SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.63 грн |
| 6000+ | 18.49 грн |
| 15000+ | 17.81 грн |
| 30000+ | 16.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ3426EV-T1_GE3 за ціною від 16.41 грн до 66.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V |
на замовлення 53981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 59981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Pulsed drain current: 29A Power dissipation: 5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 53390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Pulsed drain current: 29A Power dissipation: 5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |