Результат пошуку "bs170-d75z." : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 526
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 2000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170 | onsemi / Fairchild | MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92 |
на замовлення 75227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D74Z | onsemi / Fairchild | MOSFET NCh Enhancement Mode |
на замовлення 24064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 34325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 6649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 6649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BS170-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
BS170 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 75227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
15+ | 20.65 грн |
100+ | 8.01 грн |
1000+ | 5.61 грн |
2500+ | 5.47 грн |
10000+ | 5.07 грн |
50000+ | 4.41 грн |
BS170-D74Z |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET NCh Enhancement Mode
MOSFET NCh Enhancement Mode
на замовлення 24064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.34 грн |
100+ | 13.22 грн |
1000+ | 7.48 грн |
2000+ | 6.81 грн |
10000+ | 5.94 грн |
24000+ | 5.87 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 31.75 грн |
32+ | 23.97 грн |
100+ | 11.53 грн |
500+ | 10.5 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 34325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.27 грн |
15+ | 20.65 грн |
100+ | 9.61 грн |
1000+ | 6.74 грн |
2000+ | 6.08 грн |
10000+ | 5.61 грн |
24000+ | 5.27 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BS170-D75Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
526+ | 22.29 грн |
944+ | 12.4 грн |
993+ | 11.79 грн |
1003+ | 11.25 грн |
1537+ | 6.8 грн |
3000+ | 6.35 грн |
6000+ | 5.93 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 27.74 грн |
27+ | 21.49 грн |
29+ | 20.69 грн |
100+ | 11.11 грн |
250+ | 9.78 грн |
500+ | 9.29 грн |
1000+ | 6.06 грн |
3000+ | 5.89 грн |
6000+ | 5.51 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 9.74 грн |
4000+ | 8.54 грн |
BS170-D75Z |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній