Продукція > MACOM > CG2H40010F
CG2H40010F

CG2H40010F MACOM


Виробник: MACOM
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
на замовлення 1071 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6164.12 грн
10+ 5547.64 грн
25+ 4602.28 грн
50+ 4500.39 грн
100+ 4388.51 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CG2H40010F MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 440166, Packaging: Tray, Package / Case: 440166, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 8GHz, Gain: 16.5dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 440166, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції CG2H40010F за ціною від 6193.2 грн до 7225.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CG2H40010F Виробник : MACOM RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7225.4 грн
10+ 6193.2 грн
CG2H40010F
Код товару: 201668
Транзистори > ВЧ
товар відсутній
CG2H40010F CG2H40010F Виробник : Wolfspeed cg2h40010.pdf Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-Pin Case 440166
товар відсутній
CG2H40010F CG2H40010F Виробник : Wolfspeed cg2h40010.pdf Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-Pin Case 440166
товар відсутній
CG2H40010F CG2H40010F Виробник : MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 28V 440166
Packaging: Tray
Package / Case: 440166
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 8GHz
Gain: 16.5dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440166
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній