+	398.89 грн
100+	345.57 грн
250+	287.5 грн
500+	245.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	538.62 грн
26+	477.59 грн
28+	429.57 грн
100+	372.15 грн
250+	309.62 грн
500+	264.07 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

SI407DNPLCC

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.74 грн
10+	94.1 грн
100+	73.37 грн
500+	56.88 грн
1000+	44.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102.1 грн
10+	86.9 грн
25+	81.2 грн
100+	60.71 грн
250+	55.65 грн
500+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI40SL0116-70T

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI40SL0416-75T

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI41

IDEC

Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44

товар відсутній

SI410

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 30752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	68.8 грн
100+	53.51 грн
500+	42.56 грн
1000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.11 грн
5000+	33.12 грн
12500+	31.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.97 грн
10+	81.29 грн
100+	59.23 грн
500+	45.72 грн
1000+	38.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 7295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	68.8 грн
100+	53.51 грн
500+	42.56 грн
1000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	89.46 грн
135+	88.68 грн
140+	85.56 грн
171+	67.73 грн
250+	61 грн
500+	51.92 грн

Мінімальне замовлення: 134

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.64 грн
10+	83.07 грн
25+	82.35 грн
50+	76.61 грн
100+	58.23 грн
250+	54.37 грн
500+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.84 грн
10+	84.92 грн
100+	58.11 грн
500+	49.21 грн
1000+	38.85 грн
2500+	36.23 грн
5000+	35.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.11 грн
5000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.26 грн
500+	50.54 грн
1000+	36.83 грн
2500+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	65.73 грн
11+	58.44 грн
25+	57.31 грн
50+	54.71 грн
100+	39.05 грн
250+	37.12 грн
500+	28.9 грн
1000+	23 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 97050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.63 грн
10+	49.52 грн
100+	30.64 грн
500+	26.16 грн
1000+	22.5 грн
2500+	20.22 грн
5000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.9 грн
500+	32.21 грн
1000+	23.76 грн
2500+	23.69 грн
5000+	23.29 грн
10000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 12305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.72 грн
10+	49.6 грн
100+	34.34 грн
500+	26.93 грн
1000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

191+	62.93 грн
193+	62.21 грн
255+	45.42 грн
257+	41.64 грн
500+	31.12 грн
1000+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 191

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.59 грн
5000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.86 грн
13+	62.09 грн
100+	43.9 грн
500+	32.21 грн
1000+	23.76 грн
2500+	23.69 грн
5000+	23.29 грн
10000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4102DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

SI4102DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.14 грн
24+	24.81 грн
25+	24.65 грн
50+	23.46 грн
100+	19.58 грн
250+	18.48 грн
500+	17.55 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI4103DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 118920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.39 грн
10+	46.43 грн
100+	28.57 грн
500+	23.88 грн
1000+	20.36 грн
2500+	19.6 грн
10000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.25 грн
16+	49.86 грн
100+	37.39 грн
500+	27.46 грн
1000+	20.24 грн
2500+	19.58 грн
5000+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4104DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4104DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товар відсутній

SI4104DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V

товар відсутній

SI4108DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI410A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-E3

PN may be NE

товар відсутній

SI4110DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

на замовлення 124200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товар відсутній

SI4110DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

на замовлення 434 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

товар відсутній

SI4112-BT
Код товару: 47301

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

SI4112-BT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товар відсутній

SI4112-BT

SILICONIX

0544

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	495.7 грн
10+	437.66 грн
25+	397.89 грн
80+	336.07 грн
230+	308.06 грн
490+	280.05 грн
980+	272.73 грн

SI4112-D-GM

MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.56 грн
10+	397.62 грн
25+	293.31 грн
100+	280.88 грн
250+	267.08 грн
490+	239.48 грн
2940+	230.5 грн

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GMR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.34 грн
10+	409.76 грн
25+	372.56 грн
100+	314.66 грн
250+	288.43 грн
500+	262.21 грн
1000+	232.12 грн

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	251.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4112-D-GMR

MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

SI4112
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.85 грн
10+	408.33 грн
25+	371.23 грн
100+	313.54 грн
250+	287.41 грн
500+	261.28 грн

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

товар відсутній

SI4112-D-GTR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

товар відсутній

SI4112-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товар відсутній

SI4112-D-GTR

RF Synthesizer with IF OUs

товар відсутній

SI4112-D-GTR

TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4112-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товар відсутній

SI4112-EVB

TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4112-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4112BT

на замовлення 235 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112G-BM

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112M-EVB

MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4112M-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4112M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товар відсутній

SI4113-BMR

на замовлення 7280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.69 грн
10+	652.38 грн
25+	541.06 грн
100+	469.98 грн
250+	448.58 грн
490+	395.44 грн
980+	373.36 грн

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray

товар відсутній

SI4113-D-GM

QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4113-D-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	488.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4113-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4113-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

товар відсутній

SI4113-D-GMR

RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товар відсутній

SI4113-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.69 грн
10+	652.38 грн
25+	541.06 грн
100+	494.82 грн
248+	483.09 грн
558+	461.7 грн
1054+	414.08 грн

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товар відсутній

SI4113-D-GT

SLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4113-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4113-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-D-GTR

Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товар відсутній

SI4113-D-ZT1

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товар відсутній

SI4113-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4113-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товар відсутній

SI4113-EVB

TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4113G-BT

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113GM

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4113M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товар відсутній

SI4113M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4113ZT1

N/A

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.91 грн
10+	109.99 грн
100+	88.43 грн
500+	68.18 грн
1000+	56.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-E3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 12468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.99 грн
10+	109.52 грн
100+	76.6 грн
500+	63.35 грн
1000+	52.04 грн
2500+	48.45 грн
5000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.56 грн
25+	39.48 грн
100+	37.69 грн
250+	34.54 грн
500+	32.82 грн
1000+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4114DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114G-B-GM

Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

товар відсутній

SI4114G-BM

Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

товар відсутній

SI4114G-BMR

03+ CLCC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114GM-EVB

Description: BOARD EVAL SI4114G-BM

товар відсутній

SI4115G-BM

Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

товар відсутній

SI4115G-BMR

на замовлення 67790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.41 грн
25+	40.3 грн
100+	35.76 грн
250+	33 грн
500+	29.96 грн
1000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

товар відсутній

SI4116DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 3411 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

4+	104.67 грн
10+	92.86 грн
100+	62.87 грн
500+	51.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.97 грн
10+	85.16 грн
100+	62.4 грн
500+	47.88 грн
1000+	34.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 7146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.18 грн
10+	79.36 грн
100+	53.69 грн
500+	44.38 грн
1000+	35.06 грн
2500+	33.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.87 грн
10+	65.2 грн
100+	50.69 грн
500+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.48 грн
10+	62.8 грн
25+	61.67 грн
100+	45.39 грн
250+	41.45 грн
500+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.4 грн
500+	47.88 грн
1000+	34.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4116DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120

на замовлення 363 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BT

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4122-BTR

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	798.71 грн
10+	711.11 грн
25+	488.61 грн
100+	447.89 грн

SI4122-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4122-D-GM

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4122-D-GM

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4122-D-GMR

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4122-D-GMR

RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4122-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4122-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4122-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4122-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4122-D-GT

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4122-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4122-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4122-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товар відсутній

SI4122-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4122-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4122BT

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 27.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.45 грн
10+	169.55 грн
100+	137.8 грн
500+	105.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 9522 шт:

термін постачання 319-328 дні (днів)

2+	177.13 грн
10+	145.24 грн
100+	100.76 грн
250+	93.17 грн
500+	84.2 грн
1000+	72.46 грн
2500+	71.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744

товар відсутній

SI4122DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4122DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122G-BMR

2000

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4122M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4122M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товар відсутній

SI4123-BM

Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

товар відсутній

SI4123-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4123-BT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4123-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	776.97 грн
10+	692.06 грн
25+	573.5 грн
100+	498.27 грн
250+	475.5 грн
490+	433.4 грн
980+	395.44 грн

SI4123-D-GM

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	736.83 грн
10+	650.16 грн
25+	591.04 грн
80+	499.19 грн
230+	457.59 грн
490+	415.99 грн
980+	368.25 грн

SI4123-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GMR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	639.99 грн
10+	592.97 грн
25+	565.54 грн
100+	523.57 грн

SI4123-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товар відсутній

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товар відсутній

SI4123-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4123-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	689.8 грн
10+	608.75 грн
62+	553.38 грн
124+	467.39 грн

SI4123-D-GTR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товар відсутній

SI4123-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4123-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4123-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товар відсутній

SI4123-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4123-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP

товар відсутній

SI4123BM

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123BM

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4123M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4123M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 384-393 дні (днів)

2+	174.72 грн
10+	155.56 грн
25+	133.89 грн
100+	108.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товар відсутній

SI4124DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

O246+ QFN

на замовлення 1345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BM

Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-BM

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

03+

на замовлення 4105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-F-BM

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-BMR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output

товар відсутній

SI4126-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4126-F-GM

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4126-F-GMR

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товар відсутній

SI4126-F-GMR

RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4126-GM

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

N/A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	163.05 грн
10+	140.81 грн
25+	138.29 грн
100+	105.46 грн
250+	95.3 грн
500+	78.79 грн
1000+	66.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4126DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8

товар відсутній

SI4126DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4126DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 4652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.94 грн
10+	146.03 грн
100+	101.45 грн
250+	95.93 грн
500+	84.89 грн
1000+	73.15 грн
2500+	69.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 2524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.48 грн
10+	133.28 грн
100+	106.05 грн
500+	84.21 грн
1000+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126DY-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

товар відсутній

SI4126M-EVB

MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4128BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V

товар відсутній

SI4128DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 9616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.51 грн
100+	23.91 грн
500+	18.75 грн
1000+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	38.73 грн
100+	23.4 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.63 грн
2500+	14.49 грн
5000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-E3

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.73 грн
5000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.87 грн
100+	24.13 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	39.44 грн
18+	33.21 грн
25+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 37083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	38.73 грн
100+	23.4 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.63 грн
2500+	15.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4128DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 3971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.24 грн
19+	41.81 грн
100+	26.24 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-TI-GE3

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

09+

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

на замовлення 714 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-SB

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132KT

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132SB

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BMR

SILICONI

00+ CLCC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4133-BT/GT

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	741.31 грн
10+	645.85 грн
25+	594.86 грн
80+	510.4 грн
230+	478.51 грн
490+	446.61 грн
980+	417.32 грн

SI4133-D-GM

MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4133-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	707.73 грн
10+	648.41 грн
25+	512.08 грн
100+	492.75 грн
250+	460.32 грн
490+	436.85 грн
980+	436.16 грн

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товар відсутній

SI4133-D-GM

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	450.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4133-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4133-D-GMR

RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

товар відсутній

SI4133-D-GMR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 4318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	741.31 грн
10+	645.85 грн
25+	594.86 грн
100+	510.4 грн
250+	478.51 грн
500+	446.61 грн
1000+	417.32 грн

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товар відсутній

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	741.31 грн
10+	645.85 грн
62+	594.87 грн
124+	510.41 грн
310+	478.51 грн
558+	446.61 грн
1054+	417.32 грн

SI4133-D-GT

TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4133-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	817.23 грн
10+	740.48 грн
25+	617.67 грн
100+	543.82 грн
248+	516.91 грн
558+	483.78 грн
1054+	456.87 грн

SI4133-D-GT

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товар відсутній

SI4133-D-GTR

RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

SI4133-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4133-EVB

Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit

товар відсутній

SI4133-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4133-EVB

SLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4133-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4133-GM

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133B-BM

на замовлення 219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4133BM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133F-BMR

03+

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BT

SILCON

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

0050

на замовлення 848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

SILI

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2R

2003

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XMZ

на замовлення 546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

0011

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM-EVB

Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB

товар відсутній

SI4133GX2-BM

Description: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

товар відсутній

SI4133GX2M-EVB

Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

товар відсутній

SI4133GXM2

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4133M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

товар відсутній

SI4133M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товар відсутній

SI4133T-BM

04+ CLCC

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

QFN??

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

09+

на замовлення 350018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

товар відсутній

SI4133T-BMR

2004

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BMR

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-GM

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-GM

Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

товар відсутній

SI4133T-MB

2004

на замовлення 179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133TBM

03+

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BM

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BMR

2002

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-D-GM

0602

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133WM-EVB

Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

SI4134DY

на замовлення 163 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 4212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
10+	43.56 грн
100+	30.17 грн
500+	23.66 грн
1000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 67062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	48.41 грн
100+	29.19 грн
500+	24.36 грн
1000+	20.77 грн
2500+	17.81 грн
5000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-E3

1027+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 50

SI4134DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	47.54 грн
100+	29.19 грн
500+	24.36 грн
1000+	20.77 грн
2500+	16.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 3474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
10+	43.56 грн
100+	30.17 грн
500+	23.66 грн
1000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 7442 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	67.35 грн
10+	27.32 грн
25+	23.64 грн
58+	17.2 грн
158+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4134DY-T1-GE3

на замовлення 7442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.13 грн
17+	21.93 грн
25+	19.7 грн
58+	14.33 грн
158+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 64620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.73 грн
50+	44.44 грн
100+	34.06 грн
500+	26.38 грн
1000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134T-BM

QFN32

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BM

09+

на замовлення 318 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товар відсутній

SI4134T-BMR

QFN??

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BMR

QFN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товар відсутній

SI4134T-GM

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GMR

04+

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BM

Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

товар відсутній

SI4136-BM

09+

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BT

Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

SI4136-Bt

Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-Bt

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

SI4136-EVB

TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4136-EVB

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

товар відсутній

SI4136-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-BM

Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN

товар відсутній

SI4136-F-BT

Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-F-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	827.16 грн

SI4136-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт

товар відсутній

SI4136-F-GMR

Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4136-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136-F-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

товар відсутній

SI4136-F-GT

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт

товар відсутній

SI4136-F-GT

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	890.62 грн
10+	786.03 грн

SI4136-F-GT

RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GTR

RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товар відсутній

SI4136-F-GTR

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136-F-GTR

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

товар відсутній

SI4136-GM

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-XM-GT

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BM

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 21393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.23 грн
10+	82.54 грн
100+	57 грн
500+	48.72 грн
1000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4136DY-T1-GE3

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4136M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

товар відсутній

SI4136M-EVB

MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4136M-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

товар відсутній

SI4136XM-BT

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

SILCON

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BTR

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-GT

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137-BM

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.71 грн
500+	28.32 грн
1000+	20.97 грн
2500+	20.9 грн
5000+	19.51 грн
10000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

на замовлення 2526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
10+	43.85 грн
100+	30.37 грн
500+	23.81 грн
1000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm

на замовлення 14517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.1 грн
15+	52.49 грн
100+	33.14 грн
500+	25.74 грн
1000+	17.92 грн
5000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4143DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 63860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.2 грн
10+	48.1 грн
100+	28.99 грн
500+	24.22 грн
1000+	20.63 грн
2500+	19.46 грн
5000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4148DY-T1

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

01+ SOP

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4151DY-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Gate charge: 87nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	64.84 грн
100+	50.43 грн
500+	40.12 грн
1000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.37 грн
10+	72.14 грн
100+	48.79 грн
500+	46.93 грн
2500+	39.89 грн
5000+	39.06 грн
10000+	38.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A T/R

товар відсутній

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4151DY-T1-GE3

Micro Commercial Components (MCC)

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4153-TP

MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW

товар відсутній

SI4153-TP

Micro Commercial Components

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 15648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.69 грн
10+	44.6 грн
100+	26.43 грн
500+	22.15 грн
1000+	19.39 грн
2500+	16.36 грн
5000+	15.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4153DY-T1-GE3

SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.83 грн
17+	47.92 грн
100+	29.65 грн
500+	23.08 грн
1000+	15.73 грн
5000+	15.2 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

товар відсутній

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.51 грн
14+	56.98 грн
100+	39.95 грн
500+	29.33 грн
1000+	21.7 грн
2500+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 4.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.95 грн
500+	29.33 грн
1000+	21.7 грн
2500+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 3727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.44 грн
10+	56.22 грн
100+	43.08 грн
500+	31.96 грн
1000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-E3

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4156DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4156DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.3 грн
13+	63.72 грн
100+	49.78 грн
500+	38.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.22 грн
10+	48.24 грн
100+	37.53 грн
500+	29.86 грн
1000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 61512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	54.29 грн
100+	36.78 грн
500+	31.19 грн
1000+	25.4 грн
2500+	23.26 грн
5000+	22.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4158DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4158DY-T1-GE3

MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V

товар відсутній

SI4158DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

товар відсутній

SI4160DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-EG3

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.42 грн
12+	67.51 грн
100+	49.7 грн
500+	38.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.25 грн
10+	90.48 грн
100+	61.08 грн
500+	50.45 грн
1000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4160DY-T1-GE3

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.78 грн
10+	86.84 грн
100+	67.7 грн
500+	52.49 грн
1000+	41.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4160DY-TI-GE3

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 27938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	52.33 грн
100+	36.2 грн
500+	28.39 грн
1000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm

на замовлення 67452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.88 грн
500+	31.7 грн
1000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.91 грн
5000+	23.68 грн
10000+	22.03 грн
15000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.81 грн
5000+	21.72 грн
12500+	20.11 грн
25000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4162DY-T1-GE3

на замовлення 67452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.95 грн
50+	52.95 грн
100+	40.88 грн
500+	31.7 грн
1000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4162DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 20398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	58.17 грн
100+	35.06 грн
500+	29.26 грн
1000+	24.91 грн
2500+	20.15 грн
5000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	30.97 грн
25+	25.95 грн
42+	20.2 грн
115+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4162DY-T1-GE3

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	37.16 грн
25+	32.34 грн
42+	24.24 грн
115+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4164DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 33577 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	95.24 грн
100+	63.98 грн
500+	54.24 грн
1000+	44.24 грн
2500+	42.17 грн
5000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 33401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.74 грн
10+	86.27 грн
100+	67.1 грн
500+	53.37 грн
1000+	43.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.29 грн
5000+	41.54 грн
12500+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.19 грн
10+	77.42 грн
100+	57.44 грн
500+	45.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	67.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	43.19 грн
280+	42.76 грн
283+	42.33 грн
294+	39.29 грн
297+	36.02 грн
500+	32.73 грн
1000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 278

SI4166DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Kind of package: reel; tape
Drain current: 30.5A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 30V

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.74 грн
13+	63.17 грн
100+	49.08 грн
500+	40.4 грн
1000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.13 грн
25+	39.73 грн
50+	37.92 грн
100+	33.81 грн
250+	32.13 грн
500+	30.51 грн
1000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.29 грн
10+	77.93 грн
100+	60.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4166DY-T1-GE3

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4166DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	76.03 грн
100+	54.73 грн
500+	48.45 грн
1000+	39.54 грн
2500+	35.33 грн
10000+	35.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

товар відсутній

SI4168DY

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

товар відсутній

SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.09 грн
10+	75.7 грн
100+	59.03 грн
500+	45.76 грн
1000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI417

01+ SOP

на замовлення 159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товар відсутній

SI4170DYT1E3

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DT-T1-GE3

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

товар відсутній

SI4172DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4172DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	23.03 грн
27+	22.67 грн
50+	21.52 грн
100+	19.61 грн
250+	18.52 грн
500+	18.22 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 26

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4174DY-T1-E3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4174DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm

на замовлення 6065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.61 грн
13+	60 грн
100+	37.63 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.35 грн
5000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.82 грн
5000+	20.82 грн
12500+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4174DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	83.52 грн
6+	46.4 грн
25+	38.91 грн
31+	32 грн
85+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4174DY-T1-GE3

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.6 грн
10+	37.24 грн
25+	32.42 грн
31+	26.67 грн
85+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4174DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 26045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	55.71 грн
100+	33.54 грн
500+	28.02 грн
1000+	23.88 грн
2500+	20.63 грн
5000+	19.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.02 грн
12+	50.15 грн
25+	48.62 грн
100+	34.35 грн
250+	30.58 грн
500+	26.55 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 15645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.72 грн
10+	50.11 грн
100+	34.7 грн
500+	27.21 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4176DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товар відсутній

SI4176DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товар відсутній

SI4176DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SI4178DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товар відсутній

SI4178DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	14.48 грн

Мінімальне замовлення: 40

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.64 грн
500+	22.29 грн
1000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4178DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.1 грн
18+	20.99 грн
25+	18.83 грн
51+	16.35 грн
140+	15.46 грн
500+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	61.32 грн
11+	26.16 грн
25+	22.6 грн
51+	19.62 грн
140+	18.55 грн
500+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.45 грн
50+	37.55 грн
100+	28.64 грн
500+	22.29 грн
1000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 17

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 3569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	35.3 грн
100+	24.43 грн
500+	19.16 грн
1000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 8110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	38.49 грн
100+	23.19 грн
500+	19.39 грн
1000+	16.15 грн
2500+	15.25 грн
5000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4186DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-E3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	64.2 грн
100+	49.97 грн
500+	39.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.45 грн
10+	89.68 грн
100+	61.15 грн
500+	50.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-GE3

товар відсутній

SI419

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI419

SOP-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 13854 шт:

термін постачання 802-811 дні (днів)

3+	136.88 грн
10+	121.43 грн
100+	84.89 грн
250+	82.82 грн
500+	68.05 грн
1000+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	121.84 грн
10+	105.39 грн
25+	99.07 грн
100+	78.91 грн
250+	70.64 грн
500+	58.96 грн
1000+	50.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

Si4190BDY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

на замовлення 4458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.39 грн
10+	127.78 грн
100+	88.34 грн
250+	82.13 грн
500+	74.53 грн
1000+	67.43 грн
2500+	58.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4190DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

товар відсутній

SI4196DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товар відсутній

SI4196DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товар відсутній

SI4200

SILICONE

QFN??

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товар відсутній

SI4200-BM

09+

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

03+

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-EVB

Description: BOARD EVAL FOR SI4200
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4200
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
Type: GPRS/GSM
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

SI4200-GM

QFN??

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-GM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товар відсутній

SI4200-GMR

04+

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI42000BW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

N/A

0346

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

SIL

QFN

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BM

09+

на замовлення 5718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0347

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0340+

на замовлення 1452 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BRM

SAGEM

04+

на замовлення 3298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-GMR

06+

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4201-BM

09+

на замовлення 440018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

товар відсутній

SI4201-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

03+

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

QFN??

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-GM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

товар відсутній

SI4201-GMR

SIICON

2004PB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

si4201bm

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4202DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4202DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; Idm: 50A; 2.6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.32 грн
10+	73.47 грн
100+	57.11 грн
500+	45.43 грн
1000+	37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.7
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.35 грн
13+	60.39 грн
100+	46.92 грн
500+	36.09 грн
1000+	29.2 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4202DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4202DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.67 грн
10+	92.86 грн
100+	62.66 грн
500+	51.76 грн
1000+	40.86 грн
2500+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4204

на замовлення 371 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4204DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4204DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 12312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.68 грн
10+	108.39 грн
100+	81.29 грн
500+	65.78 грн
1000+	58.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 27842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	102.38 грн
100+	72.46 грн
250+	69.7 грн
500+	62.25 грн
1000+	53.62 грн
2500+	52.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4204DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 22552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.91 грн
10+	101.58 грн
100+	80.87 грн
500+	64.21 грн
1000+	54.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4204DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15.5A; Idm: 50A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.5A
On-state resistance: 4.6mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3

товар відсутній

SI4204DY-T1-GE3