Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR 198W H6327

BCR 198W H6327 Infineon Technologies

Infineon-BCR198SERIES-DS-v01_01-en-514375.pdf Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.13 грн
58+ 5.37 грн
100+ 3.54 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR 198W H6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 190 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR 198W H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR198WH6327 BCR198WH6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR198SERIES-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a304320d39d590121e8552c2f65bb Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 190 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній