Технічний опис AS6C3216A-55BIN Alliance Memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 32Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx16bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 2.7...3.6V, кількість в упаковці: 220 шт.
Інші пропозиції AS6C3216A-55BIN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AS6C3216A-55BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 220 шт |
товар відсутній |
||
| AS6C3216A-55BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |