18N20J Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V

на замовлення 150 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	61.8 грн
75+	47.88 грн
150+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 18N20J Goford Semiconductor

Інші пропозиції 18N20J за ціною від 27.24 грн до 27.24 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	18N20J	Виробник : GOFORD Semiconductor	18N20J	на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 428+ 27.24 грн Мінімальне замовлення: 428 купити