CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM
Виробник:
SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R.