Результат пошуку "csd17308q3 ." : 15
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 250
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 250
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
CSD17308Q3 |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 53.17 грн |
10+ | 35.19 грн |
25+ | 30.81 грн |
31+ | 26.77 грн |
83+ | 25.31 грн |
CSD17308Q3 |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 73.24 грн |
13+ | 59.99 грн |
100+ | 38.34 грн |
500+ | 29.76 грн |
CSD17308Q3 |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 24.69 грн |
CSD17308Q3 |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 38.34 грн |
500+ | 29.76 грн |
CSD17308Q3 |
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 25.55 грн |
CSD17308Q3T |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 62.16 грн |
8+ | 48.82 грн |
22+ | 37.48 грн |
60+ | 35.47 грн |
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.98 грн |
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 46.9 грн |
500+ | 40.49 грн |
1000+ | 33.21 грн |
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.55 грн |
10+ | 56.74 грн |
100+ | 39.32 грн |
500+ | 33.78 грн |
1000+ | 27.51 грн |
2500+ | 25.9 грн |
5000+ | 24.63 грн |
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 43.55 грн |
500+ | 37.6 грн |
1000+ | 30.84 грн |
CSD17308Q3 |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3 |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3T |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній