BSP 50 E6327 Infineon Technologies


bsp50_bsp51_bsp52-587789.pdf Виробник: Infineon Technologies
Darlington Transistors NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS
на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP 50 E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції BSP 50 E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP50E6327 BSP50E6327 Виробник : Infineon Technologies 1174bsp50_bsp51_bsp52.pdffolderiddb3a30431441fb5d011445c30f210183file.pdf Trans Darlington NPN 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BSP50E6327 BSP50E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній