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GD200SGY120C2S

GD200SGY120C2S STARPOWER


3565808.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Технічний опис GD200SGY120C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD200SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 309A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.006kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.006kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 309A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).