Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (796) > Сторінка 1 з 14

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
товар відсутній
03N06 03N06 Goford Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
15+ 19.24 грн
100+ 9.71 грн
500+ 7.43 грн
1000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
03N06 GOFORD Semiconductor GOFORD-03N06-.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.34 грн
15000+ 3.1 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3489
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
6000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
03N06L 03N06L Goford Semiconductor GOFORD-03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.9 грн
13+ 21.31 грн
100+ 10.75 грн
500+ 8.94 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+ 6.13 грн
9000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
15000+ 3.67 грн
30000+ 3.29 грн
48000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L 06N06L Goford Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.43 грн
16+ 18.41 грн
100+ 11.04 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
06N06L GOFORD Semiconductor GOFORD-06N06L.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
15000+ 4.5 грн
30000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+2.87 грн
15000+ 2.64 грн
30000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4055
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 4311
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
18N10 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=458 SOLDING_PROFILE.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.13 грн
15000+ 13.04 грн
30000+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 18N10 Goford Semiconductor SOLDING_PROFILE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.96 грн
15000+ 10.63 грн
30000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 18N10 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.42 грн
10+ 39.51 грн
100+ 27.33 грн
500+ 21.43 грн
1000+ 18.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
18N10 18N10 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
18N20 18N20 Goford Semiconductor GOFORD-18N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.82 грн
15000+ 21.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20 GOFORD Semiconductor GOFORD-18N20.pdf N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.86 грн
15000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20 18N20 Goford Semiconductor GOFORD-18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
товар відсутній
18N20 18N20 Goford Semiconductor GOFORD-18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 47.74 грн
100+ 37.13 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
18N20F 18N20F Goford Semiconductor GOFORD-18N20F.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
18N20F 18N20F Goford Semiconductor GOFORD-18N20F.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.33 грн
6000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
18N20F GOFORD Semiconductor GOFORD-18N20F.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+34.31 грн
15000+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 340
18N20J GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=307 N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 428
18N20J 18N20J Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=307 Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
75+ 47.88 грн
150+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
2002A 2002A Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товар відсутній
20N06 20N06 Goford Semiconductor GOFORD-20N06.pdf Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товар відсутній
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.28 грн
19+ 14.74 грн
100+ 7.46 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
15000+ 1.81 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2300F GOFORD Semiconductor GOFORD-2300F.pdf N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2300F 2300F Goford Semiconductor GOFORD-2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній
2301 GOFORD Semiconductor PCB800116.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
15000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товар відсутній
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.56 грн
20+ 13.98 грн
100+ 6.82 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
15000+ 1.72 грн
30000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.3 грн
16+ 18.34 грн
100+ 9.27 грн
500+ 7.1 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.25 грн
15000+ 2.1 грн
30000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+3.53 грн
15000+ 3.26 грн
30000+ 2.93 грн
50000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3297
25P06 25P06 Goford Semiconductor GOFORD-25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
25P06 25P06 Goford Semiconductor GOFORD-25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.61 грн
10+ 43.11 грн
100+ 33.53 грн
500+ 26.67 грн
1000+ 21.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+2.95 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+2.95 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 3400 Goford Semiconductor GOFORD-3400.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
15000+ 2.31 грн
30000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400 3400 Goford Semiconductor GOFORD-3400.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
3400 3400 Goford Semiconductor GOFORD-3400.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.43 грн
17+ 16.54 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.39 грн
1000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
3400 GOFORD Semiconductor GOFORD-3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.7 грн
15000+ 2.49 грн
30000+ 2.24 грн
50000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 4311
3400L 3400L Goford Semiconductor GOFORD-3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
14+ 20.69 грн
100+ 10.43 грн
500+ 8.68 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L 3400L Goford Semiconductor GOFORD-3400L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400L 3400L Goford Semiconductor GOFORD-3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
3400L GOFORD Semiconductor GOFORD-3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+3.42 грн
15000+ 3.16 грн
30000+ 2.84 грн
50000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3402
3401 GOFORD Semiconductor GOFORD-3401.pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4412
3401 GOFORD Semiconductor GOFORD-3401.pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4412
3401 3401 Goford Semiconductor GOFORD-3401.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
15000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.84 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
товар відсутній
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
15+ 19.24 грн
100+ 9.71 грн
500+ 7.43 грн
1000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
03N06 GOFORD-03N06-.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3489+3.34 грн
15000+ 3.1 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3489
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.09 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.89 грн
6000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
03N06L GOFORD-03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 30 V
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
13+ 21.31 грн
100+ 10.75 грн
500+ 8.94 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.64 грн
6000+ 6.13 грн
9000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.14 грн
15000+ 3.67 грн
30000+ 3.29 грн
48000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
16+ 18.41 грн
100+ 11.04 грн
500+ 9.59 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
06N06L GOFORD-06N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.89 грн
15000+ 4.5 грн
30000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4055+2.87 грн
15000+ 2.64 грн
30000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4055
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4311+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 4311
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
18N10 products-detail.php?ProId=458 SOLDING_PROFILE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.13 грн
15000+ 13.04 грн
30000+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 SOLDING_PROFILE.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.96 грн
15000+ 10.63 грн
30000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N10 products-detail.php?ProId=458
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 39.51 грн
100+ 27.33 грн
500+ 21.43 грн
1000+ 18.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
18N10 products-detail.php?ProId=458
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
18N20 GOFORD-18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.82 грн
15000+ 21.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20 GOFORD-18N20.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.86 грн
15000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N20 GOFORD-18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
товар відсутній
18N20 GOFORD-18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.36 грн
10+ 47.74 грн
100+ 37.13 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
18N20F GOFORD-18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
18N20F GOFORD-18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.33 грн
6000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
18N20F GOFORD-18N20F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
340+34.31 грн
15000+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 340
18N20J products-detail.php?ProId=307
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
428+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 428
18N20J products-detail.php?ProId=307
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.8 грн
75+ 47.88 грн
150+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
2002A GOFORD-G2002A.pdf
2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товар відсутній
20N06 GOFORD-20N06.pdf
20N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товар відсутній
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.28 грн
19+ 14.74 грн
100+ 7.46 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.02 грн
15000+ 1.81 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2300F GOFORD-2300F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.33 грн
15000+ 2.17 грн
30000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2300F GOFORD-2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній
2301 PCB800116.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5770+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 5770
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.06 грн
15000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товар відсутній
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.56 грн
20+ 13.98 грн
100+ 6.82 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.92 грн
15000+ 1.72 грн
30000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
16+ 18.34 грн
100+ 9.27 грн
500+ 7.1 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5173+2.25 грн
15000+ 2.1 грн
30000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 5173
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3297+3.53 грн
15000+ 3.26 грн
30000+ 2.93 грн
50000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3297
25P06 GOFORD-25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
25P06 GOFORD-25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 30 V
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.61 грн
10+ 43.11 грн
100+ 33.53 грн
500+ 26.67 грн
1000+ 21.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3948+2.95 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3948+2.95 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3948
3400 GOFORD-3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.56 грн
15000+ 2.31 грн
30000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400 GOFORD-3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
3400 GOFORD-3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
17+ 16.54 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.39 грн
1000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
3400 GOFORD-3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4311+2.7 грн
15000+ 2.49 грн
30000+ 2.24 грн
50000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 4311
3400L GOFORD-3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
14+ 20.69 грн
100+ 10.43 грн
500+ 8.68 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.65 грн
15000+ 3.34 грн
30000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3192
3400L GOFORD-3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.16 грн
15000+ 2.79 грн
30000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
3400L GOFORD-3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
3400L GOFORD-3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3402+3.42 грн
15000+ 3.16 грн
30000+ 2.84 грн
50000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3402
3401 GOFORD-3401.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4412+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4412
3401 GOFORD-3401.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4412+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4412
3401 GOFORD-3401.pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.53 грн
15000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]