Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (3600) > Сторінка 30 з 60
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS6C2016-55ZINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2016-55ZINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2016-55ZINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216-55BIN | Alliance Memory | SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
AS6C3216-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BIN | Alliance Memory | SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 220 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55TIN | Alliance Memory | SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C3216A-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 156 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55TINTR | Alliance Memory | SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C3216A-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Mounting: THT Integrated circuit features: LPC Case: DIP32 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns IC width: 600mils Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Operating voltage: 2.7...5V |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: SOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Operating voltage: 2.7...5V |
на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55STINR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55ZIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP32 II Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55ZINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP32 II Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-70SAN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 70ns Case: SOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-70SANTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 70ns Case: SOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Operating voltage: 2.7...5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55PCN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PCNTR | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55PIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Mounting: THT Integrated circuit features: LPC Case: DIP32 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns IC width: 600mils Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55PINTR | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55SIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 4213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 864 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SINTR | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: SOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2069 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55STIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55STINR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55STINTR | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55TIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55TINTR | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C4008-55ZIN | Alliance Memory | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 4391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55ZIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55ZIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C4008-55ZIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP32 II Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 515 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
AS6C2016-55ZINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2016-55ZINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2016-55ZINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C3216-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)AS6C3216A-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C3216A-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C3216A-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C3216A-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C3216A-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)AS6C3216A-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 220 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 220 шт
товар відсутній
AS6C3216A-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C3216A-55TIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1664.2 грн |
10+ | 1527.4 грн |
25+ | 1281.72 грн |
100+ | 1124.87 грн |
250+ | 1057.56 грн |
1092+ | 1019.19 грн |
AS6C3216A-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 156 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 156 шт
товар відсутній
AS6C3216A-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C4008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.16 грн |
3+ | 332.38 грн |
7+ | 314.15 грн |
69+ | 300.12 грн |
AS6C4008-55PIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
Case: DIP32
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
IC width: 600mils
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
Case: DIP32
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
IC width: 600mils
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...5V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.77 грн |
3+ | 307.84 грн |
8+ | 291.01 грн |
39+ | 279.09 грн |
AS6C4008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 347.38 грн |
4+ | 239.82 грн |
10+ | 226.49 грн |
72+ | 216.68 грн |
AS6C4008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 354.17 грн |
4+ | 264.36 грн |
9+ | 249.64 грн |
500+ | 247.53 грн |
AS6C4008-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 413.07 грн |
4+ | 265.06 грн |
9+ | 250.34 грн |
AS6C4008-55STINR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 469.71 грн |
3+ | 300.12 грн |
8+ | 284 грн |
AS6C4008-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55ZIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 385.13 грн |
4+ | 265.06 грн |
9+ | 250.34 грн |
117+ | 240.52 грн |
AS6C4008-55ZINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
товар відсутній
AS6C4008-70SAN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 70ns
Case: SOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 70ns
Case: SOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-70SANTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 70ns
Case: SOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 70ns
Case: SOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній
AS6C4008-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C4008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 480 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C4008-55BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C4008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C4008-55PCN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 497.14 грн |
10+ | 451.33 грн |
26+ | 383.04 грн |
104+ | 343.99 грн |
260+ | 333.89 грн |
507+ | 317.06 грн |
1001+ | 306.29 грн |
AS6C4008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 524.84 грн |
10+ | 460.65 грн |
25+ | 444.79 грн |
50+ | 403.2 грн |
AS6C4008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 599 грн |
3+ | 414.2 грн |
7+ | 376.98 грн |
69+ | 360.15 грн |
AS6C4008-55PCNTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R
товар відсутній
AS6C4008-55PIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 568.61 грн |
10+ | 516.36 грн |
26+ | 438.24 грн |
104+ | 393.13 грн |
260+ | 381.02 грн |
507+ | 362.17 грн |
1001+ | 350.05 грн |
AS6C4008-55PIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
Case: DIP32
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
IC width: 600mils
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
Case: DIP32
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
IC width: 600mils
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 530.12 грн |
3+ | 383.61 грн |
8+ | 349.21 грн |
39+ | 334.9 грн |
AS6C4008-55PINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R
товар відсутній
AS6C4008-55SIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.12 грн |
10+ | 321.27 грн |
72+ | 249.75 грн |
288+ | 249.07 грн |
504+ | 239.65 грн |
1008+ | 228.21 грн |
2520+ | 221.47 грн |
AS6C4008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 359.46 грн |
10+ | 315.66 грн |
25+ | 305.09 грн |
50+ | 276.28 грн |
AS6C4008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 416.85 грн |
4+ | 298.85 грн |
10+ | 271.79 грн |
72+ | 260.01 грн |
AS6C4008-55SINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.19 грн |
10+ | 327.47 грн |
100+ | 255.13 грн |
500+ | 245.71 грн |
1000+ | 232.92 грн |
2000+ | 226.19 грн |
5000+ | 215.42 грн |
AS6C4008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 425.01 грн |
4+ | 329.43 грн |
9+ | 299.56 грн |
500+ | 297.04 грн |
AS6C4008-55STIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.98 грн |
10+ | 296.5 грн |
100+ | 257.15 грн |
234+ | 240.32 грн |
1170+ | 230.23 грн |
2574+ | 226.19 грн |
5148+ | 210.7 грн |
AS6C4008-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 495.69 грн |
4+ | 330.31 грн |
9+ | 300.4 грн |
234+ | 287.78 грн |
AS6C4008-55STINR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C4008-55STINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C4008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C4008-55TIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.98 грн |
10+ | 330.56 грн |
100+ | 257.83 грн |
250+ | 247.05 грн |
468+ | 240.32 грн |
1092+ | 230.23 грн |
2652+ | 228.21 грн |
AS6C4008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 377.58 грн |
10+ | 325.48 грн |
25+ | 314.9 грн |
50+ | 285.4 грн |
100+ | 253.09 грн |
AS6C4008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 563.65 грн |
3+ | 374 грн |
8+ | 340.79 грн |
AS6C4008-55TINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C4008-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C4008-55ZIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.98 грн |
10+ | 330.56 грн |
117+ | 236.96 грн |
234+ | 224.84 грн |
585+ | 224.17 грн |
1053+ | 219.45 грн |
AS6C4008-55ZIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55ZIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55ZIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 377.58 грн |
10+ | 325.48 грн |
25+ | 314.9 грн |
50+ | 285.4 грн |
AS6C4008-55ZIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Case: TSOP32 II
Operating voltage: 2.7...5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 462.16 грн |
4+ | 330.31 грн |
9+ | 300.4 грн |
117+ | 288.62 грн |