Продукція > RENESAS > 2SJ358C-T1-AZ

2SJ358C-T1-AZ Renesas


r07ds1262ej0300_2sj358c.pdf Виробник: Renesas
Description: 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 4101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
358+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 358
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ358C-T1-AZ Renesas

Description: 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: MP-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V.